Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
AFT20S015NR1
  • В избранное
  • В сравнение
AFT20S015NR1

AFT20S015NR1

AFT20S015NR1
;
AFT20S015NR1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    AFT20S015NR1
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2Все характеристики

Минимальная цена AFT20S015NR1 при покупке от 1 шт 6739.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AFT20S015NR1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание AFT20S015NR1

AFT20S015NR1 NXP USA Inc. — RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 28В
    • Максимальная частота работы: до 3ГГц
    • Тип: RF MOSFET (RF MOSFET)
    • Комплектация: TO270-2 (пакет)
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность в радиочастотном диапазоне
    • Устойчивость к высоким температурам
    • Высокая мощность при работе
    • Долгий срок службы благодаря надежному дизайну
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению из-за высокой мощности
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоэлектронных устройствах
    • Применение в системах связи
    • Работа в радиочастотном диапазоне для усиления сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные радиостанции
    • Стационарные радиостанции
    • Системы спутниковой связи
    • Маршевое оборудование для телекоммуникаций
Выбрано: Показать

Характеристики AFT20S015NR1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    2.17GHz
  • Усиление
    17.6dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    132 mA
  • Мощность передачи
    1.5W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    TO-270AA
  • Исполнение корпуса
    TO-270-2
  • Base Product Number
    AFT20

Техническая документация

 AFT20S015NR1.pdf
pdf. 0 kb
  • 397 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    6 739 ₽
  • 10
    5 466 ₽
  • 25
    5 148 ₽
  • 100
    4 799 ₽
  • 250
    4 665 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    AFT20S015NR1
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2Все характеристики

Минимальная цена AFT20S015NR1 при покупке от 1 шт 6739.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AFT20S015NR1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание AFT20S015NR1

AFT20S015NR1 NXP USA Inc. — RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 28В
    • Максимальная частота работы: до 3ГГц
    • Тип: RF MOSFET (RF MOSFET)
    • Комплектация: TO270-2 (пакет)
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность в радиочастотном диапазоне
    • Устойчивость к высоким температурам
    • Высокая мощность при работе
    • Долгий срок службы благодаря надежному дизайну
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению из-за высокой мощности
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоэлектронных устройствах
    • Применение в системах связи
    • Работа в радиочастотном диапазоне для усиления сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные радиостанции
    • Стационарные радиостанции
    • Системы спутниковой связи
    • Маршевое оборудование для телекоммуникаций
Выбрано: Показать

Характеристики AFT20S015NR1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    2.17GHz
  • Усиление
    17.6dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    132 mA
  • Мощность передачи
    1.5W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    TO-270AA
  • Исполнение корпуса
    TO-270-2
  • Base Product Number
    AFT20

Техническая документация

 AFT20S015NR1.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLL6H1214LS-250,11Транзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B
    64 245Кешбэк 9 636 баллов
    BLF888DURF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A
    66 353Кешбэк 9 952 балла
    BLF178XR,112Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V SOT539A
    68 153Кешбэк 10 222 балла
    BLL8H0514-25UТранзистор: RF FET LDMOS 100V 21DB SOT467C
    68 992Кешбэк 10 348 баллов
    BLA6G1011-200R,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A
    73 998Кешбэк 11 099 баллов
    BLF1721M8LS200UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B
    75 645Кешбэк 11 346 баллов
    BLF578,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 24DB SOT539A
    86 910Кешбэк 13 036 баллов
    BLA8G1011L-300UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A
    99 173Кешбэк 14 875 баллов
    BLA8G1011LS-300UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B
    99 173Кешбэк 14 875 баллов
    BLA6H1011-600,112Транзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A
    132 166Кешбэк 19 824 балла
    BLA6H0912-500,112Транзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A
    174 548Кешбэк 26 182 балла
    BLS7G3135L-350P,11Транзистор
    178 602Кешбэк 26 790 баллов
    BLS7G3135LS-350P,1Транзистор: RF FET LDMOS 65V 10DB SOT539B
    178 602Кешбэк 26 790 баллов
    BLA6H0912L-1000UТранзистор
    188 061Кешбэк 28 209 баллов
    BLA6H0912LS-1000UТранзистор: RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539B
    240 171Кешбэк 36 025 баллов
    AFT05MS004NT1Транзистор: FET RF 30V 520MHZ PLD
    790Кешбэк 118 баллов
    AFT05MS006NT1Транзистор: FET RF 30V 520MHZ PLD
    1 339Кешбэк 200 баллов
    MHT1008NT1Транзистор: RF MOSFET LDMOS PLD1.5W
    2 974Кешбэк 446 баллов
    AFT09MS031NR1Транзистор: FET RF 40V 870MHZ TO-270-2
    3 941Кешбэк 591 балл
    AFT05MS031NR1Транзистор: FET RF 40V 520MHZ TO-270-2
    4 389Кешбэк 658 баллов
    MRFG35003N6AT1Транзистор: FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5
    4 580Кешбэк 687 баллов
    MW6S004NT1Транзистор: FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5
    5 074Кешбэк 761 балл
    AFT09MS031GNR1Транзистор: FET RF 40V 870MHZ TO270-2G
    5 780Кешбэк 867 баллов
    AFT20S015NR1Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2
    6 739Кешбэк 1 010 баллов
    AFT05MS031GNR1Транзистор: FET RF 40V 520MHZ TO270-2G
    7 066Кешбэк 1 059 баллов
    MMRF1023HSR5Транзистор: FET RF 65V 2.3GHZ NI-1230-4LS2L
    7 290Кешбэк 1 093 балла
    MRF8P8300HSR6Транзистор: FET RF 2CH 70V 820MHZ NI1230S
    11 007Кешбэк 1 651 балл
    BLF8G09LS-400PGWQТранзистор: RF MOSFET LDMOS DL 28V CDFM8
    18 351Кешбэк 2 752 балла
    AFT20P140-4WNR3Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 28V OM780-4
    18 952Кешбэк 2 842 балла
    MRF8S21100HSR3Транзистор: FET RF 65V 2.17GHZ NI780S
    23 204Кешбэк 3 480 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Сборки
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторные модули
    Тиристоры - TRIACs
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды силовые
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Модули драйверов питания
    Симисторы - Модули
    Транзисторы специального назначения
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Биполярные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Модули триодных тиристоров
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Модули драйверов питания
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП