Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
VS-12EWH06FN-M3
  • В избранное
  • В сравнение
VS-12EWH06FN-M3

VS-12EWH06FN-M3

VS-12EWH06FN-M3
;
VS-12EWH06FN-M3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    VS-12EWH06FN-M3
  • Описание:
    Диод: DIODE GEN PURP 600V 12A TO252Все характеристики

Минимальная цена VS-12EWH06FN-M3 при покупке от 1 шт 85.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить VS-12EWH06FN-M3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание VS-12EWH06FN-M3

VS-12EWH06FN-M3 Vishay General Semiconductor - Диод

  • Назначение: Общего назначения
  • Напряжение обратного восстановления: 600 В
  • Ток прямого тока: 12 А
  • Форм-фактор: TO252

Плюсы:

  • Высокое напряжение: Допустимо до 600 В.
  • Высокий ток: Подходит для высокотоковых приложений.
  • Стабильность: Хорошая термическая стабильность.
  • Прочность: Высокая механическая прочность корпуса TO252.

Минусы:

  • Энергетическая эффективность: При больших токах может быть низкой из-за потерь на восстановление.
  • Габариты: Корпус TO252 занимает значительное пространство.

Общее назначение: Используется в различных электронных устройствах, где требуется управление током или защита от обратного тока. Применяется в источниках питания, преобразователях энергии, драйверах и других системах.

Выбрано: Показать

Характеристики VS-12EWH06FN-M3

  • Package
    Tube
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    12A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    2.5 V @ 12 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 600 V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    TO-252, (D-Pak)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    12EWH06

Техническая документация

 VS-12EWH06FN-M3.pdf
pdf. 0 kb
  • 1338 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    85 ₽
  • 100
    83 ₽
  • 1000
    82 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    VS-12EWH06FN-M3
  • Описание:
    Диод: DIODE GEN PURP 600V 12A TO252Все характеристики

Минимальная цена VS-12EWH06FN-M3 при покупке от 1 шт 85.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить VS-12EWH06FN-M3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание VS-12EWH06FN-M3

VS-12EWH06FN-M3 Vishay General Semiconductor - Диод

  • Назначение: Общего назначения
  • Напряжение обратного восстановления: 600 В
  • Ток прямого тока: 12 А
  • Форм-фактор: TO252

Плюсы:

  • Высокое напряжение: Допустимо до 600 В.
  • Высокий ток: Подходит для высокотоковых приложений.
  • Стабильность: Хорошая термическая стабильность.
  • Прочность: Высокая механическая прочность корпуса TO252.

Минусы:

  • Энергетическая эффективность: При больших токах может быть низкой из-за потерь на восстановление.
  • Габариты: Корпус TO252 занимает значительное пространство.

Общее назначение: Используется в различных электронных устройствах, где требуется управление током или защита от обратного тока. Применяется в источниках питания, преобразователях энергии, драйверах и других системах.

Выбрано: Показать

Характеристики VS-12EWH06FN-M3

  • Package
    Tube
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    12A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    2.5 V @ 12 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 600 V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    TO-252, (D-Pak)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    12EWH06

Техническая документация

 VS-12EWH06FN-M3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NSR0340HT1GДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOD323
    15.4Кешбэк 2 балла
    BAS21HT1
    15.8Кешбэк 2 балла
    FDLL3595DIODE GEN PURP 125V 200MA SOD80
    16.8Кешбэк 2 балла
    BAS20LT1GДиод: DIODE GP 200V 200MA SOT23-3
    16.8Кешбэк 2 балла
    NTS245SFT1GDIODE SCHOTTKY 45V 2A SOD123FL
    18Кешбэк 2 балла
    BAS16XV2T5GДиод: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523
    18Кешбэк 2 балла
    RB520S30T5GDIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523
    18.8Кешбэк 2 балла
    MMBD914LT3GDIODE GP 100V 200MA SOT23-3
    19Кешбэк 2 балла
    MMSD4448Диод: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123
    19Кешбэк 2 балла
    MMBD6050LT3GDIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23-3
    19Кешбэк 2 балла
    1N914BTRДиод: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
    19Кешбэк 2 балла
    1N4454TRDIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
    19Кешбэк 2 балла
    1N914ATRДиод: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
    19Кешбэк 2 балла
    SBAS16HT3GДиод: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323
    19Кешбэк 2 балла
    1N4454HIGH CONDUCTANCE ULTRA FAST DIOD
    19Кешбэк 2 балла
    SBAS21LT3GДиод: DIODE GP 250V 200MA SOT23-3
    19Кешбэк 2 балла
    SMMBD914LT1GДиод: DIODE GP 100V 200MA SOT23-3
    19Кешбэк 2 балла
    BAS16HT3GДиод: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323
    19Кешбэк 2 балла
    SBAS21LT1GДиод: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23
    19Кешбэк 2 балла
    BAS20LT3GDIODE GP 200V 200MA SOT23-3
    19Кешбэк 2 балла
    SBAS20LT1GДиод: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23
    19Кешбэк 2 балла
    BAS21AHT1GДиод: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
    19Кешбэк 2 балла
    SBAS116LT1GДиод: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
    19Кешбэк 2 балла
    FDLL914ARECTIFIER DIODE, 0.2A, 100V, DO-
    19Кешбэк 2 балла
    FDLL914Диод: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD80
    19Кешбэк 2 балла
    BAS21LT3GДиод: DIODE GP 250V 200MA SOT23-3
    19Кешбэк 2 балла
    BAS19LT3GДиод: DIODE GP 120V 200MA SOT23-3
    19Кешбэк 2 балла
    BAS16LT3GДиод: DIODE GP 100V 200MA SOT23-3
    19Кешбэк 2 балла
    MMSD914T3GDIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123
    19Кешбэк 2 балла
    1N4447DIODE GEN PURP 100V DO35
    19Кешбэк 2 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы специального назначения
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Модули драйверов питания
    Диоды силовые
    Высокочастотные диоды
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диодные мосты
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторные модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Модули триодных тиристоров
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП