Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
BLF8G10LS-160,118

BLF8G10LS-160,118

BLF8G10LS-160,118
;
BLF8G10LS-160,118

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLF8G10LS-160,118
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502BВсе характеристики

Минимальная цена BLF8G10LS-160,118 при покупке от 4 шт 13969.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF8G10LS-160,118 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLF8G10LS-160,118

BLF8G10LS-160,118 Ampleon USA Inc. Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B

  • Основные параметры:
    • Рабочее напряжение (VDS(on)): 65В
    • Удельная мощность (Popt): 19.7 дБм
    • Коллекторный сопротивление (RDS(on)): 1.43 Ω
    • Форм-фактор: SOT502B
  • Плюсы:
    • Высокая мощность при работе в радиосистемах
    • Низкое коллекторное сопротивление обеспечивает эффективную передачу мощности
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегреву и воздействию внешних факторов
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению из-за высокой мощности
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Используется в радиоэлектронных устройствах высокой мощности
    • Подходит для систем передачи сигналов в мобильной связи, радиолокации и других областях
  • В каких устройствах применяется:
    • Системы мобильной связи (3G, 4G, 5G)
    • Радиолокационные системы
    • Антенна-модуляторы
    • Трансиверы и другие радиоэлектронные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики BLF8G10LS-160,118

Техническая документация

BLF8G10LS-160,118.pdf
pdf. 0 kb
  • 3757 шт
    3-6 недель
Минимально и кратно 4 шт
  • Количество
    Цена
  • 4
    13 969 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLF8G10LS-160,118
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502BВсе характеристики

Минимальная цена BLF8G10LS-160,118 при покупке от 4 шт 13969.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF8G10LS-160,118 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLF8G10LS-160,118

BLF8G10LS-160,118 Ampleon USA Inc. Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B

  • Основные параметры:
    • Рабочее напряжение (VDS(on)): 65В
    • Удельная мощность (Popt): 19.7 дБм
    • Коллекторный сопротивление (RDS(on)): 1.43 Ω
    • Форм-фактор: SOT502B
  • Плюсы:
    • Высокая мощность при работе в радиосистемах
    • Низкое коллекторное сопротивление обеспечивает эффективную передачу мощности
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегреву и воздействию внешних факторов
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению из-за высокой мощности
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Используется в радиоэлектронных устройствах высокой мощности
    • Подходит для систем передачи сигналов в мобильной связи, радиолокации и других областях
  • В каких устройствах применяется:
    • Системы мобильной связи (3G, 4G, 5G)
    • Радиолокационные системы
    • Антенна-модуляторы
    • Трансиверы и другие радиоэлектронные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики BLF8G10LS-160,118

Техническая документация

BLF8G10LS-160,118.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 4 шт