Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
APT50GT120B2RDLG

APT50GT120B2RDLG

APT50GT120B2RDLG
;
APT50GT120B2RDLG

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microsemi Corporation
  • Артикул:
    APT50GT120B2RDLG
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 1200V 106A 694W TO-247Все характеристики

Минимальная цена APT50GT120B2RDLG при покупке от 1 шт 3515.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить APT50GT120B2RDLG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание APT50GT120B2RDLG

APT50GT120B2RDLG Microsemi Corporation — это транзистор IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с характеристиками 1200В напряжения и 106А тока. Обеспечивает мощность до 694Вт.

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания: 1200В
    • Максимальный ток: 106А
    • Мощность: 694Вт
    • Форм-фактор: TO-247
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Долговечность
    • Низкий коэффициент включения
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения из-за высокой мощности
    • Сложнее в управлении по сравнению с MOSFET

Общее назначение: Используется в различных приложениях, где требуется высокая мощность и эффективность, такие как промышленное оборудование, электротранспорт, солнечные панели и инверторы.

Применяется в:

  • Инверторах для солнечных панелей
  • Промышленном оборудовании
  • Автомобильных системах питания
  • Электротранспорте

Выбрано: Показать

Характеристики APT50GT120B2RDLG

Техническая документация

APT50GT120B2RDLG.pdf
pdf. 0 kb
  • 8 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    3 515 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Microsemi Corporation
  • Артикул:
    APT50GT120B2RDLG
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 1200V 106A 694W TO-247Все характеристики

Минимальная цена APT50GT120B2RDLG при покупке от 1 шт 3515.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить APT50GT120B2RDLG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание APT50GT120B2RDLG

APT50GT120B2RDLG Microsemi Corporation — это транзистор IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с характеристиками 1200В напряжения и 106А тока. Обеспечивает мощность до 694Вт.

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания: 1200В
    • Максимальный ток: 106А
    • Мощность: 694Вт
    • Форм-фактор: TO-247
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Долговечность
    • Низкий коэффициент включения
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения из-за высокой мощности
    • Сложнее в управлении по сравнению с MOSFET

Общее назначение: Используется в различных приложениях, где требуется высокая мощность и эффективность, такие как промышленное оборудование, электротранспорт, солнечные панели и инверторы.

Применяется в:

  • Инверторах для солнечных панелей
  • Промышленном оборудовании
  • Автомобильных системах питания
  • Электротранспорте

Выбрано: Показать

Характеристики APT50GT120B2RDLG

Техническая документация

APT50GT120B2RDLG.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории