Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
BSC030N08NS5ATMA1
  • В избранное
  • В сравнение
BSC030N08NS5ATMA1

BSC030N08NS5ATMA1

BSC030N08NS5ATMA1
;
BSC030N08NS5ATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BSC030N08NS5ATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 80V 100A TDSONВсе характеристики

Минимальная цена BSC030N08NS5ATMA1 при покупке от 1 шт 568.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSC030N08NS5ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSC030N08NS5ATMA1

BSC030N08NS5ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 100A TDSON

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)) – 80 В
    • Номинальный ток (ID(on)) – 100 А
    • Тип – N-канальный MOSFET
    • Пакет – TDSON
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении включенного состояния
    • Устойчивость к перегреву благодаря низкому коэффициенту температурной зависимости RDS(on)
    • Малый размер и легкий вес за счет компактного пакета TDSON
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимость соблюдения правил охлаждения при работе на полном токе
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в электротранспорте для управления двигателем
    • Работа в системах управления приводами
    • Использование в телекоммуникационных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Источники питания для бытовой техники
    • Системы управления электродвигателями в промышленности
    • Телекоммуникационные устройства
    • Электропитание компьютеров и серверов
Выбрано: Показать

Характеристики BSC030N08NS5ATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.8V @ 95µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    76 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5600 pF @ 40 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta), 139W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TDSON-8-7
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    BSC030

Техническая документация

 BSC030N08NS5ATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 31228 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    568 ₽
  • 10
    368 ₽
  • 100
    254 ₽
  • 500
    210 ₽
  • 5000
    172 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BSC030N08NS5ATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 80V 100A TDSONВсе характеристики

Минимальная цена BSC030N08NS5ATMA1 при покупке от 1 шт 568.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSC030N08NS5ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSC030N08NS5ATMA1

BSC030N08NS5ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 100A TDSON

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)) – 80 В
    • Номинальный ток (ID(on)) – 100 А
    • Тип – N-канальный MOSFET
    • Пакет – TDSON
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении включенного состояния
    • Устойчивость к перегреву благодаря низкому коэффициенту температурной зависимости RDS(on)
    • Малый размер и легкий вес за счет компактного пакета TDSON
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимость соблюдения правил охлаждения при работе на полном токе
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в электротранспорте для управления двигателем
    • Работа в системах управления приводами
    • Использование в телекоммуникационных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Источники питания для бытовой техники
    • Системы управления электродвигателями в промышленности
    • Телекоммуникационные устройства
    • Электропитание компьютеров и серверов
Выбрано: Показать

Характеристики BSC030N08NS5ATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.8V @ 95µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    76 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5600 pF @ 40 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta), 139W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TDSON-8-7
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    BSC030

Техническая документация

 BSC030N08NS5ATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IPP037N08N3GXKSA1MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
    558Кешбэк 83 балла
    IPD90N04S304ATMA1MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
    560Кешбэк 84 балла
    IRFS4310ZTRLPBFMOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
    562Кешбэк 84 балла
    IRFP3703PBFMOSFET N-CH 30V 210A TO247AC
    562Кешбэк 84 балла
    IRF6727MTRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
    564Кешбэк 84 балла
    IPB80N06S2L11ATMA2MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
    564Кешбэк 84 балла
    IRL3705ZSTRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
    564Кешбэк 84 балла
    AUIRFR4105ZTRLMOSFET N-CH 55V 20A DPAK
    566Кешбэк 84 балла
    BSC030N08NS5ATMA1MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
    568Кешбэк 85 баллов
    IPL65R165CFDAUMA1MOSFET N-CH 650V 21.3A 4VSON
    570Кешбэк 85 баллов
    IPP60R180C7XKSA1MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3
    572Кешбэк 85 баллов
    IRF4104SPBFMOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
    574Кешбэк 86 баллов
    IPL60R180P6AUMA1MOSFET N-CH 600V 22.4A 4VSON
    582Кешбэк 87 баллов
    IRF2204PBFMOSFET N-CH 40V 210A TO220AB
    582Кешбэк 87 баллов
    IRF6623TRPBFMOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
    584Кешбэк 87 баллов
    AUIRFR8401TRLMOSFET N-CH 40V 100A DPAK
    584Кешбэк 87 баллов
    AUIRFR4292TRLMOSFET N-CH 250V 9.3A DPAK
    586Кешбэк 87 баллов
    IPB80N06S2L07ATMA3MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
    586Кешбэк 87 баллов
    IPP60R125P6XKSA1MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3
    586Кешбэк 87 баллов
    IPL65R230C7AUMA1MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON
    587Кешбэк 88 баллов
    IRL3705NSTRLPBFMOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
    587Кешбэк 88 баллов
    SPA15N60C3XKSA1MOSFET N-CH 650V 15A TO220-FP
    587Кешбэк 88 баллов
    IPA65R225C7XKSA1MOSFET N-CH 650V 7A TO220-FP
    589Кешбэк 88 баллов
    IRF6613TRPBFMOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
    591Кешбэк 88 баллов
    IRLH5030TRPBFMOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
    591Кешбэк 88 баллов
    IRFB4310ZPBFMOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
    593Кешбэк 88 баллов
    IRF3415STRLPBFMOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
    595Кешбэк 89 баллов
    IRFI4110GPBFMOSFET N-CH 100V 72A TO220AB FP
    595Кешбэк 89 баллов
    IPA60R280E6600V 0.28OHM N-CHANNEL MOSFET
    595Кешбэк 89 баллов
    IPL65R130C7AUMA1MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON
    595Кешбэк 89 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Модули драйверов питания
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы специального назначения
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диодные мосты
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Сборки биполярных транзисторов
    Симисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторные модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - IGBT - модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды силовые
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты - Модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП