Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
DMN3730UFB4-7

DMN3730UFB4-7

DMN3730UFB4-7
;
DMN3730UFB4-7

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена DMN3730UFB4-7 при покупке от 1 шт 72.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN3730UFB4-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN3730UFB4-7

DMN3730UFB4-7 — это полупроводниковый транзистор MOSFET N-канального типа, произведенный компанией Diodes Incorporated. Давайте рассмотрим его основные параметры, преимущества и недостатки, а также области применения.

  • Напряжение блокировки (VGS(th)): 30В
  • Размеры корпуса: 3DFN (3D Flip Chip)
  • Максимальная токовая способность (ID): 750mA
  • Температурный диапазон: от -40°C до +125°C

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность благодаря 3D Flip Chip технологии
  • Малый размер и легкость в интеграции в электронные устройства
  • Низкое значение напряжения включения (VGS(th)) обеспечивает более эффективное управление током

Минусы:

  • Ограниченная максимальная токовая способность (750mA) может быть недостаточной для некоторых приложений
  • Высокие цены по сравнению с другими типами MOSFET

Общее назначение и области применения:

  • Используется в системах управления мощностью
  • Применяется в источниках питания
  • Подходит для цифровых и аналоговых схем
  • Используется в системах управления нагрузками
Выбрано: Показать

Характеристики DMN3730UFB4-7

Техническая документация

DMN3730UFB4-7.pdf
pdf. 0 kb
  • 15873 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    72 ₽
  • 100
    41.6 ₽
  • 3000
    44 ₽
  • 9000
    24.7 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена DMN3730UFB4-7 при покупке от 1 шт 72.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN3730UFB4-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN3730UFB4-7

DMN3730UFB4-7 — это полупроводниковый транзистор MOSFET N-канального типа, произведенный компанией Diodes Incorporated. Давайте рассмотрим его основные параметры, преимущества и недостатки, а также области применения.

  • Напряжение блокировки (VGS(th)): 30В
  • Размеры корпуса: 3DFN (3D Flip Chip)
  • Максимальная токовая способность (ID): 750mA
  • Температурный диапазон: от -40°C до +125°C

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность благодаря 3D Flip Chip технологии
  • Малый размер и легкость в интеграции в электронные устройства
  • Низкое значение напряжения включения (VGS(th)) обеспечивает более эффективное управление током

Минусы:

  • Ограниченная максимальная токовая способность (750mA) может быть недостаточной для некоторых приложений
  • Высокие цены по сравнению с другими типами MOSFET

Общее назначение и области применения:

  • Используется в системах управления мощностью
  • Применяется в источниках питания
  • Подходит для цифровых и аналоговых схем
  • Используется в системах управления нагрузками
Выбрано: Показать

Характеристики DMN3730UFB4-7

Техническая документация

DMN3730UFB4-7.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории