Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
DDTC114TUA-7-F
  • В избранное
  • В сравнение
DDTC114TUA-7-F

DDTC114TUA-7-F

DDTC114TUA-7-F
;
DDTC114TUA-7-F

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DDTC114TUA-7-F
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323Все характеристики

Минимальная цена DDTC114TUA-7-F при покупке от 1 шт 41.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DDTC114TUA-7-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DDTC114TUA-7-F

DDTC114TUA-7-F — транзистор NPN типа преамп с мощностью 200 мВт и корпусом SOT323 от компании Diodes Incorporated.

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Мощность: 200 мВт
    • Корпус: SOT323
    • Преамп: Да
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность в работе с низкими сигналами
    • Устойчивость к шуму и помехам
    • Компактный корпус SOT323 для экономии места на плате
  • Минусы:
    • Не подходит для высоковольтных приложений
    • Ограниченная теплопроводность корпуса
  • Общее назначение:
    • Использование в преампах для усиления слабых сигналов
    • Применение в цифровых и аналоговых схемах
    • Работа в радиоэлектронных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Аудиосистемы
    • Цифровые устройства с аналоговым входом
    • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики DDTC114TUA-7-F

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    100 @ 1mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 100µA, 1mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA (ICBO)
  • Трансформация частоты
    250 MHz
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    SOT-323
  • Base Product Number
    DDTC114

Техническая документация

 DDTC114TUA-7-F.pdf
pdf. 0 kb
  • 3022 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    41 ₽
  • 100
    15.3 ₽
  • 1000
    9.8 ₽
  • 6000
    7.3 ₽
  • 15000
    6.3 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DDTC114TUA-7-F
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323Все характеристики

Минимальная цена DDTC114TUA-7-F при покупке от 1 шт 41.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DDTC114TUA-7-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DDTC114TUA-7-F

DDTC114TUA-7-F — транзистор NPN типа преамп с мощностью 200 мВт и корпусом SOT323 от компании Diodes Incorporated.

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Мощность: 200 мВт
    • Корпус: SOT323
    • Преамп: Да
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность в работе с низкими сигналами
    • Устойчивость к шуму и помехам
    • Компактный корпус SOT323 для экономии места на плате
  • Минусы:
    • Не подходит для высоковольтных приложений
    • Ограниченная теплопроводность корпуса
  • Общее назначение:
    • Использование в преампах для усиления слабых сигналов
    • Применение в цифровых и аналоговых схемах
    • Работа в радиоэлектронных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Аудиосистемы
    • Цифровые устройства с аналоговым входом
    • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики DDTC114TUA-7-F

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    100 @ 1mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 100µA, 1mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA (ICBO)
  • Трансформация частоты
    250 MHz
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    SOT-323
  • Base Product Number
    DDTC114

Техническая документация

 DDTC114TUA-7-F.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BCR148WH6327XTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
    61Кешбэк 9 баллов
    BCR169E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
    9.3Кешбэк 1 балл
    BCR162E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
    9.3Кешбэк 1 балл
    BCR196WH6327XTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
    11.1Кешбэк 1 балл
    BCR129WH6327XTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
    13Кешбэк 1 балл
    BCR119E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
    7.4Кешбэк 1 балл
    BCR129E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
    13Кешбэк 1 балл
    BCR146E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
    9.3Кешбэк 1 балл
    BCR116E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
    41Кешбэк 6 баллов
    BCR166WH6327XTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
    13Кешбэк 1 балл
    BCR142WH6327XTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
    11.1Кешбэк 1 балл
    BCR505E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3
    61Кешбэк 9 баллов
    BCR166E6433HTMA1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
    9.3Кешбэк 1 балл
    BCR108E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
    43Кешбэк 6 баллов
    BCR112WH6327XTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
    8Кешбэк 1 балл
    BCR142E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
    44.5Кешбэк 6 баллов
    BCR198E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
    44.5Кешбэк 6 баллов
    BCR512E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3
    61Кешбэк 9 баллов
    BCR183WH6327XTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
    13Кешбэк 1 балл
    BCR141WH6327XTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
    61Кешбэк 9 баллов
    BCR183E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
    44.5Кешбэк 6 баллов
    BCR 129 E6327BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
    65Кешбэк 9 баллов
    BCR135WH6327XTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
    9.3Кешбэк 1 балл
    BCR133WH6327XTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
    13Кешбэк 1 балл
    BCR503E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
    60Кешбэк 9 баллов
    BCR523E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3
    61Кешбэк 9 баллов
    BCR533E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
    43Кешбэк 6 баллов
    BCR135E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
    44.5Кешбэк 6 баллов
    BCR112E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
    43Кешбэк 6 баллов
    BCR133E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
    43Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - TRIACs
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - JFET
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Принадлежности
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диодные мосты
    Диоды силовые
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Триодные тиристоры - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Симисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП