Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
BLM7G1822S-80PBGY
  • В избранное
  • В сравнение
BLM7G1822S-80PBGY

BLM7G1822S-80PBGY

BLM7G1822S-80PBGY
;
BLM7G1822S-80PBGY

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLM7G1822S-80PBGY
  • Описание:
    RF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122Все характеристики

Минимальная цена BLM7G1822S-80PBGY при покупке от 1 шт 13216.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLM7G1822S-80PBGY с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLM7G1822S-80PBGY

BLM7G1822S-80PBGY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122

  • Основные параметры:
    • Тип: RF FET LDMOS
    • Напряжение: 65В
    • Мощность: 28дБм
    • Форм-фактор: SOT12122
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Высокая надежность и долговечность
    • Эффективность в широком диапазоне частот
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию системы
    • Требуется специализированное оборудование для монтажа
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Радиосвязь
    • Телевещание
    • Системы спутниковой связи
    • Интернет вещей (IoT)
    • Автомобильная связь
  • Применяется в:
    • Радиостанциях
    • Спутниковых трансляторах
    • Телевизионных передающих станциях
    • Автомобильных GPS-системах
    • Мобильных базовых станциях
Выбрано: Показать

Характеристики BLM7G1822S-80PBGY

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual)
  • Частота
    2.17GHz
  • Усиление
    28dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    240 mA
  • Мощность передачи
    8W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-1212-2
  • Исполнение корпуса
    16-HSOP
  • Base Product Number
    BLM7

Техническая документация

 BLM7G1822S-80PBGY.pdf
pdf. 0 kb
  • 262 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    13 216 ₽
  • 10
    10 951 ₽
  • 25
    10 385 ₽
  • 100
    8 667 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLM7G1822S-80PBGY
  • Описание:
    RF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122Все характеристики

Минимальная цена BLM7G1822S-80PBGY при покупке от 1 шт 13216.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLM7G1822S-80PBGY с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLM7G1822S-80PBGY

BLM7G1822S-80PBGY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122

  • Основные параметры:
    • Тип: RF FET LDMOS
    • Напряжение: 65В
    • Мощность: 28дБм
    • Форм-фактор: SOT12122
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Высокая надежность и долговечность
    • Эффективность в широком диапазоне частот
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию системы
    • Требуется специализированное оборудование для монтажа
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Радиосвязь
    • Телевещание
    • Системы спутниковой связи
    • Интернет вещей (IoT)
    • Автомобильная связь
  • Применяется в:
    • Радиостанциях
    • Спутниковых трансляторах
    • Телевизионных передающих станциях
    • Автомобильных GPS-системах
    • Мобильных базовых станциях
Выбрано: Показать

Характеристики BLM7G1822S-80PBGY

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual)
  • Частота
    2.17GHz
  • Усиление
    28dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    240 mA
  • Мощность передачи
    8W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-1212-2
  • Исполнение корпуса
    16-HSOP
  • Base Product Number
    BLM7

Техническая документация

 BLM7G1822S-80PBGY.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MRF154Транзистор: FET RF 125V 100MHZ 368-03
    195 820Кешбэк 29 373 балла
    BF1005SE6327HTSA1Транзистор: MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143
    21Кешбэк 3 балла
    BF1009SRE6327HTSA1Транзистор: MOSFET N-CH 12V 25MA SOT-143R
    7 220Кешбэк 1 083 балла
    MMBF4416AТранзистор: JFET N-CH 35V 15MA SOT23
    30Кешбэк 4 балла
    3SK264-5-TG-EТранзистор: 3SK264 - N-CHANNNEL DUAL GATE MO
    33Кешбэк 4 балла
    MMBF4416Транзистор: RF MOSFET N-CH JFET 15V SOT23-3
    34.5Кешбэк 5 баллов
    MMBF5484Транзистор: RF SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA
    35.4Кешбэк 5 баллов
    MMBF5485Транзистор: JFET N-CH 25V 10MA SOT23
    37Кешбэк 5 баллов
    MMBFJ309LT1GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET SOT23-3
    44Кешбэк 6 баллов
    MMBFJ310LT3GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
    44Кешбэк 6 баллов
    MMBFJ310LT1GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
    44Кешбэк 6 баллов
    SMMBFJ310LT3GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
    48Кешбэк 7 баллов
    BF256BТранзистор: JFET N-CH 30V 13MA TO92
    51Кешбэк 7 баллов
    SMMBFJ310LT1GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
    53Кешбэк 7 баллов
    SMMBFJ309LT1GТранзистор: JFET N-CH 25V 30MA SOT23
    54Кешбэк 8 баллов
    2SK3557-6-TB-EТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 5V 3CP
    92Кешбэк 13 баллов
    2SK3557-7-TB-EТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 5V 3CP
    106Кешбэк 15 баллов
    BLP7G22-05ZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN
    1 248Кешбэк 187 баллов
    BLP25M705ZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN
    3 566Кешбэк 534 балла
    BLP10H610ZТранзистор: RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
    4 752Кешбэк 712 баллов
    BLP10H610AZТранзистор: RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
    4 752Кешбэк 712 баллов
    BLM7G1822S-20PBGYRF FET LDMOS 65V 32.3DB SOT12121
    5 424Кешбэк 813 баллов
    BLP8G10S-45PGYТранзистор: RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP
    5 730Кешбэк 859 баллов
    BLF6G38-10G,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975C
    7 095Кешбэк 1 064 балла
    BLF6G38-10G,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975C
    7 095Кешбэк 1 064 балла
    BLF6G21-10G,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A
    7 578Кешбэк 1 136 баллов
    BLF6G27-10G,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C
    7 605Кешбэк 1 140 баллов
    BLM8G0710S-15PBGYRF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12122
    8 680Кешбэк 1 302 балла
    BLF8G27LS-100JТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
    11 697Кешбэк 1 754 балла
    BLF8G27LS-100UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
    11 697Кешбэк 1 754 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Модули драйверов питания
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные диоды
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Одиночные триодные тиристоры
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Тиристоры - SCR - модули
    Варикапы и Варакторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторные модули
    IGBT транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды силовые
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - TRIACs
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП