BLF8G27LS-140,112

BLF8G27LS-140,112 Ampleon USA Inc. — транзистор RF FET LDMOS

• Номинальное напряжение блокировки (V_CEO): 65В
• Сигнальная мощность: 17,4 дБm
• Форм-фактор: SOT502B

Основные параметры:

• Тип устройства: RF FET LDMOS (высокочастотный полупроводниковый транзистор с каналом MOS)
• Приложение: высокочастотные радиосистемы, системы спутниковой связи, радиостанции и т.д.

Плюсы:

• Высокая мощность выходного сигнала
• Стабильная работа в широком диапазоне температур
• Высокая надежность и долговечность
• Эффективность работы

Минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
• Требует специальных условий для охлаждения при работе под нагрузкой

Общее назначение:

• Транзистор используется для усиления сигналов в радиосистемах высокой мощности, таких как спутниковые системы связи, радиостанции и телевизионные передатчики.

Применение:

• Спутниковые системы связи
• Радиостанции
• Телевизионные передатчики
• Высокочастотные радиосистемы