Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
VS-12EWH06FN-M3
  • В избранное
  • В сравнение
VS-12EWH06FN-M3

VS-12EWH06FN-M3

VS-12EWH06FN-M3
;
VS-12EWH06FN-M3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    VS-12EWH06FN-M3
  • Описание:
    Диод: DIODE GEN PURP 600V 12A TO252Все характеристики

Минимальная цена VS-12EWH06FN-M3 при покупке от 1 шт 85.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить VS-12EWH06FN-M3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание VS-12EWH06FN-M3

VS-12EWH06FN-M3 Vishay General Semiconductor - Диод

  • Назначение: Общего назначения
  • Напряжение обратного восстановления: 600 В
  • Ток прямого тока: 12 А
  • Форм-фактор: TO252

Плюсы:

  • Высокое напряжение: Допустимо до 600 В.
  • Высокий ток: Подходит для высокотоковых приложений.
  • Стабильность: Хорошая термическая стабильность.
  • Прочность: Высокая механическая прочность корпуса TO252.

Минусы:

  • Энергетическая эффективность: При больших токах может быть низкой из-за потерь на восстановление.
  • Габариты: Корпус TO252 занимает значительное пространство.

Общее назначение: Используется в различных электронных устройствах, где требуется управление током или защита от обратного тока. Применяется в источниках питания, преобразователях энергии, драйверах и других системах.

Выбрано: Показать

Характеристики VS-12EWH06FN-M3

  • Package
    Tube
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    12A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    2.5 V @ 12 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 600 V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    TO-252, (D-Pak)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    12EWH06

Техническая документация

 VS-12EWH06FN-M3.pdf
pdf. 0 kb
  • 2369 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    85 ₽
  • 75
    81 ₽
  • 150
    81 ₽
  • 525
    79 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    VS-12EWH06FN-M3
  • Описание:
    Диод: DIODE GEN PURP 600V 12A TO252Все характеристики

Минимальная цена VS-12EWH06FN-M3 при покупке от 1 шт 85.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить VS-12EWH06FN-M3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание VS-12EWH06FN-M3

VS-12EWH06FN-M3 Vishay General Semiconductor - Диод

  • Назначение: Общего назначения
  • Напряжение обратного восстановления: 600 В
  • Ток прямого тока: 12 А
  • Форм-фактор: TO252

Плюсы:

  • Высокое напряжение: Допустимо до 600 В.
  • Высокий ток: Подходит для высокотоковых приложений.
  • Стабильность: Хорошая термическая стабильность.
  • Прочность: Высокая механическая прочность корпуса TO252.

Минусы:

  • Энергетическая эффективность: При больших токах может быть низкой из-за потерь на восстановление.
  • Габариты: Корпус TO252 занимает значительное пространство.

Общее назначение: Используется в различных электронных устройствах, где требуется управление током или защита от обратного тока. Применяется в источниках питания, преобразователях энергии, драйверах и других системах.

Выбрано: Показать

Характеристики VS-12EWH06FN-M3

  • Package
    Tube
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    12A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    2.5 V @ 12 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 600 V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    TO-252, (D-Pak)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    12EWH06

Техническая документация

 VS-12EWH06FN-M3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    VFT1045BP-M3/4WДиод: DIODE SCHOTTKY 45V 10A ITO220AC
    232Кешбэк 34 балла
    ESH1DHE3_A/HDIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
    106Кешбэк 15 баллов
    SS8P3LHM3_A/IDIODE SCHOTTKY 30V 8A TO277A
    122Кешбэк 18 баллов
    VB10150S-E3/8WDIODE SCHOTTKY 150V 10A TO263AB
    89Кешбэк 13 баллов
    S2J-E3/5BTDIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA
    78Кешбэк 11 баллов
    SE70PGHM3_A/HDIODE GEN PURP 400V 2.9A TO277A
    163Кешбэк 24 балла
    GI758-E3/54Диод: DIODE GEN PURP 800V 6A P600
    230Кешбэк 34 балла
    SBYV26C-E3/73Диод: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
    120Кешбэк 18 баллов
    RGL41G-E3/96DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
    83Кешбэк 12 баллов
    P300J-E3/54DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
    65Кешбэк 9 баллов
    V8P20-M3/86ADIODE SCHOTTKY 200V 2.2A TO277A
    157Кешбэк 23 балла
    BYG22B-E3/TR3DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC
    104Кешбэк 15 баллов
    SS10PH45HM3_A/HДиод: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A
    154Кешбэк 23 балла
    RGP30M-E3/73DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
    454Кешбэк 68 баллов
    SB260-E3/73DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO204AC
    83Кешбэк 12 баллов
    GI501-E3/54Диод: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
    111Кешбэк 16 баллов
    B340A-M3/61TDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC
    74Кешбэк 11 баллов
    RGP15J-E3/73DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO204AC
    209Кешбэк 31 балл
    GL34AHE3/98DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA
    124Кешбэк 18 баллов
    GP30M-E3/54DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
    345Кешбэк 51 балл
    SS10P6-M3/87ADIODE SCHOTTKY 60V 7A TO277A
    69Кешбэк 10 баллов
    MSE1PJHM3J/89ADIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMP
    85Кешбэк 12 баллов
    B350A-E3/61TDIODE SCHOTTKY 50V 3A DO214AC
    74Кешбэк 11 баллов
    1N3613GP-E3/54DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
    61Кешбэк 9 баллов
    SSB44HE3_A/IДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 4A DO214AA
    52Кешбэк 7 баллов
    GPP20J-E3/73Диод: DIODE GEN PURP 600V 2A DO204AC
    67Кешбэк 10 баллов
    EGF1A-E3/5CADIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA
    156Кешбэк 23 балла
    RGP02-12E-E3/54DIODE GEN PURP 1.2KV 500MA DO204
    61Кешбэк 9 баллов
    AU3PK-M3/86ADIODE AVALANCHE 800V 1.4A TO277A
    209Кешбэк 31 балл
    UG1B-E3/73DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
    126Кешбэк 18 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Принадлежности
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - JFET
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП