Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
BLS3135-65I
BLS3135-65I

BLS3135-65I

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLS3135-65I
  • Описание:
    Транзистор: MICROWAVE POWER TRANSISTOR (AMPLВсе характеристики

Минимальная цена BLS3135-65I при покупке от 1 шт 80396.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLS3135-65I с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLS3135-65I

  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    75V
  • Трансформация частоты
    3.5GHz
  • Усиление
    7dB
  • Рассеивание мощности
    200W
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    40 @ 2A, 5V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    8A
  • Рабочая температура
    200°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    SOT-422A
  • Исполнение корпуса
    SOT422A
  • В избранное
  • В сравнение
  • 240 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    80 396 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLS3135-65I
  • Описание:
    Транзистор: MICROWAVE POWER TRANSISTOR (AMPLВсе характеристики

Минимальная цена BLS3135-65I при покупке от 1 шт 80396.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLS3135-65I с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLS3135-65I

  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    75V
  • Трансформация частоты
    3.5GHz
  • Усиление
    7dB
  • Рассеивание мощности
    200W
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    40 @ 2A, 5V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    8A
  • Рабочая температура
    200°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    SOT-422A
  • Исполнение корпуса
    SOT422A

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SC4215-O(TE85L,F)Транзистор: RF TRANS NPN 30V 550MHZ USM
    84Кешбэк 12 баллов
    BFP183E7764HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4
    52Кешбэк 7 баллов
    BFR740L3RHE6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ TSLP-3
    151Кешбэк 22 балла
    BFP181E7764HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4
    52Кешбэк 7 баллов
    BFR106E6327HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3
    58Кешбэк 8 баллов
    BFR460L3E6327XTMA1Транзистор: RF TRANS NPN 5.8V 22GHZ TSLP-3-1
    97Кешбэк 14 баллов
    PN3563 PBFREEТранзистор: RF TRANS NPN 12V TO92
    140Кешбэк 21 балл
    MX0912B351YТранзистор: RF POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 1-E
    38 897Кешбэк 5 834 балла
    MT3S111(TE85L,F)Транзистор: RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ SMINI
    102Кешбэк 15 баллов
    NSVF3007SG3T1GТранзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH
    30Кешбэк 4 балла
    BFP196WNH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4
    87Кешбэк 13 баллов
    BFP193E6327HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4
    52Кешбэк 7 баллов
    BFR182E6327HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
    45Кешбэк 6 баллов
    BFR181E6327HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
    39Кешбэк 5 баллов
    NSVF5488SKT3GТранзистор: BIP NPN 70MA 10V FT=7G
    76Кешбэк 11 баллов
    BLS3135-65IТранзистор: MICROWAVE POWER TRANSISTOR (AMPL
    80 396Кешбэк 12 059 баллов
    HSG2001VF-01TL-EТранзистор: NPN HIGH FREQPOWER AMP
    87Кешбэк 13 баллов
    NSVF4009SG4T1GТранзистор: RF TRANS NPN 3.5V 25GHZ SC82FL/
    71Кешбэк 10 баллов
    NSVF5490SKT3GТранзистор: RF-TR 10V 30MA FT=8G NPN
    154Кешбэк 23 балла
    2SC2620QCTR-EТранзистор: RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST
    43Кешбэк 6 баллов
    NTE316Транзистор: RF TRANS NPN 15V 1.4GHZ TO72
    2 763Кешбэк 414 баллов
    15GN03F-TL-EТранзистор: BIP NPN 70MA 10V FT=1.5G
    15Кешбэк 2 балла
    2N2857 PBFREEТранзистор: RF TRANS NPN 15V 1.9GHZ TO72
    1 101Кешбэк 165 баллов
    NSVMMBTH81LT1GТранзистор: SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V
    71Кешбэк 10 баллов
    NTE295Транзистор: RF TRANS NPN 75V 250MHZ TO126
    1 381Кешбэк 207 баллов
    NSVF4020SG4T1GТранзистор: RF TRANS NPN 8V 16GHZ SC82FL/MCP
    91Кешбэк 13 баллов
    HFA3127B96-HCТранзистор: RF 0.037A, 5-ELEMENT, ULTRA HIGH
    55 811Кешбэк 8 371 балл
    MMBTH10Q-7-FТранзистор: RF TRANSISTOR SOT23
    89Кешбэк 13 баллов
    MZ0912B50YТранзистор: RF POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 1-E
    52 943Кешбэк 7 941 балл
    NSVF6003SB6T1GТранзистор: RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6CPH
    91Кешбэк 13 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    IGBT транзисторы
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Диоды силовые
    Диодные мосты
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - JFET
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП