Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
ZXMN6A08E6QTA
  • В избранное
  • В сравнение
ZXMN6A08E6QTA

ZXMN6A08E6QTA

ZXMN6A08E6QTA
;
ZXMN6A08E6QTA

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    DIODES INC.
  • Артикул:
    ZXMN6A08E6QTA
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26Все характеристики

Минимальная цена ZXMN6A08E6QTA при покупке от 1 шт 184.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ZXMN6A08E6QTA с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ZXMN6A08E6QTA

ZXMN6A08E6QTA DIODES INC. MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26 — это полупроводниковый транзистор на основе MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с низким напряжением включения.

  • Основные параметры:
    • Напряжение включения VGS(th): не указано, но обычно для таких MOSFET это значение находится между 2 и 4 В
    • Номинальное напряжение VDS: 60 В
    • Номинальный ток ID: 2.8 А
    • Пакет: SOT26
  • Плюсы:
    • Малый размер и легкий вес благодаря компактному пакету SOT26
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Низкое значение тока течения при отключенном состоянии
    • Устойчивость к шумам и импульсным переносам
  • Минусы:
    • Могут быть ограничения по мощности при работе с высокими напряжениями и токами
    • Необходима корректная проектировка системы охлаждения из-за возможного нагрева при работе

Общее назначение: Используется в различных электронных устройствах, где требуется управление током при низком напряжении включения. Это может включать зарядные устройства, преобразователи напряжения, схемы управления мощностью, инверторы и другие приборы.

Применяется в:

  • Зарядных устройствах для смартфонов и планшетов
  • Инверторах для кондиционеров и холодильников
  • Преобразователях напряжения для ноутбуков и компьютеров
  • Микросхемах управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики ZXMN6A08E6QTA

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.8A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    80mOhm @ 4.8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5.8 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    459 pF @ 40 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.1W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-26
  • Корпус
    SOT-23-6
  • Base Product Number
    ZXMN6A08

Техническая документация

 ZXMN6A08E6QTA.pdf
pdf. 0 kb
  • 2943 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    184 ₽
  • 10
    134 ₽
  • 100
    89 ₽
  • 500
    81 ₽
  • 1000
    72 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    DIODES INC.
  • Артикул:
    ZXMN6A08E6QTA
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26Все характеристики

Минимальная цена ZXMN6A08E6QTA при покупке от 1 шт 184.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ZXMN6A08E6QTA с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ZXMN6A08E6QTA

ZXMN6A08E6QTA DIODES INC. MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26 — это полупроводниковый транзистор на основе MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с низким напряжением включения.

  • Основные параметры:
    • Напряжение включения VGS(th): не указано, но обычно для таких MOSFET это значение находится между 2 и 4 В
    • Номинальное напряжение VDS: 60 В
    • Номинальный ток ID: 2.8 А
    • Пакет: SOT26
  • Плюсы:
    • Малый размер и легкий вес благодаря компактному пакету SOT26
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Низкое значение тока течения при отключенном состоянии
    • Устойчивость к шумам и импульсным переносам
  • Минусы:
    • Могут быть ограничения по мощности при работе с высокими напряжениями и токами
    • Необходима корректная проектировка системы охлаждения из-за возможного нагрева при работе

Общее назначение: Используется в различных электронных устройствах, где требуется управление током при низком напряжении включения. Это может включать зарядные устройства, преобразователи напряжения, схемы управления мощностью, инверторы и другие приборы.

Применяется в:

  • Зарядных устройствах для смартфонов и планшетов
  • Инверторах для кондиционеров и холодильников
  • Преобразователях напряжения для ноутбуков и компьютеров
  • Микросхемах управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики ZXMN6A08E6QTA

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.8A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    80mOhm @ 4.8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5.8 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    459 pF @ 40 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.1W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-26
  • Корпус
    SOT-23-6
  • Base Product Number
    ZXMN6A08

Техническая документация

 ZXMN6A08E6QTA.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SJ651MOSFET P-CH 60V 20A TO220ML
    354Кешбэк 53 балла
    SI7172DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
    652Кешбэк 97 баллов
    HUF76419D3STMOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
    67Кешбэк 10 баллов
    IRF8788TRPBFMOSFET N-CH 30V 24A 8SO
    130Кешбэк 19 баллов
    DMN62D1LFD-7MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN
    22.2Кешбэк 3 балла
    STD17NF25MOSFET N-CH 250V 17A DPAK
    317Кешбэк 47 баллов
    BSL606SNH6327XTSA1MOSFET N-CH 60V 4.5A TSOP-6
    114Кешбэк 17 баллов
    IRFI9620GPBFТранзистор: MOSFET P-CH 200V 3A TO220-3
    504Кешбэк 75 баллов
    CSD16411Q3MOSFET N-CH 25V 14A/56A 8VSON
    256Кешбэк 38 баллов
    IRFR420ATRPBFMOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK
    421Кешбэк 63 балла
    IRLR3915TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
    333Кешбэк 49 баллов
    NTMFS5C604NLT3GMOSFET N-CH 60V 40A/287A 5DFN
    621Кешбэк 93 балла
    SI7110DN-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8
    465Кешбэк 69 баллов
    IRFRC20TRPBFMOSFET N-CH 600V 2A DPAK
    252Кешбэк 37 баллов
    AUIRF7675M2TRMOSFET N-CH 150V 4.4A DIRECTFET
    547Кешбэк 82 балла
    NTR3C21NZT3GMOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3
    56Кешбэк 8 баллов
    PSMN057-200B,118MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK
    663Кешбэк 99 баллов
    SUD20N10-66L-GE3MOSFET N-CH 100V 16.9A TO252
    113Кешбэк 16 баллов
    IPI70N04S406AKSA1Транзистор: MOSFET N-CH 40V 70A TO262-3
    163Кешбэк 24 балла
    IRFR9120NTRLPBFMOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
    128Кешбэк 19 баллов
    DMT8012LFG-7MOSFET N-CH 80V PWRDI3333
    206Кешбэк 30 баллов
    IRFR48ZTRLPBFMOSFET N-CH 55V 42A DPAK
    422Кешбэк 63 балла
    RSJ250P10TLMOSFET P-CH 100V 25A LPTS
    645Кешбэк 96 баллов
    IRF7749L1TRPBFMOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFET
    736Кешбэк 110 баллов
    RSR025N03TLMOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
    183Кешбэк 27 баллов
    IRFS7437TRLPBFТранзистор: MOSFET N CH 40V 195A D2PAK
    226Кешбэк 33 балла
    IRFR020TRPBFMOSFET N-CH 60V 14A DPAK
    374Кешбэк 56 баллов
    FDMC8360LMOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33
    432Кешбэк 64 балла
    FCD5N60TMMOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
    311Кешбэк 46 баллов
    PSMN5R0-80BS,118MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
    459Кешбэк 68 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды силовые
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - JFET
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП