Вход/Регистрация
STD120N4F6MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
DMN3730UFB4-7
DMN3730UFB4-7
- Производитель:Diodes Incorporated
- Артикул:DMN3730UFB4-7
- Описание:MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFNВсе характеристики
Минимальная цена DMN3730UFB4-7 при покупке от 1 шт 156.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN3730UFB4-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 3448 шт3-6 недель
- КоличествоЦена
- 1156 ₽
- 10062 ₽
- 300038 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:Diodes Incorporated
- Артикул:DMN3730UFB4-7
- Описание:MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFNВсе характеристики
Минимальная цена DMN3730UFB4-7 при покупке от 1 шт 156.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN3730UFB4-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание DMN3730UFB4-7
DMN3730UFB4-7 — это полупроводниковый транзистор MOSFET N-канального типа, произведенный компанией Diodes Incorporated. Давайте рассмотрим его основные параметры, преимущества и недостатки, а также области применения.
- Напряжение блокировки (VGS(th)): 30В
- Размеры корпуса: 3DFN (3D Flip Chip)
- Максимальная токовая способность (ID): 750mA
- Температурный диапазон: от -40°C до +125°C
Плюсы:
- Высокая надежность и долговечность благодаря 3D Flip Chip технологии
- Малый размер и легкость в интеграции в электронные устройства
- Низкое значение напряжения включения (VGS(th)) обеспечивает более эффективное управление током
Минусы:
- Ограниченная максимальная токовая способность (750mA) может быть недостаточной для некоторых приложений
- Высокие цены по сравнению с другими типами MOSFET
Общее назначение и области применения:
- Используется в системах управления мощностью
- Применяется в источниках питания
- Подходит для цифровых и аналоговых схем
- Используется в системах управления нагрузками
Выбрано: Показать
Характеристики DMN3730UFB4-7
Техническая документация
DMN3730UFB4-7.pdf pdf. 0 kb