Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
DMC1028UFDB-7
  • В избранное
  • В сравнение
DMC1028UFDB-7

DMC1028UFDB-7

DMC1028UFDB-7
;
DMC1028UFDB-7

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMC1028UFDB-7
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 12V/20V 6UDFNВсе характеристики

Минимальная цена DMC1028UFDB-7 при покупке от 1 шт 224.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMC1028UFDB-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMC1028UFDB-7

DMC1028UFDB-7 Diodes Incorporated Транзистор: MOSFET N/P-CH 12V/20V 6UDFN

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (MOSFET)
    • Полярность: N/P-канальный (N/P-Channel)
    • Рейтинг напряжения: 12В / 20В
    • Объемный размер: 6UDFN
    • Максимальная номинальная токовая способность: 20А
    • Максимальная дрейфовая частота: 500кГц
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения благодаря высокой максимальной дрейфовой частоте
    • Низкий сопротивление при прохождении тока
    • Устойчивость к электрическим шумам и помехам
    • Небольшой объемный размер, что позволяет сэкономить пространство на печатной плате
  • Минусы:
    • Уязвимость к удару электростатического разряда (ESD)
    • Необходимость дополнительного оборудования для безопасной работы (например, радиодиэлектрические фильтры)
  • Общее назначение:
    • Контроль и управление током в электронных цепях
    • Переключение высоких токов с низкими потерьами энергии
    • Использование в системах питания, преобразователях напряжения и других приборах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Преобразователи напряжения
    • Электронные устройства управления двигателем
    • Системы управления мощностью
    • Инверторы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики DMC1028UFDB-7

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12V, 20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6A, 3.4A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25mOhm @ 5.2A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18.5nC @ 8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    787pF @ 6V
  • Рассеивание мощности
    1.36W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-UDFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    U-DFN2020-6 (Type B)
  • Base Product Number
    DMC1028

Техническая документация

 DMC1028UFDB-7.pdf
pdf. 0 kb
  • 4430 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    224 ₽
  • 10
    141 ₽
  • 500
    72 ₽
  • 3000
    55 ₽
  • 9000
    49 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMC1028UFDB-7
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 12V/20V 6UDFNВсе характеристики

Минимальная цена DMC1028UFDB-7 при покупке от 1 шт 224.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMC1028UFDB-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMC1028UFDB-7

DMC1028UFDB-7 Diodes Incorporated Транзистор: MOSFET N/P-CH 12V/20V 6UDFN

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (MOSFET)
    • Полярность: N/P-канальный (N/P-Channel)
    • Рейтинг напряжения: 12В / 20В
    • Объемный размер: 6UDFN
    • Максимальная номинальная токовая способность: 20А
    • Максимальная дрейфовая частота: 500кГц
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения благодаря высокой максимальной дрейфовой частоте
    • Низкий сопротивление при прохождении тока
    • Устойчивость к электрическим шумам и помехам
    • Небольшой объемный размер, что позволяет сэкономить пространство на печатной плате
  • Минусы:
    • Уязвимость к удару электростатического разряда (ESD)
    • Необходимость дополнительного оборудования для безопасной работы (например, радиодиэлектрические фильтры)
  • Общее назначение:
    • Контроль и управление током в электронных цепях
    • Переключение высоких токов с низкими потерьами энергии
    • Использование в системах питания, преобразователях напряжения и других приборах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Преобразователи напряжения
    • Электронные устройства управления двигателем
    • Системы управления мощностью
    • Инверторы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики DMC1028UFDB-7

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12V, 20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6A, 3.4A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25mOhm @ 5.2A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18.5nC @ 8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    787pF @ 6V
  • Рассеивание мощности
    1.36W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-UDFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    U-DFN2020-6 (Type B)
  • Base Product Number
    DMC1028

Техническая документация

 DMC1028UFDB-7.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SIA921EDJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
    185Кешбэк 27 баллов
    SIA975DJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC-70-6
    187Кешбэк 28 баллов
    SIA923EDJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6
    187Кешбэк 28 баллов
    SI5936DU-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6A PWRPK CHPFET
    193Кешбэк 28 баллов
    SI4804CDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
    209Кешбэк 31 балл
    SI4599DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
    213Кешбэк 31 балл
    SI4554DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SO
    217Кешбэк 32 балла
    SIS990DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
    217Кешбэк 32 балла
    SI4214DDY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SO
    250Кешбэк 37 баллов
    SI6954ADQ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
    258Кешбэк 38 баллов
    SIZ340DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAIR3X3
    267Кешбэк 40 баллов
    SI6926ADQ-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
    276Кешбэк 41 балл
    SI4564DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 10A 8SOIC
    276Кешбэк 41 балл
    SI4909DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO
    291Кешбэк 43 балла
    SI7212DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8
    304Кешбэк 45 баллов
    SI7288DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8
    308Кешбэк 46 баллов
    SQJ844AEP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
    324Кешбэк 48 баллов
    SI4936BDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
    324Кешбэк 48 баллов
    SI4931DY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC
    328Кешбэк 49 баллов
    SI4900DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
    332Кешбэк 49 баллов
    SI4900DY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
    332Кешбэк 49 баллов
    SI4948BEY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC
    345Кешбэк 51 балл
    SQJ202EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO
    371Кешбэк 55 баллов
    SIZ902DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
    376Кешбэк 56 баллов
    SI7998DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
    396Кешбэк 59 баллов
    SI7216DN-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8
    408Кешбэк 61 балл
    SI7216DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
    408Кешбэк 61 балл
    SI7900AEDN-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
    415Кешбэк 62 балла
    SI7923DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
    426Кешбэк 63 балла
    SI4559ADY-T1-E3Транзистор: MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC
    439Кешбэк 65 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Сборки
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Симисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диодные мосты
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Принадлежности
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - Специального назначения
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - JFET
    Модули драйверов питания
    Драйверы питания - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды силовые
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП