Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
XPW4R10ANB,L1XHQ
  • В избранное
  • В сравнение
XPW4R10ANB,L1XHQ

XPW4R10ANB,L1XHQ

XPW4R10ANB,L1XHQ
;
XPW4R10ANB,L1XHQ

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    XPW4R10ANB,L1XHQ
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101Все характеристики

Минимальная цена XPW4R10ANB,L1XHQ при покупке от 1 шт 591.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить XPW4R10ANB,L1XHQ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание XPW4R10ANB,L1XHQ

XPW4R10ANB, L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Номинальное напряжение: 100В
    • Номинальный ток: 70А
    • Стандарт качества: AEC-Q101
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря стандарту AEC-Q101
    • Высокий коэффициент срабатывания
    • Малый ток стояночного тока
    • Эффективная работа при высоких температурах
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее дорогими вариантами
    • Требует дополнительного проектирования для обеспечения надежности работы
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах с высоким напряжением и током
    • Применяется в системах питания, преобразователях и регуляторах напряжения
    • Подходит для тяжелых нагрузок и высоких температур
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания и управления
    • Питание серверных систем и критически важных устройств
    • Промышленное оборудование с высокой мощностью
    • Системы энергосбережения и преобразования энергии
Выбрано: Показать

Характеристики XPW4R10ANB,L1XHQ

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    70A
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.1mOhm @ 35A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    75 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4970 pF @ 10 V
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Рассеивание мощности (Макс)
    170W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-DSOP Advance
  • Корпус
    8-PowerVDFN

Техническая документация

 XPW4R10ANB,L1XHQ.pdf
pdf. 0 kb
  • 4774 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    591 ₽
  • 10
    384 ₽
  • 100
    265 ₽
  • 500
    223 ₽
  • 1000
    213 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    XPW4R10ANB,L1XHQ
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101Все характеристики

Минимальная цена XPW4R10ANB,L1XHQ при покупке от 1 шт 591.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить XPW4R10ANB,L1XHQ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание XPW4R10ANB,L1XHQ

XPW4R10ANB, L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Номинальное напряжение: 100В
    • Номинальный ток: 70А
    • Стандарт качества: AEC-Q101
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря стандарту AEC-Q101
    • Высокий коэффициент срабатывания
    • Малый ток стояночного тока
    • Эффективная работа при высоких температурах
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее дорогими вариантами
    • Требует дополнительного проектирования для обеспечения надежности работы
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах с высоким напряжением и током
    • Применяется в системах питания, преобразователях и регуляторах напряжения
    • Подходит для тяжелых нагрузок и высоких температур
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания и управления
    • Питание серверных систем и критически важных устройств
    • Промышленное оборудование с высокой мощностью
    • Системы энергосбережения и преобразования энергии
Выбрано: Показать

Характеристики XPW4R10ANB,L1XHQ

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    70A
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.1mOhm @ 35A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    75 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4970 pF @ 10 V
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Рассеивание мощности (Макс)
    170W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-DSOP Advance
  • Корпус
    8-PowerVDFN

Техническая документация

 XPW4R10ANB,L1XHQ.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    TK6R7A10PL,S4XX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
    457Кешбэк 68 баллов
    TPHR9003NL1,LQUMOS9 SOP-ADV(N) PD=78W F=1MHZ
    459Кешбэк 68 баллов
    TK4R4P06PL,RQMOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
    460Кешбэк 69 баллов
    TPH4R10ANL,L1QMOSFET N-CH 100V 92A/70A 8SOP
    462Кешбэк 69 баллов
    TPH2R408QM,L1QMOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
    470Кешбэк 70 баллов
    TK5R1A08QM,S4XUMOS10 TO-220SIS 80V 5.1MOHM
    472Кешбэк 70 баллов
    XPH3R206NC,L1XHQMOSFET N-CH 60V 70A 8SOP
    482Кешбэк 72 балла
    TPHR7904PB,L1XHQMOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
    494Кешбэк 74 балла
    TK380P60Y,RQMOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK
    503Кешбэк 75 баллов
    TK290P65Y,RQMOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
    503Кешбэк 75 баллов
    TK33S10N1L,LQMOSFET N-CH 100V 33A DPAK
    511Кешбэк 76 баллов
    TK560A65Y,S4XMOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS
    523Кешбэк 78 баллов
    TK1R5R04PB,LXGQMOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
    546Кешбэк 81 балл
    TK290A65Y,S4XMOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS
    548Кешбэк 82 балла
    TK3R2E06PL,S1XX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
    550Кешбэк 82 балла
    TK290A60Y,S4XMOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS
    562Кешбэк 84 балла
    XPW4R10ANB,L1XHQMOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101
    593Кешбэк 88 баллов
    TK4R1A10PL,S4XX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
    614Кешбэк 92 балла
    TK3R2A08QM,S4XUMOS10 TO-220SIS 80V 3.2MOHM
    670Кешбэк 100 баллов
    TK17A65W,S5XX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
    727Кешбэк 109 баллов
    TK430A60F,S4X(SMOSFET N-CH
    737Кешбэк 110 баллов
    TK160F10N1L,LQMOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
    742Кешбэк 111 баллов
    TK2R4A08QM,S4XUMOS10 TO-220SIS 80V 2.4MOHM
    744Кешбэк 111 баллов
    TPW1R005PL,L1QMOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP
    769Кешбэк 115 баллов
    TK190A65Z,S4XТранзистор: MOSFET N-CH 650V 15A TO220SIS
    816Кешбэк 122 балла
    TK10A80W,S4XMOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS
    847Кешбэк 127 баллов
    XK1R9F10QB,LXGQMOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
    890Кешбэк 133 балла
    TK190U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ
    894Кешбэк 134 балла
    TK160F10N1L,LXGQMOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
    905Кешбэк 135 баллов
    TK12A80W,S4XMOSFET N-CH 800V 11.5A TO220SIS
    909Кешбэк 136 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные триодные тиристоры
    Модули драйверов питания
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты
    Симисторы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - JFET
    Транзисторные модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы специального назначения
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов
    Модули триодных тиристоров
    Диоды силовые
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - TRIACs
    Варикапы и Варакторы
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП