Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
BLM7G1822S-40PBY
BLM7G1822S-40PBY

BLM7G1822S-40PBY

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLM7G1822S-40PBY
  • Описание:
    RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12111Все характеристики

Минимальная цена BLM7G1822S-40PBY при покупке от 1 шт 8136.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLM7G1822S-40PBY с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLM7G1822S-40PBY

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual)
  • Частота
    1.81GHz ~ 2.17GHz
  • Усиление
    31.5dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    40 mA
  • Мощность передачи
    4W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-1211-1
  • Исполнение корпуса
    16-HSOPF
  • Base Product Number
    BLM7
Техническая документация
 BLM7G1822S-40PBY.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 56 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    8 136 ₽
  • 10
    7 122 ₽
  • 25
    6 771 ₽
  • 100
    6 289 ₽
  • 200
    6 069 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLM7G1822S-40PBY
  • Описание:
    RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12111Все характеристики

Минимальная цена BLM7G1822S-40PBY при покупке от 1 шт 8136.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLM7G1822S-40PBY с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLM7G1822S-40PBY

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual)
  • Частота
    1.81GHz ~ 2.17GHz
  • Усиление
    31.5dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    40 mA
  • Мощность передачи
    4W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-1211-1
  • Исполнение корпуса
    16-HSOPF
  • Base Product Number
    BLM7
Техническая документация
 BLM7G1822S-40PBY.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLP25M705ZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN
    PD54008L-EТранзистор: TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT
    MRFE6S9060NR1Транзистор: FET RF 66V 880MHZ TO270-2
    NE3515S02-T1C-AТранзистор: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
    AFT09MS031NR1Транзистор: FET RF 40V 870MHZ TO-270-2
    MRF7S24250NR3Транзистор: RF MOSFET LDMOS 30V OM780-2
    BLC8G20LS-400AVYТранзистор: RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12583
    BLM7G1822S-40PBGYRF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121
    BLC9G20LS-120VYТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT12753
    MRFE6VP61K25HSR5Транзистор: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S
    CGHV1F025SТранзистор: RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
    BLC9G20LS-361AVTZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 15.7DB SOT12583
    VRF141Транзистор: MOSFET RF PWR N-CH 28V 150W M174
    BF1109WR,115Транзистор: MOSFET N-CH 11V 30MA CMPAK-4
    CGH40120FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440193
    AFT21S140W02SR3Транзистор
    MMBFJ310LT3GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
    MMBFJ310RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-
    BLA8G1011L-300UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A
    CGH40025FТранзистор
    MRF8P23080HSR5Транзистор: POWER, N-CHANNEL, MOSFET
    SMMBFJ310LT3GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
    BLF182XRSUТранзистор: RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B
    BLC8G27LS-100AVZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12751
    BLF6G27-75,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V SOT502A
    BLF2425M7LS250P,11Транзистор
    PD57018S-EТранзистор: FET RF 65V 945MHZ PWRSO10
    BLF8G10LS-270GV,12Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C
    VRF150Транзистор: RF MOSFET N-CHANNEL 50V M174
    ARF463AP1GТранзистор: RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП