Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
XK1R9F10QB,LXGQ
  • В избранное
  • В сравнение
XK1R9F10QB,LXGQ

XK1R9F10QB,LXGQ

XK1R9F10QB,LXGQ
;
XK1R9F10QB,LXGQ

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    XK1R9F10QB,LXGQ
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 160A TO220SMВсе характеристики

Минимальная цена XK1R9F10QB,LXGQ при покупке от 1 шт 887.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить XK1R9F10QB,LXGQ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание XK1R9F10QB,LXGQ

XK1R9F10QB, LXGQ Toshiba MOSFET N-Ч 100В 160А TO220SM — это тип MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с ненасыщенным каналом N-типа. Давайте рассмотрим его основные параметры, преимущества и недостатки, а также область применения.

  • Напряжение резистивности: 100В
  • Размер токового тока: 160А
  • Тип корпуса: TO220SM
  • Тип канала: N-Ч

Плюсы:

  • Высокая проводимость при открытом состоянии
  • Малый ток утечки при закрытом состоянии
  • Малые потери энергии при работе
  • Быстрая скорость переключения
  • Устойчивость к электрическим шумам

Минусы:

  • Высокие требования к проектированию системы охлаждения из-за возможного нагрева
  • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от ударов напряжения
  • Сложность в выборе параметров для работы в различных условиях

Общее назначение: MOSFETs используются в различных приложениях, где требуется управление током с минимальными потерями энергии. Они применяются в:

  • Автомобильной электронике
  • Промышленной электронике
  • Электронных системах питания
  • Инверторах и преобразователях напряжения
  • Устройствах управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики XK1R9F10QB,LXGQ

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    160A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.92mOhm @ 80A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    184 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    11500 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    375W (Tc)
  • Рабочая температура
    175°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-220SM(W)
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    XK1R9F10

Техническая документация

 XK1R9F10QB,LXGQ.pdf
pdf. 0 kb
  • 606 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    887 ₽
  • 10
    597 ₽
  • 100
    430 ₽
  • 500
    417 ₽
  • 1000
    339 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    XK1R9F10QB,LXGQ
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 160A TO220SMВсе характеристики

Минимальная цена XK1R9F10QB,LXGQ при покупке от 1 шт 887.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить XK1R9F10QB,LXGQ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание XK1R9F10QB,LXGQ

XK1R9F10QB, LXGQ Toshiba MOSFET N-Ч 100В 160А TO220SM — это тип MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с ненасыщенным каналом N-типа. Давайте рассмотрим его основные параметры, преимущества и недостатки, а также область применения.

  • Напряжение резистивности: 100В
  • Размер токового тока: 160А
  • Тип корпуса: TO220SM
  • Тип канала: N-Ч

Плюсы:

  • Высокая проводимость при открытом состоянии
  • Малый ток утечки при закрытом состоянии
  • Малые потери энергии при работе
  • Быстрая скорость переключения
  • Устойчивость к электрическим шумам

Минусы:

  • Высокие требования к проектированию системы охлаждения из-за возможного нагрева
  • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от ударов напряжения
  • Сложность в выборе параметров для работы в различных условиях

Общее назначение: MOSFETs используются в различных приложениях, где требуется управление током с минимальными потерями энергии. Они применяются в:

  • Автомобильной электронике
  • Промышленной электронике
  • Электронных системах питания
  • Инверторах и преобразователях напряжения
  • Устройствах управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики XK1R9F10QB,LXGQ

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    160A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.92mOhm @ 80A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    184 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    11500 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    375W (Tc)
  • Рабочая температура
    175°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-220SM(W)
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    XK1R9F10

Техническая документация

 XK1R9F10QB,LXGQ.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    TK6R7A10PL,S4XX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
    457Кешбэк 68 баллов
    TPHR9003NL1,LQUMOS9 SOP-ADV(N) PD=78W F=1MHZ
    459Кешбэк 68 баллов
    TK4R4P06PL,RQMOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
    460Кешбэк 69 баллов
    TPH4R10ANL,L1QMOSFET N-CH 100V 92A/70A 8SOP
    462Кешбэк 69 баллов
    TPH2R408QM,L1QMOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
    470Кешбэк 70 баллов
    TK5R1A08QM,S4XUMOS10 TO-220SIS 80V 5.1MOHM
    472Кешбэк 70 баллов
    XPH3R206NC,L1XHQMOSFET N-CH 60V 70A 8SOP
    482Кешбэк 72 балла
    TPHR7904PB,L1XHQMOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
    494Кешбэк 74 балла
    TK380P60Y,RQMOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK
    503Кешбэк 75 баллов
    TK290P65Y,RQMOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
    503Кешбэк 75 баллов
    TK33S10N1L,LQMOSFET N-CH 100V 33A DPAK
    511Кешбэк 76 баллов
    TK560A65Y,S4XMOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS
    523Кешбэк 78 баллов
    TK1R5R04PB,LXGQMOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
    546Кешбэк 81 балл
    TK290A65Y,S4XMOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS
    548Кешбэк 82 балла
    TK3R2E06PL,S1XX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
    550Кешбэк 82 балла
    TK290A60Y,S4XMOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS
    562Кешбэк 84 балла
    XPW4R10ANB,L1XHQMOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101
    593Кешбэк 88 баллов
    TK4R1A10PL,S4XX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
    614Кешбэк 92 балла
    TK3R2A08QM,S4XUMOS10 TO-220SIS 80V 3.2MOHM
    670Кешбэк 100 баллов
    TK17A65W,S5XX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
    727Кешбэк 109 баллов
    TK430A60F,S4X(SMOSFET N-CH
    737Кешбэк 110 баллов
    TK160F10N1L,LQMOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
    742Кешбэк 111 баллов
    TK2R4A08QM,S4XUMOS10 TO-220SIS 80V 2.4MOHM
    744Кешбэк 111 баллов
    TPW1R005PL,L1QMOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP
    769Кешбэк 115 баллов
    TK190A65Z,S4XТранзистор: MOSFET N-CH 650V 15A TO220SIS
    816Кешбэк 122 балла
    TK10A80W,S4XMOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS
    847Кешбэк 127 баллов
    XK1R9F10QB,LXGQMOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
    890Кешбэк 133 балла
    TK190U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ
    894Кешбэк 134 балла
    TK160F10N1L,LXGQMOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
    905Кешбэк 135 баллов
    TK12A80W,S4XMOSFET N-CH 800V 11.5A TO220SIS
    909Кешбэк 136 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - JFET
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Модули триодных тиристоров
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные IGBT транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Модули драйверов питания
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды силовые
    Сборки биполярных транзисторов
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Симисторы - Модули
    Транзисторные модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП