Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные биполярные транзисторы
ZUMTS17NTA
  • В избранное
  • В сравнение
ZUMTS17NTA

ZUMTS17NTA

ZUMTS17NTA
;
ZUMTS17NTA

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    ZUMTS17NTA
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT323Все характеристики

Минимальная цена ZUMTS17NTA при покупке от 1 шт 59.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ZUMTS17NTA с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ZUMTS17NTA

ZUMTS17NTA Diodes Incorporated Транзистор: RF TRANS NPN 11V 3.2GHz SOT323

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Максимальное напряжение питания: 11В
    • Максимальная частота: 3.2ГГц
    • Форм-фактор: SOT323
  • Плюсы:
    • Высокая скорость передачи сигнала до 3.2ГГц
    • Устойчивость к высоким напряжениям до 11В
    • Компактный размер благодаря форм-фактору SOT323
  • Минусы:
    • Высокие требования к рабочим условиям
    • Необходимо соблюдение специальных технических условий при использовании
  • Общее назначение:
    • Использование в радиосистемах и радиотехнике для усиления сигналов
    • Работа в радиочастотном диапазоне
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники и передатчики
    • Мобильные телефоны и другие беспроводные устройства
    • Системы спутниковой связи
    • Инфраструктура связи
Выбрано: Показать

Характеристики ZUMTS17NTA

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    11V
  • Трансформация частоты
    3.2GHz
  • Рассеивание мощности
    330mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    56 @ 5mA, 10V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    50mA
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    SOT-323
  • Base Product Number
    ZUMTS17

Техническая документация

 ZUMTS17NTA.pdf
pdf. 0 kb
  • 2903 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    59 ₽
  • 25
    36 ₽
  • 250
    28.6 ₽
  • 1000
    26 ₽
  • 6000
    23.8 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    ZUMTS17NTA
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT323Все характеристики

Минимальная цена ZUMTS17NTA при покупке от 1 шт 59.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ZUMTS17NTA с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ZUMTS17NTA

ZUMTS17NTA Diodes Incorporated Транзистор: RF TRANS NPN 11V 3.2GHz SOT323

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Максимальное напряжение питания: 11В
    • Максимальная частота: 3.2ГГц
    • Форм-фактор: SOT323
  • Плюсы:
    • Высокая скорость передачи сигнала до 3.2ГГц
    • Устойчивость к высоким напряжениям до 11В
    • Компактный размер благодаря форм-фактору SOT323
  • Минусы:
    • Высокие требования к рабочим условиям
    • Необходимо соблюдение специальных технических условий при использовании
  • Общее назначение:
    • Использование в радиосистемах и радиотехнике для усиления сигналов
    • Работа в радиочастотном диапазоне
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники и передатчики
    • Мобильные телефоны и другие беспроводные устройства
    • Системы спутниковой связи
    • Инфраструктура связи
Выбрано: Показать

Характеристики ZUMTS17NTA

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    11V
  • Трансформация частоты
    3.2GHz
  • Рассеивание мощности
    330mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    56 @ 5mA, 10V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    50mA
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    SOT-323
  • Base Product Number
    ZUMTS17

Техническая документация

 ZUMTS17NTA.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SC5087R(TE85L,F)Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SMQ
    112Кешбэк 16 баллов
    2SC5085-O(TE85L,F)Транзистор: RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM
    120Кешбэк 18 баллов
    MMBTH10-7-FТранзистор: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
    19.7Кешбэк 2 балла
    ZUMTS17NTAТранзистор: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT323
    59Кешбэк 8 баллов
    BFS17NQTAТранзистор: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT23
    116Кешбэк 17 баллов
    BFG505/X,215Транзистор: RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B
    51Кешбэк 7 баллов
    BFU520XRRТранзистор: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143R
    63Кешбэк 9 баллов
    BFU530WFТранзистор: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
    108Кешбэк 16 баллов
    BFM505,115RF TRANS 2 NPN 8V 9GHZ 6TSSOP
    120Кешбэк 18 баллов
    BFU520XVLТранзистор: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
    130Кешбэк 19 баллов
    BFU530VLТранзистор: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
    132Кешбэк 19 баллов
    BFU530RТранзистор: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
    132Кешбэк 19 баллов
    BFU520WXТранзистор: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3
    145Кешбэк 21 балл
    BFU520RТранзистор: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
    153Кешбэк 22 балла
    BFU768F,115Транзистор: RF TRANS NPN 2.8V 70MA 4DFP
    155Кешбэк 23 балла
    BFU520YXТранзистор: RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ SOT363
    187Кешбэк 28 баллов
    BFU520YFТранзистор: RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ SOT363
    256Кешбэк 38 баллов
    BFU590QXТранзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT89-3
    346Кешбэк 51 балл
    SS9018FBUТранзистор: RF 0.05A, VERY HIGH FREQUENCY BA
    7.9Кешбэк 1 балл
    2N3663Транзистор: RF TRANS NPN 12V 2.1GHZ TO92-3
    7.9Кешбэк 1 балл
    SS9018GBUТранзистор: RF 0.05A, VERY HIGH FREQUENCY BA
    9.8Кешбэк 1 балл
    MMBTH10Транзистор: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
    9.8Кешбэк 1 балл
    PN3563Транзистор: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    13.8Кешбэк 2 балла
    MPSH11Транзистор: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    15.7Кешбэк 2 балла
    MMBTH10RGТранзистор: RF 0.05A, ULTRA HIGH FREQ BAND
    19.7Кешбэк 2 балла
    MPSH17Транзистор: TRANS NPN 15V TO-92
    19.7Кешбэк 2 балла
    MPSH10Транзистор: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    29.5Кешбэк 4 балла
    MMBTH34Транзистор: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    59Кешбэк 8 баллов
    HFA3134IHZ96Транзистор: RF TRANS 2 NPN 9V 8.5GHZ SOT23-6
    1 514Кешбэк 227 баллов
    HFA3096BZТранзистор: RF TRANS 12/15V 5.5GHZ 16SOIC
    2 408Кешбэк 361 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Модули драйверов питания
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диодные мосты - Модули
    Диодные мосты
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные IGBT транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Симисторы
    Транзисторные модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды силовые
    Диоды - ВЧ
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - JFET
    Сборки биполярных транзисторов
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Модули триодных тиристоров
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП