V30100CI-M3/P

V30100CI-M3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division — это траншеевая тяжелая мостовая диода.

• Основные параметры:
• Рейтингный ток (IR): 30 А
• Номинальное напряжение (VR): 100 В
• Тип: Траншеевый мостовой диод
• Материал: Si (Сilicon)

• Плюсы:
• Высокий рейтинговый ток и напряжение
• Эффективная конструкция траншеи для уменьшения сопротивления
• Низкий коэффициент тока при обратном токе (Vf)
• Высокая надежность и долговечность

• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с обычными диодами
• Требуют специального охлаждения при высоких нагрузках

• Общее назначение:
• Применяется в высоковольтных и высокотоковых системах, где требуется передача мощности.

• В каких устройствах применяется:
• Мощные преобразователи энергии
• Устройства управления двигателем
• Инверторы
• Системы питания
• Промышленное оборудование