Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
BLS3135-65I
  • В избранное
  • В сравнение
BLS3135-65I

BLS3135-65I

BLS3135-65I
;
BLS3135-65I

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLS3135-65I
  • Описание:
    Транзистор: MICROWAVE POWER TRANSISTOR (AMPLВсе характеристики

Минимальная цена BLS3135-65I при покупке от 1 шт 85746.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLS3135-65I с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLS3135-65I

BLS3135-65I Ampleon USA Inc. Транзистор: MICROWAVE POWER TRANSISTOR (AMPL)

  • Основные параметры:
    • Тип: микроволновый мощный транзистор
    • Марка: BLS3135-65I
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Диапазон частот: до 3,1 ГГц
    • Максимальная выходная мощность: 65 Вт
  • Плюсы:
    • Высокая выходная мощность
    • Устойчивость к перегреву
    • Эффективное управление мощностью
    • Стабильная работа в различных условиях
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными транзисторами
    • Требует специализированного оборудования для монтажа и обслуживания
    • Требует осторожного обращения из-за чувствительности к перегреву
  • Общее назначение:
    • Использование в системах передачи радиоволн
    • Радиостанции
    • Системы спутниковой связи
    • Коммуникационные системы
  • В каких устройствах применяется:
    • Спутниковая связь
    • Телевещание
    • Мобильная связь
    • Системы радиолокации
    • Радиостанции
Выбрано: Показать

Характеристики BLS3135-65I

  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    75V
  • Трансформация частоты
    3.5GHz
  • Усиление
    7dB
  • Рассеивание мощности
    200W
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    40 @ 2A, 5V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    8A
  • Рабочая температура
    200°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    SOT-422A
  • Исполнение корпуса
    SOT422A
  • 240 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    85 746 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLS3135-65I
  • Описание:
    Транзистор: MICROWAVE POWER TRANSISTOR (AMPLВсе характеристики

Минимальная цена BLS3135-65I при покупке от 1 шт 85746.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLS3135-65I с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLS3135-65I

BLS3135-65I Ampleon USA Inc. Транзистор: MICROWAVE POWER TRANSISTOR (AMPL)

  • Основные параметры:
    • Тип: микроволновый мощный транзистор
    • Марка: BLS3135-65I
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Диапазон частот: до 3,1 ГГц
    • Максимальная выходная мощность: 65 Вт
  • Плюсы:
    • Высокая выходная мощность
    • Устойчивость к перегреву
    • Эффективное управление мощностью
    • Стабильная работа в различных условиях
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными транзисторами
    • Требует специализированного оборудования для монтажа и обслуживания
    • Требует осторожного обращения из-за чувствительности к перегреву
  • Общее назначение:
    • Использование в системах передачи радиоволн
    • Радиостанции
    • Системы спутниковой связи
    • Коммуникационные системы
  • В каких устройствах применяется:
    • Спутниковая связь
    • Телевещание
    • Мобильная связь
    • Системы радиолокации
    • Радиостанции
Выбрано: Показать

Характеристики BLS3135-65I

  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    75V
  • Трансформация частоты
    3.5GHz
  • Усиление
    7dB
  • Рассеивание мощности
    200W
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    40 @ 2A, 5V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    8A
  • Рабочая температура
    200°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    SOT-422A
  • Исполнение корпуса
    SOT422A

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BFP183E7764HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4
    53Кешбэк 7 баллов
    BFP193E6327HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4
    53Кешбэк 7 баллов
    BFP181E7764HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4
    53Кешбэк 7 баллов
    BFR92PE6327HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3
    59Кешбэк 8 баллов
    BFR106E6327HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3
    59Кешбэк 8 баллов
    BFR193L3E6327XTMA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1
    59Кешбэк 8 баллов
    BFR182E6327HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
    87Кешбэк 13 баллов
    BFR750L3RHE6327Транзистор: RF BIPOLAR TRANSISTOR
    89Кешбэк 13 баллов
    BFR460L3E6327XTMA1Транзистор: RF TRANS NPN 5.8V 22GHZ TSLP-3-1
    98Кешбэк 14 баллов
    BFR93AE6327HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT23-3
    98Кешбэк 14 баллов
    BFR183E6327HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
    98Кешбэк 14 баллов
    BFP196WNH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4
    115Кешбэк 17 баллов
    NSVF3007SG3T1GТранзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH
    30Кешбэк 4 балла
    NSVF5501SKT3GТранзистор: RF-TR 10V 70MA FT=5.5GHZ
    68Кешбэк 10 баллов
    NSVMMBTH81LT3GТранзистор: SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V
    72Кешбэк 10 баллов
    NSVMMBTH81LT1GТранзистор: SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V
    72Кешбэк 10 баллов
    NSVF5488SKT3GТранзистор: BIP NPN 70MA 10V FT=7G
    77Кешбэк 11 баллов
    CPH6074-TL-EТранзистор: TRANSISTOR
    81Кешбэк 12 баллов
    NSVF4015SG4T1GТранзистор: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/
    83Кешбэк 12 баллов
    NSVF4020SG4T1GТранзистор: RF TRANS NPN 8V 16GHZ SC82FL/MCP
    93Кешбэк 13 баллов
    NSVF6003SB6T1GТранзистор: RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6CPH
    93Кешбэк 13 баллов
    MX0912B351YТранзистор: RF POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 1-E
    47 489Кешбэк 7 123 балла
    MZ0912B50YТранзистор: RF POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 1-E
    53 867Кешбэк 8 080 баллов
    BLS3135-65IТранзистор: MICROWAVE POWER TRANSISTOR (AMPL
    85 746Кешбэк 12 861 балл
    MT3S111TU,LFТранзистор: RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
    59Кешбэк 8 баллов
    MT4S300U(TE85L,O,FТранзистор: X34 PB-F RADIO-FREQUENCY SIGE HE
    113Кешбэк 16 баллов
    NTE395Транзистор: RF TRANS PNP 25V 2.3GHZ TO72
    703Кешбэк 105 баллов
    2SC2620QCTR-EТранзистор: RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST
    43.5Кешбэк 6 баллов
    2SC2620QBTR-EТранзистор: RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST
    43.5Кешбэк 6 баллов
    CMPT918 TR PBFREEТранзистор: RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23
    60Кешбэк 9 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов
    Тиристоры - SCR
    Модули драйверов питания
    Транзисторные модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Одиночные триодные тиристоры
    Одиночные IGBT транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диодные мосты
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы специального назначения
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды силовые
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Модули драйверов питания
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Симисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП