Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
VT6M1T2CR
  • В избранное
  • В сравнение
VT6M1T2CR

VT6M1T2CR

VT6M1T2CR
;
VT6M1T2CR

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    VT6M1T2CR
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6Все характеристики

Минимальная цена VT6M1T2CR при покупке от 1 шт 70.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить VT6M1T2CR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание VT6M1T2CR

VT6M1T2CR ROHM Semiconductor Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (N/P-канальный)
    • Номинальное напряжение: 20В
    • Номинальный ток: 0.1А
    • Тип: VMT6
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий ток дrain-to-source при отключенном транзисторе
    • Устойчивость к импульсным нагрузкам
  • Минусы:
    • Низкий номинальный ток (0.1А)
    • Не подходит для высоковольтных или высокотоковых приложений
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых и аналоговых схемах
    • Переключение низковольтных сигналов
    • Управление низкотоковыми нагрузками
  • В каких устройствах применяется:
    • Пульты дистанционного управления
    • Электронные часы и другие низкосиловые устройства
    • Игрушки с электронными функциями
    • Маломощные усилители
Выбрано: Показать

Характеристики VT6M1T2CR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate, 1.2V Drive
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    100mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 100µA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    7.1pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    120mW
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-SMD, Flat Leads
  • Исполнение корпуса
    VMT6
  • Base Product Number
    VT6M1

Техническая документация

 VT6M1T2CR.pdf
pdf. 0 kb
  • 426 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    70 ₽
  • 10
    43 ₽
  • 100
    30.3 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    VT6M1T2CR
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6Все характеристики

Минимальная цена VT6M1T2CR при покупке от 1 шт 70.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить VT6M1T2CR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание VT6M1T2CR

VT6M1T2CR ROHM Semiconductor Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (N/P-канальный)
    • Номинальное напряжение: 20В
    • Номинальный ток: 0.1А
    • Тип: VMT6
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий ток дrain-to-source при отключенном транзисторе
    • Устойчивость к импульсным нагрузкам
  • Минусы:
    • Низкий номинальный ток (0.1А)
    • Не подходит для высоковольтных или высокотоковых приложений
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых и аналоговых схемах
    • Переключение низковольтных сигналов
    • Управление низкотоковыми нагрузками
  • В каких устройствах применяется:
    • Пульты дистанционного управления
    • Электронные часы и другие низкосиловые устройства
    • Игрушки с электронными функциями
    • Маломощные усилители
Выбрано: Показать

Характеристики VT6M1T2CR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate, 1.2V Drive
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    100mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 100µA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    7.1pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    120mW
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-SMD, Flat Leads
  • Исполнение корпуса
    VMT6
  • Base Product Number
    VT6M1

Техническая документация

 VT6M1T2CR.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    AO4614BТранзистор: MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC
    164Кешбэк 24 балла
    AO4842Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 8-SOIC
    180Кешбэк 27 баллов
    FDC6322CТранзистор: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
    134Кешбэк 20 баллов
    FDW2511NZТранзистор: N-CHANNEL POWER MOSFET
    81Кешбэк 12 баллов
    FDW2501NТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    221Кешбэк 33 балла
    FDW2508PТранзистор: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
    129Кешбэк 19 баллов
    NDS9953AТранзистор: P-CHANNEL POWER MOSFET
    167Кешбэк 25 баллов
    FDC6320CТранзистор: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    64Кешбэк 9 баллов
    FDW2512NZТранзистор: N-CHANNEL POWER MOSFET
    134Кешбэк 20 баллов
    FDW2506PТранзистор: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
    156Кешбэк 23 балла
    FDY2001PZТранзистор: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
    18.4Кешбэк 2 балла
    FDZ2553NТранзистор: N-CHANNEL POWER MOSFET
    158Кешбэк 23 балла
    FDW2503NZТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    134Кешбэк 20 баллов
    FDW2516NZТранзистор: N-CHANNEL POWER MOSFET
    70Кешбэк 10 баллов
    FDZ2554PТранзистор: P-CHANNEL POWER MOSFET
    349Кешбэк 52 балла
    FDC6302PТранзистор: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    74Кешбэк 11 баллов
    FDM3300NZТранзистор: N-CHANNEL POWER MOSFET
    460Кешбэк 69 баллов
    NDH8304PТранзистор: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
    188Кешбэк 28 баллов
    FDC6304PТранзистор: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    64Кешбэк 9 баллов
    FDMS3616SТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    224Кешбэк 33 балла
    FDS3601Транзистор: N-CHANNEL POWER MOSFET
    90Кешбэк 13 баллов
    FDC6432SHТранзистор: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
    118Кешбэк 17 баллов
    FDMA1025PТранзистор: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
    77Кешбэк 11 баллов
    NDS9936Транзистор: N-CHANNEL POWER MOSFET
    158Кешбэк 23 балла
    FDW9926NZТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    70Кешбэк 10 баллов
    FDW2507NТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    123Кешбэк 18 баллов
    NDS9947Транзистор: P-CHANNEL POWER MOSFET
    188Кешбэк 28 баллов
    FDS9933Транзистор: P-CHANNEL POWER MOSFET
    107Кешбэк 16 баллов
    FDW2510NZТранзистор: N-CHANNEL POWER MOSFET
    175Кешбэк 26 баллов
    NDM3000Транзистор: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
    360Кешбэк 54 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Симисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды силовые
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Принадлежности
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП