Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
BUK9M34-100EX
  • В избранное
  • В сравнение
BUK9M34-100EX

BUK9M34-100EX

BUK9M34-100EX
;
BUK9M34-100EX

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    BUK9M34-100EX
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 29A LFPAK33Все характеристики

Минимальная цена BUK9M34-100EX при покупке от 1 шт 278.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BUK9M34-100EX с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BUK9M34-100EX

BUK9M34-100EX Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 29A LFPAK33

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 100В
    • Максимальный ток проводимости (ID): 29А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: LFPAK33
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Компактный размер пакета для экономии места на печатной плате
    • Низкий уровень шума и помех
  • Минусы:
    • Необходимо соблюдать правила охлаждения при высоких нагрузках
    • Зависимость характеристик от температуры
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в системах управления электрическими машинами
    • Работа в драйверах преобразователей
    • Интеграция в различные электронные устройства, требующие управления мощными токами
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Промышленном оборудовании
    • Портативных электронных устройствах
    • Электронных устройствах, требующих управления мощными токами
Выбрано: Показать

Характеристики BUK9M34-100EX

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    29A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    34mOhm @ 5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.1V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    24.7 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2844 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    79W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    LFPAK33
  • Корпус
    SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
  • Base Product Number
    BUK9M34

Техническая документация

 BUK9M34-100EX.pdf
pdf. 0 kb
  • 132 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    278 ₽
  • 10
    175 ₽
  • 100
    116 ₽
  • 3000
    71 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    BUK9M34-100EX
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 29A LFPAK33Все характеристики

Минимальная цена BUK9M34-100EX при покупке от 1 шт 278.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BUK9M34-100EX с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BUK9M34-100EX

BUK9M34-100EX Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 29A LFPAK33

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 100В
    • Максимальный ток проводимости (ID): 29А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: LFPAK33
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Компактный размер пакета для экономии места на печатной плате
    • Низкий уровень шума и помех
  • Минусы:
    • Необходимо соблюдать правила охлаждения при высоких нагрузках
    • Зависимость характеристик от температуры
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в системах управления электрическими машинами
    • Работа в драйверах преобразователей
    • Интеграция в различные электронные устройства, требующие управления мощными токами
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Промышленном оборудовании
    • Портативных электронных устройствах
    • Электронных устройствах, требующих управления мощными токами
Выбрано: Показать

Характеристики BUK9M34-100EX

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    29A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    34mOhm @ 5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.1V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    24.7 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2844 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    79W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    LFPAK33
  • Корпус
    SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
  • Base Product Number
    BUK9M34

Техническая документация

 BUK9M34-100EX.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SIA921EDJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
    185Кешбэк 27 баллов
    SIA975DJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC-70-6
    187Кешбэк 28 баллов
    SIA923EDJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6
    187Кешбэк 28 баллов
    SI5936DU-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6A PWRPK CHPFET
    193Кешбэк 28 баллов
    SI4804CDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
    209Кешбэк 31 балл
    SI4599DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
    213Кешбэк 31 балл
    SI4554DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SO
    217Кешбэк 32 балла
    SIS990DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
    217Кешбэк 32 балла
    SI4214DDY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SO
    250Кешбэк 37 баллов
    SI6954ADQ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
    258Кешбэк 38 баллов
    SIZ340DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAIR3X3
    267Кешбэк 40 баллов
    SI6926ADQ-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
    276Кешбэк 41 балл
    SI4564DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 10A 8SOIC
    276Кешбэк 41 балл
    SI4909DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO
    291Кешбэк 43 балла
    SI7212DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8
    304Кешбэк 45 баллов
    SI7288DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8
    308Кешбэк 46 баллов
    SQJ844AEP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
    324Кешбэк 48 баллов
    SI4936BDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
    324Кешбэк 48 баллов
    SI4931DY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC
    328Кешбэк 49 баллов
    SI4900DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
    332Кешбэк 49 баллов
    SI4900DY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
    332Кешбэк 49 баллов
    SI4948BEY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC
    345Кешбэк 51 балл
    SQJ202EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO
    371Кешбэк 55 баллов
    SIZ902DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
    376Кешбэк 56 баллов
    SI7998DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
    396Кешбэк 59 баллов
    SI7216DN-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8
    408Кешбэк 61 балл
    SI7216DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
    408Кешбэк 61 балл
    SI7900AEDN-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
    415Кешбэк 62 балла
    SI7923DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
    426Кешбэк 63 балла
    SI4559ADY-T1-E3Транзистор: MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC
    439Кешбэк 65 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты
    Диоды - ВЧ
    Принадлежности
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП