Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные IGBT транзисторы
WG50N65DHWQ
  • В избранное
  • В сравнение
WG50N65DHWQ

WG50N65DHWQ

WG50N65DHWQ
;
WG50N65DHWQ

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    WeEn Semiconductors
  • Артикул:
    WG50N65DHWQ
  • Описание:
    Транзистор: IGBT TRENCH FD ST 650V 91A TO247Все характеристики

Минимальная цена WG50N65DHWQ при покупке от 1 шт 866.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить WG50N65DHWQ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание WG50N65DHWQ

WG50N65DHWQ WeEn Semiconductors ИГБТ TRENCH FD ST 650В 91А TO247

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (UD(on)): 650В
    • Номинальный ток (ID(on)): 91А
    • Пакет: TO247
    • Тип: TRENCH FD ST (Trench Field-Stop)
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе с высокими напряжениями и токами
    • Малый размер и легкость за счет использования технологии trench
    • Низкий уровень шума и искажений сигнала
    • Устойчивость к перегрузкам и скачкам напряжения
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует более сложного проектирования системы охлаждения
  • Общее назначение:
    • Используется в промышленных преобразователях мощности
    • Применяется в системах управления двигателей
    • Входит в состав силовых блоков для источников бесперебойного питания
    • Используется в системах зарядки аккумуляторов
  • В каких устройствах применяется:
    • Промышленные преобразователи
    • Автомобильные системы питания
    • Системы управления электродвигателями
    • Источники бесперебойного питания
    • Системы энергосбережения
Выбрано: Показать

Характеристики WG50N65DHWQ

  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    91 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    200 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2V @ 15V, 50A
  • Рассеивание мощности
    278 W
  • Энергия переключения
    1.7mJ (on), 600µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    160 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    66ns/163ns
  • Условие испытаний
    400V, 50A, 10Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    105 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3

Техническая документация

 WG50N65DHWQ.pdf
pdf. 0 kb
  • 548 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    866 ₽
  • 10
    484 ₽
  • 100
    399 ₽
  • 600
    382 ₽
  • 1200
    350 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    WeEn Semiconductors
  • Артикул:
    WG50N65DHWQ
  • Описание:
    Транзистор: IGBT TRENCH FD ST 650V 91A TO247Все характеристики

Минимальная цена WG50N65DHWQ при покупке от 1 шт 866.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить WG50N65DHWQ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание WG50N65DHWQ

WG50N65DHWQ WeEn Semiconductors ИГБТ TRENCH FD ST 650В 91А TO247

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (UD(on)): 650В
    • Номинальный ток (ID(on)): 91А
    • Пакет: TO247
    • Тип: TRENCH FD ST (Trench Field-Stop)
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе с высокими напряжениями и токами
    • Малый размер и легкость за счет использования технологии trench
    • Низкий уровень шума и искажений сигнала
    • Устойчивость к перегрузкам и скачкам напряжения
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует более сложного проектирования системы охлаждения
  • Общее назначение:
    • Используется в промышленных преобразователях мощности
    • Применяется в системах управления двигателей
    • Входит в состав силовых блоков для источников бесперебойного питания
    • Используется в системах зарядки аккумуляторов
  • В каких устройствах применяется:
    • Промышленные преобразователи
    • Автомобильные системы питания
    • Системы управления электродвигателями
    • Источники бесперебойного питания
    • Системы энергосбережения
Выбрано: Показать

Характеристики WG50N65DHWQ

  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    91 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    200 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2V @ 15V, 50A
  • Рассеивание мощности
    278 W
  • Энергия переключения
    1.7mJ (on), 600µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    160 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    66ns/163ns
  • Условие испытаний
    400V, 50A, 10Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    105 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3

Техническая документация

 WG50N65DHWQ.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RGTV00TK65DGC11Транзистор: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 658Кешбэк 248 баллов
    RGTVX2TS65DGC11Транзистор: 650V 60A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 704Кешбэк 255 баллов
    RGS80TS65DHRC11Транзистор: 8US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
    1 751Кешбэк 262 балла
    RGS50TSX2DGC11Транзистор: 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12
    1 751Кешбэк 262 балла
    RGS50TSX2DHRC11Транзистор: 1200V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 759Кешбэк 263 балла
    RGTVX6TS65DGC11Транзистор: IGBT
    1 917Кешбэк 287 баллов
    RGS00TS65EHRC11Транзистор: 8US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
    1 930Кешбэк 289 баллов
    RGT50TS65DGC13Транзистор: 5US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
    1 977Кешбэк 296 баллов
    RGC80TSX8RGC11Транзистор: IGBT
    1 989Кешбэк 298 баллов
    RGT60TS65DGC13Транзистор: 5US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
    2 086Кешбэк 312 баллов
    RGS80TSX2GC11Транзистор: 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12
    2 109Кешбэк 316 баллов
    RGS80TSX2HRC11Транзистор: 1200V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
    2 232Кешбэк 334 балла
    RGS80TSX2DGC11Транзистор: 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12
    2 492Кешбэк 373 балла
    RGS80TSX2DHRC11Транзистор: 1200V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
    2 663Кешбэк 399 баллов
    RGW80TS65CHRC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    2 753Кешбэк 412 баллов
    WG50N65DHWQТранзистор: IGBT TRENCH FD ST 650V 91A TO247
    866Кешбэк 129 баллов
    AOD5B65N1Транзистор: IGBT 650V 5A TO252
    156Кешбэк 23 балла
    AOTF10B60D2Транзистор: IGBT 600V 10A TO-220F
    245Кешбэк 36 баллов
    AOK40B65H2ALТранзистор: IGBT 650V 40A TO-247
    412Кешбэк 61 балл
    AOK50B65H1Транзистор: IGBT 650V 50A TO-247
    785Кешбэк 117 баллов
    AOK30B120D2Транзистор: IGBT 1200V 30A TO-247
    927Кешбэк 139 баллов
    AOK75B65H1Транзистор: IGBT 650V 75A TO-247
    1 045Кешбэк 156 баллов
    NTE3300Транзистор: IGBT-N-CHAN ENHANCEMENT
    1 565Кешбэк 234 балла
    RJP4005ANS-01#Q1Транзистор: IGBTS, 400V, 150A, N-CHANNEL
    287Кешбэк 43 балла
    RJP6055DPP-90#T2Транзистор: IGBT 630V, 40A FOR PLASMA TV
    332Кешбэк 49 баллов
    RJP43F4ADPP-90#T2FТранзистор: IGBT 430V, 40A FOR PLASMA TV
    431Кешбэк 64 балла
    RJP63F3ADPP-B1#T2FТранзистор: N CH IGBT
    460Кешбэк 69 баллов
    RJP43F4ADPP-MB#T2FТранзистор: IGBT 430V, 40A FOR PLASMA TV
    538Кешбэк 80 баллов
    RJP63F3DPP-Z0#T2Транзистор: N CH IGBT
    547Кешбэк 82 балла
    RJP65T43DPQ-A0#T2Транзистор: IGBT TRENCH 650V 60A TO247A
    1 717Кешбэк 257 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторные модули
    Симисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Сборки биполярных транзисторов
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Полевые транзисторы - Сборки
    Модули триодных тиристоров
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП