Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
AFT05MS031GNR1
  • В избранное
  • В сравнение
AFT05MS031GNR1

AFT05MS031GNR1

AFT05MS031GNR1
;
AFT05MS031GNR1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    AFT05MS031GNR1
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 40V 520MHZ TO270-2GВсе характеристики

Минимальная цена AFT05MS031GNR1 при покупке от 1 шт 6494.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AFT05MS031GNR1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание AFT05MS031GNR1

AFT05MS031GNR1 от NXP USA Inc.

  • Тип: FET (полупроводниковый транзистор)
  • RF (радиочастотный диапазон): да
  • Номинальное напряжение:
    • 40В
  • Частота работы: 520MHz
  • Пакет: TO270-2G

Основные параметры:

  • Высокая стабильность характеристик в радиочастотном диапазоне
  • Высокое значение частоты среза
  • Устойчивость к электрическим и термическим воздействиям

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Малые размеры и легкий монтаж
  • Устойчивость к внешним помехам
  • Высокая скорость переключения

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Требует дополнительного охлаждения при высокой мощности

Общее назначение:

  • Использование в радиоприемниках и передатчиках
  • Радиостанциях и спутниковых системах
  • Мобильных устройствах и беспроводных технологиях

Применение:

  • Беспроводные коммуникационные системы
  • Радиолокационные приборы
  • Системы спутниковой связи
  • Мобильные телефоны и другие беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики AFT05MS031GNR1

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    520MHz
  • Усиление
    17.7dB
  • Тестовое напряжение
    13.6 V
  • Тестовый ток
    10 mA
  • Мощность передачи
    31W
  • Нормальное напряжение
    40 V
  • Корпус
    TO-270BA
  • Исполнение корпуса
    TO-270-2 GULL
  • Base Product Number
    AFT05

Техническая документация

 AFT05MS031GNR1.pdf
pdf. 0 kb
  • 785 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    6 494 ₽
  • 10
    5 274 ₽
  • 25
    4 970 ₽
  • 100
    4 635 ₽
  • 250
    4 513 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    AFT05MS031GNR1
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 40V 520MHZ TO270-2GВсе характеристики

Минимальная цена AFT05MS031GNR1 при покупке от 1 шт 6494.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AFT05MS031GNR1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание AFT05MS031GNR1

AFT05MS031GNR1 от NXP USA Inc.

  • Тип: FET (полупроводниковый транзистор)
  • RF (радиочастотный диапазон): да
  • Номинальное напряжение:
    • 40В
  • Частота работы: 520MHz
  • Пакет: TO270-2G

Основные параметры:

  • Высокая стабильность характеристик в радиочастотном диапазоне
  • Высокое значение частоты среза
  • Устойчивость к электрическим и термическим воздействиям

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Малые размеры и легкий монтаж
  • Устойчивость к внешним помехам
  • Высокая скорость переключения

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Требует дополнительного охлаждения при высокой мощности

Общее назначение:

  • Использование в радиоприемниках и передатчиках
  • Радиостанциях и спутниковых системах
  • Мобильных устройствах и беспроводных технологиях

Применение:

  • Беспроводные коммуникационные системы
  • Радиолокационные приборы
  • Системы спутниковой связи
  • Мобильные телефоны и другие беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики AFT05MS031GNR1

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    520MHz
  • Усиление
    17.7dB
  • Тестовое напряжение
    13.6 V
  • Тестовый ток
    10 mA
  • Мощность передачи
    31W
  • Нормальное напряжение
    40 V
  • Корпус
    TO-270BA
  • Исполнение корпуса
    TO-270-2 GULL
  • Base Product Number
    AFT05

Техническая документация

 AFT05MS031GNR1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLA6H0912L-1000UТранзистор
    172 828Кешбэк 25 924 балла
    BLS7G2729LS-350P,1Транзистор: RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539B
    174 934Кешбэк 26 240 баллов
    BLA6H0912LS-1000UТранзистор: RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539B
    220 717Кешбэк 33 107 баллов
    AFT05MS006NT1Транзистор: FET RF 30V 520MHZ PLD
    1 230Кешбэк 184 балла
    A2I08H040GNR1Транзистор: IC RF LDMOS AMP
    1 408Кешбэк 211 баллов
    AFT09MS031NR1Транзистор: FET RF 40V 870MHZ TO-270-2
    3 622Кешбэк 543 балла
    AFT05MS031NR1Транзистор: FET RF 40V 520MHZ TO-270-2
    4 033Кешбэк 604 балла
    MRFG35003N6AT1Транзистор: FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5
    4 209Кешбэк 631 балл
    MMRF1015NR1Транзистор: FET RF 68V 960MHZ TO270
    4 211Кешбэк 631 балл
    AFT09MS031GNR1Транзистор: FET RF 40V 870MHZ TO270-2G
    5 312Кешбэк 796 баллов
    AFT20S015NR1Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2
    6 193Кешбэк 928 баллов
    AFT05MS031GNR1Транзистор: FET RF 40V 520MHZ TO270-2G
    6 494Кешбэк 974 балла
    MMRF1023HSR5Транзистор: FET RF 65V 2.3GHZ NI-1230-4LS2L
    6 699Кешбэк 1 004 балла
    AFT20S015GNR1Транзистор: FET RF 65V 2.17GHZ TO270-2G
    9 582Кешбэк 1 437 баллов
    MRF8P8300HSR6Транзистор: FET RF 2CH 70V 820MHZ NI1230S
    10 116Кешбэк 1 517 баллов
    MRF6S18060NR1Транзистор: FET RF 68V 1.99GHZ TO270-4
    14 047Кешбэк 2 107 баллов
    BLA1011-2,112Транзистор: RF FET LDMOS 75V 16DB SOT538A
    15 173Кешбэк 2 275 баллов
    BLD6G22L-50,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT1130A
    16 131Кешбэк 2 419 баллов
    BLD6G21L-50,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130A
    16 131Кешбэк 2 419 баллов
    MRF8S9120NR3Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V OM780-2
    16 746Кешбэк 2 511 баллов
    BLF8G09LS-400PGWQТранзистор: RF MOSFET LDMOS DL 28V CDFM8
    16 865Кешбэк 2 529 баллов
    AFT20P140-4WNR3Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 28V OM780-4
    17 417Кешбэк 2 612 баллов
    MRF8S21100HSR3Транзистор: FET RF 65V 2.17GHZ NI780S
    21 324Кешбэк 3 198 баллов
    AFT18S230SR3Транзистор: FET RF 65V 1.88GHZ NI780S-6
    21 389Кешбэк 3 208 баллов
    AFT21S140W02SR3Транзистор
    25 055Кешбэк 3 758 баллов
    AFT09S282NR3Транзистор: FET RF 70V 960MHZ OM-780-2
    28 325Кешбэк 4 248 баллов
    AFT18S230SR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V NI-780S-6
    31 673Кешбэк 4 750 баллов
    MRFE6VP6600NR3Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V OM780-4
    32 105Кешбэк 4 815 баллов
    A2T21H360-24SR6Транзистор: IC TRANS RF LDMOS
    40 427Кешбэк 6 064 балла
    MRFE6VP5600HSR5Транзистор: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S
    45 563Кешбэк 6 834 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    IGBT транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды силовые
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП