Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
DDTA123ECA-7-F
  • В избранное
  • В сравнение
DDTA123ECA-7-F

DDTA123ECA-7-F

DDTA123ECA-7-F
;
DDTA123ECA-7-F

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DDTA123ECA-7-F
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена DDTA123ECA-7-F при покупке от 1 шт 37.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DDTA123ECA-7-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DDTA123ECA-7-F

DDTA123ECA-7-F — это транзистор типа PNP с предварительной центрировкой базы от компании Diodes Incorporated. Он представлен в корпусе SOT23-3. Давайте рассмотрим его основные параметры, преимущества и недостатки, а также область применения.

  • Основные параметры:
    • Максимальная мощность: 200 мВт
    • Напряжение базы-эмиттера: не указано, но обычно для PNP типов в этом корпусе это около 5 В
    • Напряжение коллектора-;base: не указано, но обычно для таких транзисторов это около 60 В
    • Ток коллектора: до 100 мА
  • Преимущества:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Компактный корпус SOT23-3
    • Высокий коэффициент усиления
    • Устойчивость к перегреву благодаря предварительной центрировке базы
  • Недостатки:
    • Высокое напряжение базы-эмиттера может ограничить некоторые приложения
    • Требует дополнительного питания для поддержания напряжения базы выше тока коллектора
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжений в электронных устройствах
    • Импульсные преобразователи
    • Цифровые и аналоговые схемы
    • Защита от перегрузок и защита от обратного тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства (например, смартфоны)
    • Автомобильные системы
    • Электронные часы и другие низкопотребление устройства
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики DDTA123ECA-7-F

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    2.2 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    2.2 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    20 @ 20mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Трансформация частоты
    250 MHz
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Base Product Number
    DDTA123

Техническая документация

 DDTA123ECA-7-F.pdf
pdf. 0 kb
  • 2998 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    37 ₽
  • 100
    14 ₽
  • 1000
    9 ₽
  • 6000
    6.6 ₽
  • 15000
    5.8 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DDTA123ECA-7-F
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена DDTA123ECA-7-F при покупке от 1 шт 37.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DDTA123ECA-7-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DDTA123ECA-7-F

DDTA123ECA-7-F — это транзистор типа PNP с предварительной центрировкой базы от компании Diodes Incorporated. Он представлен в корпусе SOT23-3. Давайте рассмотрим его основные параметры, преимущества и недостатки, а также область применения.

  • Основные параметры:
    • Максимальная мощность: 200 мВт
    • Напряжение базы-эмиттера: не указано, но обычно для PNP типов в этом корпусе это около 5 В
    • Напряжение коллектора-;base: не указано, но обычно для таких транзисторов это около 60 В
    • Ток коллектора: до 100 мА
  • Преимущества:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Компактный корпус SOT23-3
    • Высокий коэффициент усиления
    • Устойчивость к перегреву благодаря предварительной центрировке базы
  • Недостатки:
    • Высокое напряжение базы-эмиттера может ограничить некоторые приложения
    • Требует дополнительного питания для поддержания напряжения базы выше тока коллектора
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжений в электронных устройствах
    • Импульсные преобразователи
    • Цифровые и аналоговые схемы
    • Защита от перегрузок и защита от обратного тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства (например, смартфоны)
    • Автомобильные системы
    • Электронные часы и другие низкопотребление устройства
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики DDTA123ECA-7-F

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    2.2 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    2.2 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    20 @ 20mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Трансформация частоты
    250 MHz
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Base Product Number
    DDTA123

Техническая документация

 DDTA123ECA-7-F.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BCR148WH6327XTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
    61Кешбэк 9 баллов
    BCR169E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
    9.3Кешбэк 1 балл
    BCR162E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
    9.3Кешбэк 1 балл
    BCR196WH6327XTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
    11.1Кешбэк 1 балл
    BCR129WH6327XTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
    13Кешбэк 1 балл
    BCR119E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
    7.4Кешбэк 1 балл
    BCR129E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
    13Кешбэк 1 балл
    BCR146E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
    9.3Кешбэк 1 балл
    BCR116E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
    41Кешбэк 6 баллов
    BCR166WH6327XTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
    13Кешбэк 1 балл
    BCR142WH6327XTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
    11.1Кешбэк 1 балл
    BCR505E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3
    61Кешбэк 9 баллов
    BCR166E6433HTMA1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
    9.3Кешбэк 1 балл
    BCR108E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
    43Кешбэк 6 баллов
    BCR112WH6327XTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
    8Кешбэк 1 балл
    BCR142E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
    44.5Кешбэк 6 баллов
    BCR198E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
    44.5Кешбэк 6 баллов
    BCR512E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3
    61Кешбэк 9 баллов
    BCR183WH6327XTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
    13Кешбэк 1 балл
    BCR141WH6327XTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
    61Кешбэк 9 баллов
    BCR183E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
    44.5Кешбэк 6 баллов
    BCR 129 E6327BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
    65Кешбэк 9 баллов
    BCR135WH6327XTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
    9.3Кешбэк 1 балл
    BCR133WH6327XTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
    13Кешбэк 1 балл
    BCR503E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
    60Кешбэк 9 баллов
    BCR523E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3
    61Кешбэк 9 баллов
    BCR533E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
    43Кешбэк 6 баллов
    BCR135E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
    44.5Кешбэк 6 баллов
    BCR112E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
    43Кешбэк 6 баллов
    BCR133E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
    43Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Принадлежности
    Диоды - выпрямители - массивы
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Симисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды силовые
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП