Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
US6J11TR

US6J11TR

US6J11TR
;
US6J11TR

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена US6J11TR при покупке от 1 шт 171.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить US6J11TR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание US6J11TR

US6J11TR ROHM Semiconductor Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VGS(th)): 6 V
    • Максимальное напряжение между полюсами (VDS): 12 V
    • Максимальный ток нагрузки (ID): 1.3 A
    • Количество каналов (P-Channel): 2
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря использованию технологии Trench-MOS
    • Малый ток утечки при отключенном состоянии
    • Скорость включения и выключения
  • Минусы:
    • Высокое напряжение включенного состояния может быть ограничено для некоторых приложений
    • Требует использования дополнительного диода для некоторых схем
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Регулировка тока
    • Изоляция сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Электротехнические устройства
    • Питание мобильных устройств
Выбрано: Показать

Характеристики US6J11TR

Техническая документация

US6J11TR.pdf
pdf. 0 kb
  • 1008 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    171 ₽
  • 100
    69 ₽
  • 1000
    48 ₽
  • 6000
    38 ₽
  • 24000
    33 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена US6J11TR при покупке от 1 шт 171.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить US6J11TR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание US6J11TR

US6J11TR ROHM Semiconductor Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VGS(th)): 6 V
    • Максимальное напряжение между полюсами (VDS): 12 V
    • Максимальный ток нагрузки (ID): 1.3 A
    • Количество каналов (P-Channel): 2
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря использованию технологии Trench-MOS
    • Малый ток утечки при отключенном состоянии
    • Скорость включения и выключения
  • Минусы:
    • Высокое напряжение включенного состояния может быть ограничено для некоторых приложений
    • Требует использования дополнительного диода для некоторых схем
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Регулировка тока
    • Изоляция сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Электротехнические устройства
    • Питание мобильных устройств
Выбрано: Показать

Характеристики US6J11TR

Техническая документация

US6J11TR.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории