Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
US6J11TR
  • В избранное
  • В сравнение
US6J11TR

US6J11TR

US6J11TR
;
US6J11TR

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    US6J11TR
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6Все характеристики

Минимальная цена US6J11TR при покупке от 1 шт 176.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить US6J11TR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание US6J11TR

US6J11TR ROHM Semiconductor Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VGS(th)): 6 V
    • Максимальное напряжение между полюсами (VDS): 12 V
    • Максимальный ток нагрузки (ID): 1.3 A
    • Количество каналов (P-Channel): 2
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря использованию технологии Trench-MOS
    • Малый ток утечки при отключенном состоянии
    • Скорость включения и выключения
  • Минусы:
    • Высокое напряжение включенного состояния может быть ограничено для некоторых приложений
    • Требует использования дополнительного диода для некоторых схем
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Регулировка тока
    • Изоляция сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Электротехнические устройства
    • Питание мобильных устройств
Выбрано: Показать

Характеристики US6J11TR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.3A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    260mOhm @ 1.3A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.4nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    290pF @ 6V
  • Рассеивание мощности
    320mW
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-SMD, Flat Leads
  • Исполнение корпуса
    TUMT6
  • Base Product Number
    US6J11

Техническая документация

 US6J11TR.pdf
pdf. 0 kb
  • 7008 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    176 ₽
  • 100
    71 ₽
  • 1000
    50 ₽
  • 6000
    41 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    US6J11TR
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6Все характеристики

Минимальная цена US6J11TR при покупке от 1 шт 176.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить US6J11TR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание US6J11TR

US6J11TR ROHM Semiconductor Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VGS(th)): 6 V
    • Максимальное напряжение между полюсами (VDS): 12 V
    • Максимальный ток нагрузки (ID): 1.3 A
    • Количество каналов (P-Channel): 2
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря использованию технологии Trench-MOS
    • Малый ток утечки при отключенном состоянии
    • Скорость включения и выключения
  • Минусы:
    • Высокое напряжение включенного состояния может быть ограничено для некоторых приложений
    • Требует использования дополнительного диода для некоторых схем
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Регулировка тока
    • Изоляция сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Электротехнические устройства
    • Питание мобильных устройств
Выбрано: Показать

Характеристики US6J11TR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.3A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    260mOhm @ 1.3A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.4nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    290pF @ 6V
  • Рассеивание мощности
    320mW
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-SMD, Flat Leads
  • Исполнение корпуса
    TUMT6
  • Base Product Number
    US6J11

Техническая документация

 US6J11TR.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    US6M11TRТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
    176Кешбэк 26 баллов
    US6J11TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
    176Кешбэк 26 баллов
    QS5K2TRТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5
    180Кешбэк 27 баллов
    QH8MA2TCRТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
    180Кешбэк 27 баллов
    QS6M4TRТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
    181Кешбэк 27 баллов
    TT8J11TCRТранзистор: MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSST8
    183Кешбэк 27 баллов
    US6K4TRТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6
    187Кешбэк 28 баллов
    QS6J11TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
    187Кешбэк 28 баллов
    US6M1TRТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
    189Кешбэк 28 баллов
    QS6J1TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
    189Кешбэк 28 баллов
    HS8K11TBТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
    189Кешбэк 28 баллов
    US6K2TRТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6
    193Кешбэк 28 баллов
    QS6K1TRТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
    195Кешбэк 29 баллов
    US6M2TRТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
    198Кешбэк 29 баллов
    TT8J21TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 2.5A TSST8
    255Кешбэк 38 баллов
    SH8K41GZETBТранзистор: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP
    266Кешбэк 39 баллов
    QH8MA4TCRТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V TSMT8
    266Кешбэк 39 баллов
    QS8K21TRТранзистор: MOSFET 2N-CH 45V 4A TSMT8
    276Кешбэк 41 балл
    QS8J2TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
    280Кешбэк 42 балла
    SH8K12TB1Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOP
    295Кешбэк 44 балла
    QS8J4TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
    310Кешбэк 46 баллов
    QS8J1TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
    321Кешбэк 48 баллов
    HP8KA1TBТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 14A HSOP8
    333Кешбэк 49 баллов
    QS8K13TCRТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8
    357Кешбэк 53 балла
    SH8J62TB1Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SOP8
    361Кешбэк 54 балла
    SP8J2TBТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-SOIC
    363Кешбэк 54 балла
    SH8M41TB1Транзистор: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A SOP8
    364Кешбэк 54 балла
    QS8M51TRТранзистор: MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
    374Кешбэк 56 баллов
    QS8J5TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 5A TSMT8
    404Кешбэк 60 баллов
    SH8M24TB1Транзистор: MOSFET N/P-CH 45V 4.5A/3.5A SOP8
    420Кешбэк 63 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Одиночные IGBT транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторные модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диодные мосты
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы специального назначения
    Тиристоры - SCR - модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Модули драйверов питания
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП