BLF8G24LS-150VU

BLF8G24LS-150VU Ampleon USA Inc.

• Тип: RF FET LDMOS (высокочастотный полупроводниковый транзистор)
• Номинальное напряжение: 65В
• Уровень выходной мощности: 19 дБм
• Оболочка: SOT1244B

Основные параметры:

• Высокая выходная мощность для радиосвязи и передачи данных
• Высокая эффективность и надежность
• Способность работать в широком диапазоне частот

Плюсы:

• Высокая мощность и надежность
• Эффективность работы
• Широкий диапазон применения

Минусы:

• Высокое напряжение может требовать специальной защиты
• Высокие требования к термической стабильности

Общее назначение:

• Используется в системах радиосвязи и передачи данных
• Подходит для телекоммуникационных сетей
• Может применяться в системах спутниковой связи

В каких устройствах применяется:

• Мобильные сети связи
• Стационарные радиостанции
• Системы спутниковой связи
• Промышленные системы радиосвязи