Вход/Регистрация
SE10FJHM3/IDIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
VS-2EMH01-M3/5AT
VS-2EMH01-M3/5AT
- Производитель:Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Артикул:VS-2EMH01-M3/5AT
- Описание:DIODE GEN PURP 100V 2A SMAВсе характеристики
Минимальная цена VS-2EMH01-M3/5AT при покупке от 1 шт 63.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить VS-2EMH01-M3/5AT с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 21793 шт3-6 недель
- КоличествоЦена
- 163 ₽
- 10034 ₽
- 100020.3 ₽
- 750012.8 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Артикул:VS-2EMH01-M3/5AT
- Описание:DIODE GEN PURP 100V 2A SMAВсе характеристики
Минимальная цена VS-2EMH01-M3/5AT при покупке от 1 шт 63.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить VS-2EMH01-M3/5AT с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание VS-2EMH01-M3/5AT
VS-2EMH01-M3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division DIODE GEN PURP 100В 2А SMA
- Основные параметры:
- Тип: Общего назначения
- Номинальное напряжение: 100В
- Номинальный ток: 2А
- Сопротивление при срабатывании: 500 мОм
- Температурный диапазон: -40°C до +125°C
- Форм-фактор: SMA (SMA)
- Плюсы:
- Высокая надежность и долговечность
- Устойчивость к высоким температурам
- Малый размер
- Высокая скорость срабатывания
- Легкость интеграции в различные устройства
- Минусы:
- Не предназначены для высокочастотных приложений
- Могут перегореть при превышении номинального тока
- Общее назначение:
- Защита электронных устройств от обратного напряжения
- Распределение сигналов в радиоэлектронных устройствах
- Контроль потенциалов в различных системах
- Применение:
- Радиоприемники и передатчики
- Автомобильные системы
- Инверторы и преобразователи
- Энергосберегающие устройства
- Системы управления
Выбрано: Показать
Характеристики VS-2EMH01-M3/5AT
Техническая документация
VS-2EMH01-M3/5AT.pdf pdf. 0 kb