Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
VRF152
  • В избранное
  • В сравнение
VRF152

VRF152

VRF152
;
VRF152

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    VRF152
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174Все характеристики

Минимальная цена VRF152 при покупке от 1 шт 19486.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить VRF152 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание VRF152

VRF152 Microchip Technology MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS(on)): 50В
    • Мощность (PD): 150Вт
    • Тип транзистора: N-канальный MOSFET
    • Применение: радиочастотная мощевая трансформация
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Способность работать при высоких напряжениях
    • Эффективность в радиочастотных приложениях
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения из-за высокой мощности
    • Могут быть проблемы с управлением при высоких частотах
  • Общее назначение:
    • Используется для усилений радиочастотных сигналов
    • Подходит для передачи радиосигналов на большие расстояния
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиостанции
    • Телевизионные трансляционные станции
    • Мобильные базовые станции
    • Устройства спутниковой связи
Выбрано: Показать

Характеристики VRF152

  • Тип транзистора
    N-Channel
  • Частота
    175MHz
  • Усиление
    14dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Current Rating (Amps)
    50µA
  • Тестовый ток
    250 mA
  • Мощность передачи
    150W
  • Нормальное напряжение
    130 V
  • Корпус
    M174
  • Исполнение корпуса
    M174
  • Base Product Number
    VRF152

Техническая документация

 VRF152.pdf
pdf. 0 kb
  • 9 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    19 486 ₽
  • 100
    13 383 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    VRF152
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174Все характеристики

Минимальная цена VRF152 при покупке от 1 шт 19486.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить VRF152 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание VRF152

VRF152 Microchip Technology MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS(on)): 50В
    • Мощность (PD): 150Вт
    • Тип транзистора: N-канальный MOSFET
    • Применение: радиочастотная мощевая трансформация
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Способность работать при высоких напряжениях
    • Эффективность в радиочастотных приложениях
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения из-за высокой мощности
    • Могут быть проблемы с управлением при высоких частотах
  • Общее назначение:
    • Используется для усилений радиочастотных сигналов
    • Подходит для передачи радиосигналов на большие расстояния
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиостанции
    • Телевизионные трансляционные станции
    • Мобильные базовые станции
    • Устройства спутниковой связи
Выбрано: Показать

Характеристики VRF152

  • Тип транзистора
    N-Channel
  • Частота
    175MHz
  • Усиление
    14dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Current Rating (Amps)
    50µA
  • Тестовый ток
    250 mA
  • Мощность передачи
    150W
  • Нормальное напряжение
    130 V
  • Корпус
    M174
  • Исполнение корпуса
    M174
  • Base Product Number
    VRF152

Техническая документация

 VRF152.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    AFT18S230SR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V NI-780S-6
    31 673Кешбэк 4 750 баллов
    MRFE6VP6600NR3Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V OM780-4
    32 105Кешбэк 4 815 баллов
    A2T21H360-24SR6Транзистор: IC TRANS RF LDMOS
    40 427Кешбэк 6 064 балла
    MRFE6VP5600HSR5Транзистор: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S
    45 563Кешбэк 6 834 балла
    AFT18P350-4S2LR6Транзистор: FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230
    51 562Кешбэк 7 734 балла
    CLF1G0035-100PUТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V LDMOST
    54 987Кешбэк 8 248 баллов
    BLL6H1214L-250,112Транзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502A
    59 274Кешбэк 8 891 балл
    MRFE6VP5600HR6Транзистор: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230
    60 310Кешбэк 9 046 баллов
    MRF6VP2600HR5Транзистор: FET RF 2CH 110V 225MHZ NI-1230
    66 001Кешбэк 9 900 баллов
    MRFE6VP61K25HSR5Транзистор: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S
    66 737Кешбэк 10 010 баллов
    MRFE6VP61K25HR5Транзистор: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230
    72 752Кешбэк 10 912 баллов
    BLF988S,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B
    81 052Кешбэк 12 157 баллов
    MRFE6VP6300HR5Транзистор: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4
    98 640Кешбэк 14 796 баллов
    MRFE6VP5600HR5Транзистор: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230
    155 981Кешбэк 23 397 баллов
    MRF6V12500HR5Транзистор: FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H
    175 238Кешбэк 26 285 баллов
    AFV121KHR5Транзистор: IC TRANS RF LDMOS
    239 492Кешбэк 35 923 балла
    2SK3720-5-TB-EТранзистор: N-CHANNEL MOSFET
    56Кешбэк 8 баллов
    MRFE6VP5150NR1Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V TO270
    9 574Кешбэк 1 436 баллов
    NE3512S02-T1C-AТранзистор: HJ-FET NCH 13.5DB S02
    178Кешбэк 26 баллов
    NE3510M04-T2-AТранзистор: FET RF 4V 4GHZ M04
    204Кешбэк 30 баллов
    NE3503M04-T2-AТранзистор: FET RF 4V 12GHZ M04
    224Кешбэк 33 балла
    NE55410GR-T3-AZТранзистор: FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP
    1 099Кешбэк 164 балла
    CGHV1F006SТранзистор: RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
    14 390Кешбэк 2 158 баллов
    CGH40010FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440166
    17 841Кешбэк 2 676 баллов
    CGH40010PRF MOSFET HEMT 28V 440196
    22 704Кешбэк 3 405 баллов
    CGH40035FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440193
    55 982Кешбэк 8 397 баллов
    CGHV40050FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440193
    64 838Кешбэк 9 725 баллов
    CGHV40100FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440193
    68 595Кешбэк 10 289 баллов
    CGHV35150FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440193
    97 456Кешбэк 14 618 баллов
    CGH40120FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440193
    109 305Кешбэк 16 395 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - ВЧ
    Симисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды силовые
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Принадлежности
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Модули драйверов питания
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП