Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
BLF7G20LS-90P,112
BLF7G20LS-90P,112

BLF7G20LS-90P,112

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLF7G20LS-90P,112
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1121BВсе характеристики

Минимальная цена BLF7G20LS-90P,112 при покупке от 4 шт 13877.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF7G20LS-90P,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLF7G20LS-90P,112

  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual), Common Source
  • Частота
    1.81GHz ~ 1.88GHz
  • Усиление
    19.5dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Current Rating (Amps)
    18A
  • Тестовый ток
    550 mA
  • Мощность передачи
    40W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-1121B
  • Исполнение корпуса
    LDMOST
  • Base Product Number
    BLF7
Техническая документация
 BLF7G20LS-90P,112.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 100 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 4
    13 877 ₽

Минимально и кратно 4 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLF7G20LS-90P,112
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1121BВсе характеристики

Минимальная цена BLF7G20LS-90P,112 при покупке от 4 шт 13877.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF7G20LS-90P,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLF7G20LS-90P,112

  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual), Common Source
  • Частота
    1.81GHz ~ 1.88GHz
  • Усиление
    19.5dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Current Rating (Amps)
    18A
  • Тестовый ток
    550 mA
  • Мощность передачи
    40W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-1121B
  • Исполнение корпуса
    LDMOST
  • Base Product Number
    BLF7
Техническая документация
 BLF7G20LS-90P,112.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLA1011-2,112Транзистор: RF FET LDMOS 75V 16DB SOT538A
    MRF6V3090NR1Транзистор: RF MOSFET LDMOS 50V TO270
    MRF6P23190HR5Транзистор: POWER, N-CHANNEL, MOSFET
    BLC8G27LS-60AVZТранзистор: TRANS RF 60W LDMOS DFM6F
    BLF184XRSUТранзистор: RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214B
    BLF879PS,112Транзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539B
    3SK264-5-TG-EТранзистор: 3SK264 - N-CHANNNEL DUAL GATE MO
    BLM7G1822S-40PBYRF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12111
    BLF8G22LS-205VUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18.3DB SOT1239B
    BF1201WR,135MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R
    ARF461AGТранзистор: RF MOSFET N-CH 1000V TO247
    MRFE6VP5600HR5Транзистор: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230
    BLF6G20LS-110,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B
    BLF8G24LS-150GVJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C
    BLF6G38-10G,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975C
    ARF460AGТранзистор: FET RF N-CH 500V 14A TO247
    SD2932WТранзистор: IC TRANS RF HF/VHF/UHF
    MMBFJ211Транзистор: JFET N-CH 25V 20MA SOT23
    MMRF1006HR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS 50V NI-1230
    J210Транзистор: JFET N-CH 25V 15MA TO92
    VRF151Транзистор: MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174
    BLF184XRGJТранзистор: RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214C
    MMRF1023HSR5Транзистор: FET RF 65V 2.3GHZ NI-1230-4LS2L
    BLC8G20LS-310AVZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12583
    BLF7G10L-250,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502A
    MRF6VP21KHR5Транзистор: FET RF 2CH 110V 225MHZ NI-1230
    LET9060SТранзистор
    SMMBFJ310LT1GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
    MRFE6VP61K25HR5Транзистор: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230
    AFT20P140-4WNR3Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 28V OM780-4

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные диоды
    Триодные тиристоры - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - JFET
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Принадлежности
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП