Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
ARF465BG
  • В избранное
  • В сравнение
ARF465BG

ARF465BG

ARF465BG
;
ARF465BG

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    ARF465BG
  • Описание:
    Транзистор: RF PWR MOSFET 1200V 6A TO-247Все характеристики

Минимальная цена ARF465BG при покупке от 1 шт 12463.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ARF465BG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ARF465BG

ARF465BG Microchip Technology Транзистор: RF PWR MOSFET 1200V 6A TO-247

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VCEO): 1200 В
    • Номинальный ток проводимости (ID): 6 А
    • Тип: RF PWR MOSFET (мощной радиочастотный транзистор)
    • Контактный тип: TO-247
  • Плюсы:
    • Высокая мощность и надежность
    • Малый коэффициент температурной зависимости
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий коэффициент влажности
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с традиционными транзисторами
    • Требуют специальных условий охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в радиочастотных системах
    • Встраивание в устройства с высокой мощностью
    • Применение в системах управления мощностью
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и смартфоны
    • Беспроводные устройства
    • Автомобильные системы
    • Инверторы и преобразователи
    • Электроприборы
Выбрано: Показать

Характеристики ARF465BG

  • Тип транзистора
    N-Channel
  • Частота
    40.68MHz
  • Усиление
    15dB
  • Тестовое напряжение
    300 V
  • Current Rating (Amps)
    6A
  • Мощность передачи
    150W
  • Нормальное напряжение
    1200 V
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247
  • Base Product Number
    ARF465

Техническая документация

 ARF465BG.pdf
pdf. 0 kb
  • 27 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    12 463 ₽
  • 100
    10 547 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    ARF465BG
  • Описание:
    Транзистор: RF PWR MOSFET 1200V 6A TO-247Все характеристики

Минимальная цена ARF465BG при покупке от 1 шт 12463.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ARF465BG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ARF465BG

ARF465BG Microchip Technology Транзистор: RF PWR MOSFET 1200V 6A TO-247

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VCEO): 1200 В
    • Номинальный ток проводимости (ID): 6 А
    • Тип: RF PWR MOSFET (мощной радиочастотный транзистор)
    • Контактный тип: TO-247
  • Плюсы:
    • Высокая мощность и надежность
    • Малый коэффициент температурной зависимости
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий коэффициент влажности
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с традиционными транзисторами
    • Требуют специальных условий охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в радиочастотных системах
    • Встраивание в устройства с высокой мощностью
    • Применение в системах управления мощностью
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и смартфоны
    • Беспроводные устройства
    • Автомобильные системы
    • Инверторы и преобразователи
    • Электроприборы
Выбрано: Показать

Характеристики ARF465BG

  • Тип транзистора
    N-Channel
  • Частота
    40.68MHz
  • Усиление
    15dB
  • Тестовое напряжение
    300 V
  • Current Rating (Amps)
    6A
  • Мощность передачи
    150W
  • Нормальное напряжение
    1200 V
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247
  • Base Product Number
    ARF465

Техническая документация

 ARF465BG.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NPT25015DТранзистор: HEMT N-CH 28V 23W DC-3GHZ 8SOIC
    13 660Кешбэк 2 049 баллов
    CGH40006PТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440109
    19 629Кешбэк 2 944 балла
    CGH40025FТранзистор
    38 033Кешбэк 5 704 балла
    CGHV40030FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440166
    47 417Кешбэк 7 112 баллов
    MRF154Транзистор: FET RF 125V 100MHZ 368-03
    205 029Кешбэк 30 754 балла
    BF1005SE6327HTSA1Транзистор: MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143
    22Кешбэк 3 балла
    BF1009SRE6327HTSA1Транзистор: MOSFET N-CH 12V 25MA SOT-143R
    7 560Кешбэк 1 134 балла
    MMBF4416AТранзистор: JFET N-CH 35V 15MA SOT23
    32Кешбэк 4 балла
    3SK264-5-TG-EТранзистор: 3SK264 - N-CHANNNEL DUAL GATE MO
    34Кешбэк 5 баллов
    MMBF4416Транзистор: RF MOSFET N-CH JFET 15V SOT23-3
    36Кешбэк 5 баллов
    MMBF5484Транзистор: RF SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA
    37.5Кешбэк 5 баллов
    MMBF5485Транзистор: JFET N-CH 25V 10MA SOT23
    39Кешбэк 5 баллов
    MMBFJ309LT1GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET SOT23-3
    46Кешбэк 6 баллов
    MMBFJ310LT3GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
    46Кешбэк 6 баллов
    MMBFJ310LT1GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
    46Кешбэк 6 баллов
    SMMBFJ310LT3GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
    50Кешбэк 7 баллов
    BF256BТранзистор: JFET N-CH 30V 13MA TO92
    54Кешбэк 8 баллов
    SMMBFJ309LT1GТранзистор: JFET N-CH 25V 30MA SOT23
    56Кешбэк 8 баллов
    SMMBFJ310LT1GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
    56Кешбэк 8 баллов
    2SK3557-6-TB-EТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 5V 3CP
    97Кешбэк 14 баллов
    2SK3557-7-TB-EТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 5V 3CP
    111Кешбэк 16 баллов
    BLP25M705ZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN
    3 734Кешбэк 560 баллов
    BLP10H610ZТранзистор: RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
    4 975Кешбэк 746 баллов
    BLP10H610AZТранзистор: RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
    4 975Кешбэк 746 баллов
    BLM7G1822S-20PBGYRF FET LDMOS 65V 32.3DB SOT12121
    5 679Кешбэк 851 балл
    BLP8G10S-45PGYТранзистор: RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP
    5 999Кешбэк 899 баллов
    BLF6G38-10G,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975C
    7 429Кешбэк 1 114 баллов
    BLF6G38-10G,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975C
    7 429Кешбэк 1 114 баллов
    BLF6G21-10G,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A
    7 935Кешбэк 1 190 баллов
    BLF6G27-10G,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C
    7 963Кешбэк 1 194 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторные модули
    Тиристоры - SCR
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды силовые
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули триодных тиристоров
    Симисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Модули драйверов питания
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Тиристоры - SCR - модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП