Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
VS-1N1200RA
  • В избранное
  • В сравнение
VS-1N1200RA

VS-1N1200RA диод выпрямительный, Standard, 100В, 12А

VS-1N1200RA
;
VS-1N1200RA

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    VS-1N1200RA
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AAВсе характеристики

Минимальная цена VS-1N1200RA при покупке от 1 шт 1558.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить VS-1N1200RA с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание VS-1N1200RA

VS-1N1200RA Vishay Semiconductors DIODE GEN PURP 100В 12А DO203AA

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 100В
    • Номинальный ток: 12А
    • Тип: Общего назначения (Gen. Purp.)
    • Маркировка: DO203AA
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность
    • Устойчивость к обратному напряжению
    • Малый размер
    • Надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Могут быть чувствительны к перегреву
    • Не предназначены для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного напряжения в электрических цепях
    • Конвертация напряжений
    • Регулирование напряжения
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы
    • Электронные блоки управления
    • Системы питания
    • Инверторы
    • Блоки питания
Выбрано: Показать

Характеристики VS-1N1200RA

  • Тип диода
    Standard, Reverse Polarity
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    100 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    12A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.35 V @ 12 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    2.5 mA @ 100 V
  • Вид монтажа
    Chassis, Stud Mount
  • Корпус
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Исполнение корпуса
    DO-203AA (DO-4)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 200°C
  • Base Product Number
    1N1200

Техническая документация

 VS-1N1200RA.pdf
pdf. 0 kb
  • 17 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 558 ₽
  • 10
    1 246 ₽
  • 100
    889 ₽
  • 500
    802 ₽
  • 1000
    792 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    VS-1N1200RA
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AAВсе характеристики

Минимальная цена VS-1N1200RA при покупке от 1 шт 1558.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить VS-1N1200RA с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание VS-1N1200RA

VS-1N1200RA Vishay Semiconductors DIODE GEN PURP 100В 12А DO203AA

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 100В
    • Номинальный ток: 12А
    • Тип: Общего назначения (Gen. Purp.)
    • Маркировка: DO203AA
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность
    • Устойчивость к обратному напряжению
    • Малый размер
    • Надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Могут быть чувствительны к перегреву
    • Не предназначены для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного напряжения в электрических цепях
    • Конвертация напряжений
    • Регулирование напряжения
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы
    • Электронные блоки управления
    • Системы питания
    • Инверторы
    • Блоки питания
Выбрано: Показать

Характеристики VS-1N1200RA

  • Тип диода
    Standard, Reverse Polarity
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    100 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    12A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.35 V @ 12 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    2.5 mA @ 100 V
  • Вид монтажа
    Chassis, Stud Mount
  • Корпус
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Исполнение корпуса
    DO-203AA (DO-4)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 200°C
  • Base Product Number
    1N1200

Техническая документация

 VS-1N1200RA.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    VS-HFA08PB120-N3Диод: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO247AC
    1 280Кешбэк 192 балла
    VS-25FR80DIODE GEN PURP 800V 25A DO203AA
    1 296Кешбэк 194 балла
    VS-12F10Диод: DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA
    1 308Кешбэк 196 баллов
    VS-50PF40WDIODE GEN PURP 400V 50A DO203AB
    1 308Кешбэк 196 баллов
    VS-16FR60DIODE GEN PURP 600V 16A DO203AA
    1 314Кешбэк 197 баллов
    VS-1N1206AДиод: DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA
    1 316Кешбэк 197 баллов
    VS-25F40DIODE GEN PURP 400V 25A DO203AA
    1 316Кешбэк 197 баллов
    VS-16FR80DIODE GEN PURP 800V 16A DO203AA
    1 335Кешбэк 200 баллов
    VS-80PF80DIODE GEN PURP 800V 80A DO203AB
    1 345Кешбэк 201 балл
    VS-12FR80DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA
    1 369Кешбэк 205 баллов
    VS-6FR40DIODE GEN PURP 400V 6A DO203AA
    1 373Кешбэк 205 баллов
    VS-6F60DIODE GEN PURP 600V 6A DO203AA
    1 373Кешбэк 205 баллов
    VS-30EPH03-N3DIODE GEN PURP 300V 30A TO247AC
    1 375Кешбэк 206 баллов
    VS-40HF20Диод: DIODE GEN PURP 200V 40A DO203AB
    1 385Кешбэк 207 баллов
    VS-40EPF06-M3DIODE GEN PURP 600V 40A TO247AC
    1 389Кешбэк 208 баллов
    VS-16F60DIODE GEN PURP 600V 16A DO203AA
    1 389Кешбэк 208 баллов
    VS-40HF10DIODE GEN PURP 100V 40A DO203AB
    1 425Кешбэк 213 баллов
    VS-80PFR80WДиод: DIODE GEN PURP 800V 80A DO203AB
    1 437Кешбэк 215 баллов
    VS-1N3624DIODE GEN PURP 700V 12A DO203AA
    1 449Кешбэк 217 баллов
    VS-80PFR80Диод: DIODE GEN PURP 800V 80A DO203AB
    1 451Кешбэк 217 баллов
    VS-HFA30PB120-N3Диод: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AC
    1 470Кешбэк 220 баллов
    VS-1N1183DIODE GEN PURP 50V 35A DO203AB
    1 482Кешбэк 222 балла
    VS-1N3208DIODE GEN PURP 50V 15A DO203AB
    1 486Кешбэк 222 балла
    VS-70HF10Диод: DIODE GEN PURP 100V 70A DO203AB
    1 538Кешбэк 230 баллов
    VS-HFA16PB120-N3Диод: DIODE GEN PURP 1.2KV 16A TO247AC
    1 542Кешбэк 231 балл
    VS-1N1184RADIODE GEN PURP 100V 40A DO203AB
    1 548Кешбэк 232 балла
    VS-1N1200RADIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA
    1 558Кешбэк 233 балла
    VS-60EPU02-N3DIODE GEN PURP 200V 60A TO247AC
    1 576Кешбэк 236 баллов
    VS-40HF100DIODE GEN PURP 1KV 40A DO203AB
    1 595Кешбэк 239 баллов
    VS-100BGQ015HF4DIODE SCHOTTKY 15V 100A POWERTAB
    1 615Кешбэк 242 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторные модули
    Модули драйверов питания
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Симисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    IGBT транзисторы
    Диоды силовые
    Транзисторы специального назначения
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Модули
    Симисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные триодные тиристоры
    Диодные мосты
    Сборки биполярных транзисторов
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR
    Варикапы и Варакторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП