Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные биполярные транзисторы
ZUMTS17NTA
  • В избранное
  • В сравнение
ZUMTS17NTA

ZUMTS17NTA

ZUMTS17NTA
;
ZUMTS17NTA

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    ZUMTS17NTA
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT323Все характеристики

Минимальная цена ZUMTS17NTA при покупке от 1 шт 56.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ZUMTS17NTA с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ZUMTS17NTA

ZUMTS17NTA Diodes Incorporated Транзистор: RF TRANS NPN 11V 3.2GHz SOT323

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Максимальное напряжение питания: 11В
    • Максимальная частота: 3.2ГГц
    • Форм-фактор: SOT323
  • Плюсы:
    • Высокая скорость передачи сигнала до 3.2ГГц
    • Устойчивость к высоким напряжениям до 11В
    • Компактный размер благодаря форм-фактору SOT323
  • Минусы:
    • Высокие требования к рабочим условиям
    • Необходимо соблюдение специальных технических условий при использовании
  • Общее назначение:
    • Использование в радиосистемах и радиотехнике для усиления сигналов
    • Работа в радиочастотном диапазоне
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники и передатчики
    • Мобильные телефоны и другие беспроводные устройства
    • Системы спутниковой связи
    • Инфраструктура связи
Выбрано: Показать

Характеристики ZUMTS17NTA

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    11V
  • Трансформация частоты
    3.2GHz
  • Рассеивание мощности
    330mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    56 @ 5mA, 10V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    50mA
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    SOT-323
  • Base Product Number
    ZUMTS17

Техническая документация

 ZUMTS17NTA.pdf
pdf. 0 kb
  • 2903 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    56 ₽
  • 25
    34 ₽
  • 250
    27 ₽
  • 1000
    24.5 ₽
  • 6000
    22.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    ZUMTS17NTA
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT323Все характеристики

Минимальная цена ZUMTS17NTA при покупке от 1 шт 56.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ZUMTS17NTA с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ZUMTS17NTA

ZUMTS17NTA Diodes Incorporated Транзистор: RF TRANS NPN 11V 3.2GHz SOT323

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Максимальное напряжение питания: 11В
    • Максимальная частота: 3.2ГГц
    • Форм-фактор: SOT323
  • Плюсы:
    • Высокая скорость передачи сигнала до 3.2ГГц
    • Устойчивость к высоким напряжениям до 11В
    • Компактный размер благодаря форм-фактору SOT323
  • Минусы:
    • Высокие требования к рабочим условиям
    • Необходимо соблюдение специальных технических условий при использовании
  • Общее назначение:
    • Использование в радиосистемах и радиотехнике для усиления сигналов
    • Работа в радиочастотном диапазоне
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники и передатчики
    • Мобильные телефоны и другие беспроводные устройства
    • Системы спутниковой связи
    • Инфраструктура связи
Выбрано: Показать

Характеристики ZUMTS17NTA

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    11V
  • Трансформация частоты
    3.2GHz
  • Рассеивание мощности
    330mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    56 @ 5mA, 10V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    50mA
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    SOT-323
  • Base Product Number
    ZUMTS17

Техническая документация

 ZUMTS17NTA.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SS9018HBURF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3
    3.7Кешбэк 1 балл
    MMBTH11RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
    9.3Кешбэк 1 балл
    3MN03SF-TL-EТранзистор: BIP NPN 30MA 20V
    13Кешбэк 1 балл
    MMBTH10LT1
    13Кешбэк 1 балл
    MSC2295-CT1Транзистор: RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC59
    13Кешбэк 1 балл
    MSC2295-CT1GТранзистор: RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC59
    13Кешбэк 1 балл
    MSC2295-BT1GТранзистор: RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC59
    13Кешбэк 1 балл
    MPS3563GRF TRANS NPN 12V 1.5GHZ TO92
    13Кешбэк 1 балл
    15GN01CA-TB-EТранзистор: RF TRANS NPN 8V 1.5GHZ 3CP
    14.8Кешбэк 2 балла
    15GN01MA-TL-EТранзистор: RF TRANS NPN 8V 1.5GHZ 3MCP
    14.8Кешбэк 2 балла
    55GN01MA-TL-EТранзистор: RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3MCP
    16.7Кешбэк 2 балла
    MMBT5179Транзистор: RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT23-3
    18.5Кешбэк 2 балла
    MMBTH10LT1GТранзистор: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
    18.5Кешбэк 2 балла
    MMBTH10LT3GТранзистор: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
    18.5Кешбэк 2 балла
    2SC6023-TR-EТранзистор: NPN 35MA 3.5V FT=14.5G
    18.5Кешбэк 2 балла
    MMBTH10-4LT1GТранзистор: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
    18.5Кешбэк 2 балла
    BF959RL1GТранзистор: RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3
    18.5Кешбэк 2 балла
    MMBT918LT1GТранзистор: RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3
    20.4Кешбэк 3 балла
    MMBTH10M3T5GТранзистор: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723
    20.4Кешбэк 3 балла
    MCH3007-TL-HRF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH
    22.2Кешбэк 3 балла
    MMBTH81Транзистор: RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23-3
    22.2Кешбэк 3 балла
    2SC6024-TL-EТранзистор: BIP NPN 35MA 3.5V FT=14G
    22.2Кешбэк 3 балла
    KSP10TAТранзистор: RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3
    22.2Кешбэк 3 балла
    15GN03FA-TL-HТранзистор: TRANS NPN VHF-UHF 70A 10V SSFP
    24Кешбэк 3 балла
    CPH6021-TL-HRF TRANS NPN 12V 10GHZ 6CPH
    26Кешбэк 3 балла
    2SC5501A-4-TR-EТранзистор
    28Кешбэк 4 балла
    MCH4017-TL-HRF TRANS NPN 12V 10GHZ 4MCPH
    31.5Кешбэк 4 балла
    MCH4016-TL-HRF TRANS NPN 12V 10GHZ 4MCPH
    31.5Кешбэк 4 балла
    MPS3563RF TRANS NPN 12V 1.5GHZ TO92
    39Кешбэк 5 баллов
    2SC5231A-9-TL-EТранзистор: RF TRANS NPN 10V 7GHZ SMCP
    46Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - TRIACs
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Принадлежности
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные диоды
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - SCR
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды силовые
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП