BLF8G20LS-200V,112

BLF8G20LS-200V,112 Ampleon USA Inc. Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1120B

• Основные параметры:
• Мощность: 200 Вт
• Напряжение блокировки: 65 В
• Сигнальная мощность: 17 дБ
• Форм-фактор: SOT1120B
• Плюсы:
• Высокая мощность и эффективность
• Устойчивость к перегрузкам
• Надежность при работе в сложных условиях
• Малый размер и легкость для интеграции в различные устройства
• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
• Требуют специального оборудования для монтажа и тестирования
• Общее назначение:
• Использование в радиоэлектронных устройствах высокой мощности
• Применяются в системах связи, телевещания и радиолокации
• Подходят для применения в мобильных базовых станциях и других коммуникационных сетях
• В каких устройствах применяется:
• Мобильные радиостанции и базовые станции
• Телевизионные передатчики
• Радиолокационное оборудование
• Системы спутниковой связи
• Маршрутизаторы и другие коммуникационные устройства