Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диодные мосты
VS-36MT80
  • В избранное
  • В сравнение
VS-36MT80

VS-36MT80

VS-36MT80
;
VS-36MT80

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    VS-36MT80
  • Описание:
    BRIDGE RECT 3PHASE 800V 35A D-63Все характеристики

Минимальная цена VS-36MT80 при покупке от 1 шт 3337.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить VS-36MT80 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание VS-36MT80

VS-36MT80 VISHAY BRIDGE RECT 3PHASE 800V 35A D-63

  • Основные параметры:
    • Напряжение: 800В
    • Ток: 35А
    • Фазы: 3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Компактный размер
    • Эффективное управление тепловым распределением
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами диодов
    • Необходимо соблюдение правил установки для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Преобразование трехфазного напряжения в однофазное
    • Защита электрических систем от обратного тока
    • Использование в источниках питания для преобразования трехфазного напряжения в постоянное
  • В каких устройствах применяется:
    • Промышленные преобразователи частоты
    • Электроприводы
    • Системы управления энергией
    • Автомобильные инверторы
    • Большие электронные системы и установки
Выбрано: Показать

Характеристики VS-36MT80

  • Тип диода
    Three Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    35 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 800 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    QC Terminal
  • Корпус
    5-Square, D-63
  • Исполнение корпуса
    D-63
  • Base Product Number
    36MT80

Техническая документация

 VS-36MT80.pdf
pdf. 0 kb
  • 21 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    3 337 ₽
  • 3
    3 005 ₽
  • 5
    2 749 ₽
  • 10
    2 653 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    VS-36MT80
  • Описание:
    BRIDGE RECT 3PHASE 800V 35A D-63Все характеристики

Минимальная цена VS-36MT80 при покупке от 1 шт 3337.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить VS-36MT80 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание VS-36MT80

VS-36MT80 VISHAY BRIDGE RECT 3PHASE 800V 35A D-63

  • Основные параметры:
    • Напряжение: 800В
    • Ток: 35А
    • Фазы: 3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Компактный размер
    • Эффективное управление тепловым распределением
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами диодов
    • Необходимо соблюдение правил установки для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Преобразование трехфазного напряжения в однофазное
    • Защита электрических систем от обратного тока
    • Использование в источниках питания для преобразования трехфазного напряжения в постоянное
  • В каких устройствах применяется:
    • Промышленные преобразователи частоты
    • Электроприводы
    • Системы управления энергией
    • Автомобильные инверторы
    • Большие электронные системы и установки
Выбрано: Показать

Характеристики VS-36MT80

  • Тип диода
    Three Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    35 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 800 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    QC Terminal
  • Корпус
    5-Square, D-63
  • Исполнение корпуса
    D-63
  • Base Product Number
    36MT80

Техническая документация

 VS-36MT80.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BU1006A-E3/45BRIDGE RECT 1P 600V 3A BU
    768Кешбэк 115 баллов
    BU1208-M3/45BRIDGE RECT 1P 800V 12A BU
    768Кешбэк 115 баллов
    BU1006-E3/45BRIDGE RECT 1P 600V 3.2A BU
    768Кешбэк 115 баллов
    GSIB2060-E3/45Диод: BRIDGE RECT 1P 600V 3.5A GSIB-5S
    784Кешбэк 117 баллов
    GSIB2080-E3/45BRIDGE RECT 1P 800V 3.5A GSIB-5S
    786Кешбэк 117 баллов
    BU1508-E3/51BRIDGE RECT 1P 800V 3.4A BU
    796Кешбэк 119 баллов
    BU1510-M3/45BRIDGE RECT 1P 1KV 15A BU
    806Кешбэк 120 баллов
    KBU6K-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A KBU
    857Кешбэк 128 баллов
    KBU6D-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A KBU
    869Кешбэк 130 баллов
    PB3006-E3/45BRIDGE RECT 1P 600V 30A PB
    884Кешбэк 132 балла
    BU2510-E3/51BRIDGE RECT 1P 1KV 3.5A BU
    928Кешбэк 139 баллов
    PB3510-E3/45BRIDGE RECT 1P 1KV 35A PB
    933Кешбэк 139 баллов
    GSIB2580N-M3/45Диод: BRIDGE RECT 1P 800V 25A GSIB-5S
    961Кешбэк 144 балла
    PB3008-E3/45BRIDGE RECT 1P 800V 30A PB
    965Кешбэк 144 балла
    KBU6G-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A KBU
    979Кешбэк 146 баллов
    KBU6A-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 50V 6A KBU
    981Кешбэк 147 баллов
    KBU4A-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A KBU
    983Кешбэк 147 баллов
    PB5008-E3/45BRIDGE RECT 1P 800V 45A PB
    985Кешбэк 147 баллов
    GBPC2501W-E4/51BRIDGE RECT 1P 100V 25A GBPC-W
    1 118Кешбэк 167 баллов
    GBPC1210-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 12A GBPC
    1 134Кешбэк 170 баллов
    GBPC2502W-E4/51BRIDGE RECT 1P 200V 25A GBPC-W
    1 230Кешбэк 184 балла
    GBPC2508-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 800V 25A GBPC
    1 238Кешбэк 185 баллов
    GBPC1501-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 100V 15A GBPC
    1 238Кешбэк 185 баллов
    GBPC1204W-E4/51BRIDGE RECT 1P 400V 12A GBPC-W
    1 238Кешбэк 185 баллов
    GBPC1502W-E4/51BRIDGE RECT 1P 200V 15A GBPC-W
    1 256Кешбэк 188 баллов
    GBPC3504W-E4/51BRIDGE RECT 1P 400V 35A GBPC-W
    1 256Кешбэк 188 баллов
    GBPC1202W-E4/51BRIDGE RECT 1P 200V 12A GBPC-W
    1 256Кешбэк 188 баллов
    GBPC3502W-E4/51BRIDGE RECT 1P 200V 35A GBPC-W
    1 273Кешбэк 190 баллов
    GBPC3501-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 100V 35A GBPC
    1 289Кешбэк 193 балла
    KBU6B-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A KBU
    1 315Кешбэк 197 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR
    IGBT транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули драйверов питания
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы специального назначения
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторные модули
    Модули триодных тиристоров
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные триодные тиристоры
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Симисторы
    Модули драйверов питания
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП