Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранители
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - модули
VS-GT100DA120UF
  • В избранное
  • В сравнение
VS-GT100DA120UF

VS-GT100DA120UF

VS-GT100DA120UF
;
VS-GT100DA120UF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    VS-GT100DA120UF
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 1200V 187A 890W SOT227Все характеристики

Минимальная цена VS-GT100DA120UF при покупке от 1 шт 7708.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить VS-GT100DA120UF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание VS-GT100DA120UF

VS-GT100DA120UF Vishay General Semiconductor - Diodes Division Транзистор: IGBT MOD 1200V 187A 890W SOT227

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 1200В
    • Максимальный ток: 187А
    • Мощность при непрерывной нагрузке: 890Вт
    • Форм-фактор: SOT227
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Стабильная работа при высоких температурах
    • Эффективность в различных приложениях
    • Малый размер и легкость в интеграции
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными транзисторами
    • Требует дополнительных компонентов для защиты и управления
  • Общее назначение:
    • Используется в системах управления электропитанием
    • Применяется в промышленном оборудовании
    • Входит в состав систем синхронного преобразования
    • Используется в автомобилях для управления электрическими моторами
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Системы синхронного преобразования
    • Промышленное оборудование (сварочные аппараты, станки)
    • Электронные системы управления мощностью
Выбрано: Показать

Характеристики VS-GT100DA120UF

  • Package
    Bulk
  • Тип IGBT
    Trench
  • Конфигурация
    Single
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    187 A
  • Рассеивание мощности
    890 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.55V @ 15V, 100A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100 µA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    6.15 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Исполнение корпуса
    SOT-227
  • Base Product Number
    GT100

Техническая документация

 VS-GT100DA120UF.pdf
pdf. 0 kb
  • 49 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    7 708 ₽
  • 10
    5 761 ₽
  • 100
    5 254 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    VS-GT100DA120UF
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 1200V 187A 890W SOT227Все характеристики

Минимальная цена VS-GT100DA120UF при покупке от 1 шт 7708.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить VS-GT100DA120UF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание VS-GT100DA120UF

VS-GT100DA120UF Vishay General Semiconductor - Diodes Division Транзистор: IGBT MOD 1200V 187A 890W SOT227

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 1200В
    • Максимальный ток: 187А
    • Мощность при непрерывной нагрузке: 890Вт
    • Форм-фактор: SOT227
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Стабильная работа при высоких температурах
    • Эффективность в различных приложениях
    • Малый размер и легкость в интеграции
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными транзисторами
    • Требует дополнительных компонентов для защиты и управления
  • Общее назначение:
    • Используется в системах управления электропитанием
    • Применяется в промышленном оборудовании
    • Входит в состав систем синхронного преобразования
    • Используется в автомобилях для управления электрическими моторами
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Системы синхронного преобразования
    • Промышленное оборудование (сварочные аппараты, станки)
    • Электронные системы управления мощностью
Выбрано: Показать

Характеристики VS-GT100DA120UF

  • Package
    Bulk
  • Тип IGBT
    Trench
  • Конфигурация
    Single
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    187 A
  • Рассеивание мощности
    890 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.55V @ 15V, 100A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100 µA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    6.15 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Исполнение корпуса
    SOT-227
  • Base Product Number
    GT100

Техническая документация

 VS-GT100DA120UF.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FP75R12KT4B11BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 75A 385W
    18 187Кешбэк 2 728 баллов
    FP30R06W1E3B11BOMA1Транзистор: IGBT MODULE 600V 37A 115W
    6 504Кешбэк 975 баллов
    FS820R08A6P2LBBPSA1Транзистор: IGBT MODULE 820A HYBRID PK DRIVE
    65 233Кешбэк 9 784 балла
    FP25R12W1T7BOMA1Транзистор: LOW POWER EASY AG-EASY1B-1
    8 010Кешбэк 1 201 балл
    FS25R12W1T4B11BOMA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 45A 205W
    5 928Кешбэк 889 баллов
    FS400R07A1E3S7BOMA1Транзистор: IGBT MODULE
    53 699Кешбэк 8 054 балла
    FP35R12KT4B11BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 35A 210W
    15 799Кешбэк 2 369 баллов
    FP30R06KE3BPSA1Транзистор: LOW POWER ECONO AG-ECONO2C-311
    12 044Кешбэк 1 806 баллов
    FS660R08A6P2FBBPSA1Транзистор: HYBRID PACK DRIVE
    58 013Кешбэк 8 701 балл
    FF600R07ME4BPSA1Транзистор: GBT MODULE 650V 600A
    30 658Кешбэк 4 598 баллов
    FZ800R17KF4CNOSA1Транзистор: IGBT MODULE
    167 100Кешбэк 25 065 баллов
    FZ600R12KE3HOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 900A 2800W
    26 658Кешбэк 3 998 баллов
    FF1200R17KP4B2NOSA2Транзистор: IGBT MODULE 1700V 1200A
    215 533Кешбэк 32 329 баллов
    FF400R12KE3HOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 580A 2000W
    31 474Кешбэк 4 721 балл
    F3L225R07W2H3PB63BPSA1Транзистор: MODULE IGBT 700V EASY2B-2
    11 838Кешбэк 1 775 баллов
    FZ600R17KE3S4HOSA1Транзистор: IGBT MOD 1700V 1200A 3150W
    34 484Кешбэк 5 172 балла
    FF450R12ME4B11BPSA2Транзистор: MEDIUM POWER ECONO AG-ECONOD-411
    26 234Кешбэк 3 935 баллов
    FS200R12N3T7BPSA1Транзистор: LOW POWER ECONO AG-ECONO3-4
    20 848Кешбэк 3 127 баллов
    FF200R12KT4HOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 320A 1100W
    16 596Кешбэк 2 489 баллов
    FD1200R17HP4KB2BOSA2Транзистор: IGBT MODULE 1700V 1200A
    248 363Кешбэк 37 254 балла
    FB20R06W1E3BOMA1Транзистор: IGBT MODULE 600V 29A 94W
    5 680Кешбэк 852 балла
    FP25R12W1T7B11BPSA1Транзистор: IGBT MODULE 1200V 25A 20MW EASY
    7 193Кешбэк 1 078 баллов
    FF2MR12W3M1HB11BPSA1Транзистор: LOW POWER EASY AG-EASY3B-3111
    85 072Кешбэк 12 760 баллов
    F3L11MR12W2M1B74BOMA1Транзистор: LOW POWER EASY
    24 890Кешбэк 3 733 балла
    FF600R07ME4B11BPSA1Транзистор: MEDIUM POWER ECONO
    24 593Кешбэк 3 688 баллов
    FP10R12W1T4B3BOMA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 20A 105W
    6 130Кешбэк 919 баллов
    FP50R12KT4PBPSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 100A 20MW
    14 223Кешбэк 2 133 балла
    FS75R12W2T4B11BOMA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 107A 375W
    11 859Кешбэк 1 778 баллов
    FS150R12N2T7B15BPSA1Транзистор: LOW POWER ECONO
    19 191Кешбэк 2 878 баллов
    FP15R12W1T4PB11BPSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 30A 20MW
    8 139Кешбэк 1 220 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы специального назначения
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды силовые
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Модули драйверов питания
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули триодных тиристоров
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Симисторы - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторные модули
    Варикапы и Варакторы
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП