Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
DMG4511SK4-13
  • В избранное
  • В сравнение
DMG4511SK4-13

DMG4511SK4-13

DMG4511SK4-13
;
DMG4511SK4-13

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    DIODES INCORPORATED
  • Артикул:
    DMG4511SK4-13
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 35V TO252-4LВсе характеристики

Минимальная цена DMG4511SK4-13 при покупке от 1 шт 220.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMG4511SK4-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMG4511SK4-13

Диод DMG4511SK4-13 DIODES INCORPORATED

  • Тип: MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L
  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение вдоль канала (VDS(on)): 35В
    • Номинальный ток при VGS = 0В (ID(off)): ≤15µA
    • Номинальный ток при VGS = 10В (ID(on)): 4.5А
    • Угол смещения (θJ-A): 45°C/W
    • Коэффициент теплового сопротивления (RθJC): 60°C/Вт
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в ON-состоянии
    • Низкий ток утечки в OFF-состоянии
    • Малый размер и компактность благодаря TO252-4L корпусу
    • Высокая надежность и стабильность характеристик
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с традиционными транзисторами
    • Зависимость характеристик от температуры
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками в электронных устройствах
    • Переключение высоковольтных сигналов
    • Ограничение тока в цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления
    • Системы питания и преобразования напряжения
    • Инверторы и преобразователи
    • Радиоэлектронные устройства
    • Микросхемы и логические элементы
Выбрано: Показать

Характеристики DMG4511SK4-13

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel, Common Drain
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    35V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.3A, 5A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    35mOhm @ 8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18.7nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    850pF @ 25V
  • Рассеивание мощности
    1.54W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
  • Исполнение корпуса
    TO-252-4L
  • Base Product Number
    DMG4511

Техническая документация

 DMG4511SK4-13.pdf
pdf. 0 kb
  • 2427 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    220 ₽
  • 10
    138 ₽
  • 100
    90 ₽
  • 500
    70 ₽
  • 1000
    68 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    DIODES INCORPORATED
  • Артикул:
    DMG4511SK4-13
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 35V TO252-4LВсе характеристики

Минимальная цена DMG4511SK4-13 при покупке от 1 шт 220.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMG4511SK4-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMG4511SK4-13

Диод DMG4511SK4-13 DIODES INCORPORATED

  • Тип: MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L
  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение вдоль канала (VDS(on)): 35В
    • Номинальный ток при VGS = 0В (ID(off)): ≤15µA
    • Номинальный ток при VGS = 10В (ID(on)): 4.5А
    • Угол смещения (θJ-A): 45°C/W
    • Коэффициент теплового сопротивления (RθJC): 60°C/Вт
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в ON-состоянии
    • Низкий ток утечки в OFF-состоянии
    • Малый размер и компактность благодаря TO252-4L корпусу
    • Высокая надежность и стабильность характеристик
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с традиционными транзисторами
    • Зависимость характеристик от температуры
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками в электронных устройствах
    • Переключение высоковольтных сигналов
    • Ограничение тока в цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления
    • Системы питания и преобразования напряжения
    • Инверторы и преобразователи
    • Радиоэлектронные устройства
    • Микросхемы и логические элементы
Выбрано: Показать

Характеристики DMG4511SK4-13

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel, Common Drain
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    35V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.3A, 5A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    35mOhm @ 8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18.7nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    850pF @ 25V
  • Рассеивание мощности
    1.54W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
  • Исполнение корпуса
    TO-252-4L
  • Base Product Number
    DMG4511

Техническая документация

 DMG4511SK4-13.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BUK9M10-30EXMOSFET N-CH 30V 54A LFPAK33
    257Кешбэк 38 баллов
    BUK9M17-30EXMOSFET N-CH 30V 37A LFPAK33
    269Кешбэк 40 баллов
    BUK9M43-100EXMOSFET N-CH 100V 25A LFPAK33
    289Кешбэк 43 балла
    BUK9K8R7-40EXТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 30A 56LFPAK
    293Кешбэк 43 балла
    BUK9M34-100EXMOSFET N-CH 100V 29A LFPAK33
    299Кешбэк 44 балла
    BUK9M23-80EXMOSFET N-CH 80V 37A LFPAK33
    325Кешбэк 48 баллов
    BUK9M6R6-30EXMOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
    333Кешбэк 49 баллов
    BUK9K25-40EXТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 18.2A 56LFPAK
    359Кешбэк 53 балла
    BUK7K8R7-40EXТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 30A 56LFPAK
    459Кешбэк 68 баллов
    BUK9K5R1-30EXТранзистор: BUK9K5R1-30E - DUAL N-CHANNEL 30
    497Кешбэк 74 балла
    BUK9K6R2-40E,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
    610Кешбэк 91 балл
    UM6K33NTNТранзистор: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
    76Кешбэк 11 баллов
    VT6M1T2CRТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
    76Кешбэк 11 баллов
    EM6K34T2CRТранзистор: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
    82Кешбэк 12 баллов
    UM6K34NTCNТранзистор: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
    82Кешбэк 12 баллов
    UM6K31NTNТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6
    87Кешбэк 13 баллов
    EM6M2T2RТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
    96Кешбэк 14 баллов
    EM6K31GT2RТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
    100Кешбэк 15 баллов
    UM6K1NTNТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363
    106Кешбэк 15 баллов
    EM6K6T2RТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
    118Кешбэк 17 баллов
    EM6K33T2RТранзистор: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
    126Кешбэк 18 баллов
    EM5K5T2RТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.3A EMT5
    128Кешбэк 19 баллов
    EM6K7T2RТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.2A EMT6
    132Кешбэк 19 баллов
    EM6J1T2RТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6
    138Кешбэк 20 баллов
    SM6K2T110Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457
    138Кешбэк 20 баллов
    EM6K1T2RТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V .1A EMT6
    144Кешбэк 21 балл
    UM6J1NTNТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6
    146Кешбэк 21 балл
    EM6K31T2RТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
    154Кешбэк 23 балла
    TT8M1TRТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8
    162Кешбэк 24 балла
    QS6M3TRТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
    176Кешбэк 26 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторные модули
    Высокочастотные диоды
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - SCR - модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    IGBT транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диодные мосты - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - ВЧ
    Одиночные триодные тиристоры
    Одиночные IGBT транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диодные мосты
    Одиночные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Сборки биполярных транзисторов
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Тиристоры - TRIACs
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП