Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
 Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
BSR58
  • В избранное
  • В сравнение
BSR58

BSR58

BSR58
;
BSR58

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    BSR58
  • Описание:
    JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23Все характеристики

Минимальная цена BSR58 при покупке от 1 шт 81.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSR58 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSR58

BSR58 onsemi JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки (VGS(off)): не менее 40В
    • Максимальный тепловой ток (ID(max)): 125мА
    • Максимальное напряжение между выводами (VDS(max)): 40В
    • Мощность (Pmax): 0.25Вт
    • Пакет: SOT-23
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение блокировки
    • Малый размер пакета
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к электрическим помехам
  • Минусы:
    • Низкая максимальная токовая способность по сравнению с MOSFET
    • Затрудненность контроля напряжения
  • Общее назначение:
    • Изоляция логических сигналов
    • Драйверы для индуктивных нагрузок
    • Переключатели
    • Регуляторы напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Системы управления двигателей
    • Мобильные устройства
    • Промышленное оборудование
    • Автомобильные системы
Выбрано: Показать

Характеристики BSR58

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    40 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    8 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    800 mV @ 0.5 nA
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    60 Ohms
  • Рассеивание мощности
    250 mW
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Base Product Number
    BSR58

Техническая документация

 BSR58.pdf
pdf. 0 kb
  • 8374 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    81 ₽
  • 100
    32 ₽
  • 1000
    21 ₽
  • 6000
    15.4 ₽
  • 15000
    13.7 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    BSR58
  • Описание:
    JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23Все характеристики

Минимальная цена BSR58 при покупке от 1 шт 81.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSR58 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSR58

BSR58 onsemi JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки (VGS(off)): не менее 40В
    • Максимальный тепловой ток (ID(max)): 125мА
    • Максимальное напряжение между выводами (VDS(max)): 40В
    • Мощность (Pmax): 0.25Вт
    • Пакет: SOT-23
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение блокировки
    • Малый размер пакета
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к электрическим помехам
  • Минусы:
    • Низкая максимальная токовая способность по сравнению с MOSFET
    • Затрудненность контроля напряжения
  • Общее назначение:
    • Изоляция логических сигналов
    • Драйверы для индуктивных нагрузок
    • Переключатели
    • Регуляторы напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Системы управления двигателей
    • Мобильные устройства
    • Промышленное оборудование
    • Автомобильные системы
Выбрано: Показать

Характеристики BSR58

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    40 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    8 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    800 mV @ 0.5 nA
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    60 Ohms
  • Рассеивание мощности
    250 mW
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Base Product Number
    BSR58

Техническая документация

 BSR58.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MMBFJ175LT1GТиристор: JFET P-CH 30V 0.225W SOT23-3
    89Кешбэк 13 баллов
    MMBF4117JFET N-CH 40V 0.225W SOT23
    105Кешбэк 15 баллов
    MMBF4391LT1GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
    85Кешбэк 12 баллов
    2SK208-R(TE85L,F)JFET N-CH 50V S-MINI
    92Кешбэк 13 баллов
    2SK3320-BL(TE85L,FJFET DUAL N-CH USV
    208Кешбэк 31 балл
    2SK2145-BL(TE85L,FJFET N-CH 50V SMV
    171Кешбэк 25 баллов
    2SK880GRTE85LFJFET N-CH 50V 0.1W USM
    134Кешбэк 20 баллов
    2SK208-Y(TE85L,F)JFET N-CH 50V S-MINI
    92Кешбэк 13 баллов
    2SK208-O(TE85L,F)JFET N-CH 50V SC59
    108Кешбэк 16 баллов
    2SK879-GR(TE85L,F)JFET N-CH 0.1W USM
    97Кешбэк 14 баллов
    2SK208-GR(TE85L,F)JFET N-CH 50V SC59
    38Кешбэк 5 баллов
    2SK2145-Y(TE85L,F)MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV
    180Кешбэк 27 баллов
    2SK880-Y(TE85L,F)JFET N-CH 50V 0.1W USM
    173Кешбэк 25 баллов
    2SK880-BL(TE85L,F)JFET N-CH 50V 0.1W USM
    159Кешбэк 23 балла
    2SK879-Y(TE85L,F)JFET N-CH 0.1W USM
    97Кешбэк 14 баллов
    J111,126JFET N-CH 40V 400MW TO92-3
    75Кешбэк 11 баллов
    2N5639SMALL SIGNAL FET
    85Кешбэк 12 баллов
    PN4118SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    22Кешбэк 3 балла
    PN4093JFET N-CH 40V 0.625W TO92
    85Кешбэк 12 баллов
    PF53012SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    18.4Кешбэк 2 балла
    PN5434SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    63Кешбэк 9 баллов
    CMPFJ176 TRТиристор: IC JFET P-CH SOT23-3
    192Кешбэк 28 баллов
    CMPFJ175 TRIC JFET P-CH SOT23-3
    263Кешбэк 39 баллов
    PN4393 TRAJFET N-CH 40V 0.625W TO92
    425Кешбэк 63 балла
    IJW120R100T1FKSA1JFET N-CHAN 26A TO247-3
    3 503Кешбэк 525 баллов
    MPF4393JFET N-CH 30V 0.35W TO92
    460Кешбэк 69 баллов
    JANTX2N4857JFET N-CH 40V 360MW TO-18
    4 193Кешбэк 628 баллов
    TF208TH-4-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    18.4Кешбэк 2 балла
    TF202THC-3-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    12.9Кешбэк 1 балл
    2SK3666-2-TB-EJFET NCH 30V 200MW 3CP
    15.6Кешбэк 2 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - TRIACs
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды силовые
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Принадлежности
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП