Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
VRF154FL
  • В избранное
  • В сравнение
VRF154FL

VRF154FL

VRF154FL
;
VRF154FL

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    VRF154FL
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET RF PWR N-CH 50V 600W T2Все характеристики

Минимальная цена VRF154FL при покупке от 1 шт 80033.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить VRF154FL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание VRF154FL

VRF154FL Microchip Technology MOSFET RF PWR N-CH 50V 600W T2

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 50В
    • Номинальная мощность: 600Вт
    • Тип: N-канальный MOSFET для радиочастотной (RF) мощности
    • Коллекторный ток: 15А
    • Тип корпуса: T2
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность в радиочастотном диапазоне
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и легкий вес
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при работе на полной мощности
    • Необходимо соблюдать правила установки и размещения для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Используется в системах передачи радиочастотных сигналов
    • Подходит для применения в радиостанциях, базовых станциях мобильной связи и других устройствах, требующих высокую мощность передачи
  • Применение:
    • Базовые станции сотовой связи
    • Радиостанции и системы коммуникаций
    • Маршрутизаторы и другие устройства беспроводной связи
Выбрано: Показать

Характеристики VRF154FL

  • Тип транзистора
    N-Channel
  • Частота
    80MHz
  • Усиление
    17dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Current Rating (Amps)
    4mA
  • Тестовый ток
    800 mA
  • Мощность передачи
    600W
  • Нормальное напряжение
    170 V
  • Корпус
    T2
  • Исполнение корпуса
    T2
  • Base Product Number
    VRF154

Техническая документация

 VRF154FL.pdf
pdf. 0 kb
  • 10 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    80 033 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    VRF154FL
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET RF PWR N-CH 50V 600W T2Все характеристики

Минимальная цена VRF154FL при покупке от 1 шт 80033.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить VRF154FL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание VRF154FL

VRF154FL Microchip Technology MOSFET RF PWR N-CH 50V 600W T2

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 50В
    • Номинальная мощность: 600Вт
    • Тип: N-канальный MOSFET для радиочастотной (RF) мощности
    • Коллекторный ток: 15А
    • Тип корпуса: T2
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность в радиочастотном диапазоне
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и легкий вес
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при работе на полной мощности
    • Необходимо соблюдать правила установки и размещения для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Используется в системах передачи радиочастотных сигналов
    • Подходит для применения в радиостанциях, базовых станциях мобильной связи и других устройствах, требующих высокую мощность передачи
  • Применение:
    • Базовые станции сотовой связи
    • Радиостанции и системы коммуникаций
    • Маршрутизаторы и другие устройства беспроводной связи
Выбрано: Показать

Характеристики VRF154FL

  • Тип транзистора
    N-Channel
  • Частота
    80MHz
  • Усиление
    17dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Current Rating (Amps)
    4mA
  • Тестовый ток
    800 mA
  • Мощность передачи
    600W
  • Нормальное напряжение
    170 V
  • Корпус
    T2
  • Исполнение корпуса
    T2
  • Base Product Number
    VRF154

Техническая документация

 VRF154FL.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    PD57070-EТранзистор
    11 366Кешбэк 1 704 балла
    BLF7G27LS-140,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B
    21 535Кешбэк 3 230 баллов
    BLF10H6600PSUТранзистор: RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B
    37 737Кешбэк 5 660 баллов
    CGHV35150FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440193
    97 456Кешбэк 14 618 баллов
    MRF154Транзистор: FET RF 125V 100MHZ 368-03
    188 422Кешбэк 28 263 балла
    BLF7G27LS-90P,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1121B
    14 792Кешбэк 2 218 баллов
    UF2820PТранзистор: MOSFET 20W 28V 100-500MHZ
    26 397Кешбэк 3 959 баллов
    SD2931-11WТранзистор: IC TRANS RF HF/VHF/UHF
    15 642Кешбэк 2 346 баллов
    SD2942WТранзистор: IC TRANS RF HF/VHF/UHF M244
    30 912Кешбэк 4 636 баллов
    MRFG35010AR5Транзистор: RF POWER N-CHANNEL, MOSFET
    12 870Кешбэк 1 930 баллов
    BLF578,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 24DB SOT539A
    79 870Кешбэк 11 980 баллов
    BLF8G10LS-270V,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244B
    16 767Кешбэк 2 515 баллов
    BLF7G24LS-160P,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539B
    23 898Кешбэк 3 584 балла
    MRFE6VP5150NR1Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V TO270
    9 574Кешбэк 1 436 баллов
    ARF476FLТранзистор: RF FET N CH 500V 10A PSH PUL PR
    29 344Кешбэк 4 401 балл
    ARF475FLТранзистор: RF PWR MOSFET 500V 10A
    27 866Кешбэк 4 179 баллов
    VRF154FLТранзистор: MOSFET RF PWR N-CH 50V 600W T2
    80 033Кешбэк 12 004 балла
    BLD6G21L-50,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130A
    16 131Кешбэк 2 419 баллов
    BLF7G24L-160P,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539A
    25 948Кешбэк 3 892 балла
    CGHV59350FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440217
    428 047Кешбэк 64 207 баллов
    BLP05H635XRYТранзистор: RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232
    7 629Кешбэк 1 144 балла
    VRF152Транзистор: MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174
    19 486Кешбэк 2 922 балла
    MRF157Транзистор: FET RF 125V 80MHZ 368-03 1=1PC
    193 924Кешбэк 29 088 баллов
    BLF6G38LS-50,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT502B
    17 621Кешбэк 2 643 балла
    BF1009SRE6327HTSA1Транзистор: MOSFET N-CH 12V 25MA SOT-143R
    6 947Кешбэк 1 042 балла
    2N5486Транзистор: JFET N-CH 25V 30MA TO92
    441Кешбэк 66 баллов
    ARF463AGТранзистор: RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247
    7 674Кешбэк 1 151 балл
    MWT-773Транзистор: FET RF 5V 26GHZ PKG 73
    10 681Кешбэк 1 602 балла
    BLF2425M7LS140,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
    26 795Кешбэк 4 019 баллов
    BLS6G2731S-120,112Транзистор: RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502B
    40 870Кешбэк 6 130 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Драйверы питания - Модули
    Диоды силовые
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - ВЧ
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Симисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - мостовые выпрямители
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП