Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
DMT3011LDT-7
  • В избранное
  • В сравнение
DMT3011LDT-7

DMT3011LDT-7

DMT3011LDT-7
;
DMT3011LDT-7

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMT3011LDT-7
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8Все характеристики

Минимальная цена DMT3011LDT-7 при покупке от 1 шт 251.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMT3011LDT-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMT3011LDT-7

DMT3011LDT-7 — это MOSFET (МOS полупроводниковый транзистор) производства компании Diodes Incorporated. Он представлен в пакете V-DFN3030-8.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение коллектора-;base (VDS(on)) — 30 В
    • Номинальный ток дrain (ID(on)) — 8 А
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме ON
    • Низкое сопротивление при отключенном токе
    • Малые размеры и вес благодаря компактному пакету V-DFN3030-8
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Возможны проблемы с электромагнитной совместимостью из-за высокой скорости переключения
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение в электронных цепях
    • Защита электронных компонентов от вредных воздействий
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Интернет-офисные устройства (ИОУ)
    • Портативные электронные устройства
    • Промышленное оборудование
    • Компьютерные системы
Выбрано: Показать

Характеристики DMT3011LDT-7

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    8A, 10.7A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20mOhm @ 6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13.2nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    641pF @ 15V
  • Рассеивание мощности
    1.9W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 155°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-VDFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    V-DFN3030-8 (Type K)
  • Base Product Number
    DMT3011

Техническая документация

 DMT3011LDT-7.pdf
pdf. 0 kb
  • 8052 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    251 ₽
  • 10
    158 ₽
  • 500
    81 ₽
  • 3000
    63 ₽
  • 9000
    56 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMT3011LDT-7
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8Все характеристики

Минимальная цена DMT3011LDT-7 при покупке от 1 шт 251.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMT3011LDT-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMT3011LDT-7

DMT3011LDT-7 — это MOSFET (МOS полупроводниковый транзистор) производства компании Diodes Incorporated. Он представлен в пакете V-DFN3030-8.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение коллектора-;base (VDS(on)) — 30 В
    • Номинальный ток дrain (ID(on)) — 8 А
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме ON
    • Низкое сопротивление при отключенном токе
    • Малые размеры и вес благодаря компактному пакету V-DFN3030-8
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Возможны проблемы с электромагнитной совместимостью из-за высокой скорости переключения
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение в электронных цепях
    • Защита электронных компонентов от вредных воздействий
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Интернет-офисные устройства (ИОУ)
    • Портативные электронные устройства
    • Промышленное оборудование
    • Компьютерные системы
Выбрано: Показать

Характеристики DMT3011LDT-7

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    8A, 10.7A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20mOhm @ 6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13.2nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    641pF @ 15V
  • Рассеивание мощности
    1.9W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 155°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-VDFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    V-DFN3030-8 (Type K)
  • Base Product Number
    DMT3011

Техническая документация

 DMT3011LDT-7.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BUK9M10-30EXMOSFET N-CH 30V 54A LFPAK33
    245Кешбэк 36 баллов
    BUK9M17-30EXMOSFET N-CH 30V 37A LFPAK33
    256Кешбэк 38 баллов
    BUK9M43-100EXMOSFET N-CH 100V 25A LFPAK33
    275Кешбэк 41 балл
    BUK9K8R7-40EXТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 30A 56LFPAK
    279Кешбэк 41 балл
    BUK9M34-100EXMOSFET N-CH 100V 29A LFPAK33
    285Кешбэк 42 балла
    BUK9M23-80EXMOSFET N-CH 80V 37A LFPAK33
    310Кешбэк 46 баллов
    BUK9M6R6-30EXMOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
    317Кешбэк 47 баллов
    BUK9K25-40EXТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 18.2A 56LFPAK
    342Кешбэк 51 балл
    BUK7K8R7-40EXТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 30A 56LFPAK
    437Кешбэк 65 баллов
    BUK9K5R1-30EXТранзистор: BUK9K5R1-30E - DUAL N-CHANNEL 30
    473Кешбэк 70 баллов
    BUK9K6R2-40E,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
    581Кешбэк 87 баллов
    VT6M1T2CRТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
    72Кешбэк 10 баллов
    UM6K33NTNТранзистор: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
    73Кешбэк 10 баллов
    EM6K34T2CRТранзистор: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
    78Кешбэк 11 баллов
    UM6K34NTCNТранзистор: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
    78Кешбэк 11 баллов
    UM6K31NTNТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6
    84Кешбэк 12 баллов
    EM6M2T2RТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
    92Кешбэк 13 баллов
    EM6K31GT2RТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
    95Кешбэк 14 баллов
    UM6K1NTNТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363
    101Кешбэк 15 баллов
    EM6K6T2RТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
    113Кешбэк 16 баллов
    EM6K33T2RТранзистор: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
    120Кешбэк 18 баллов
    EM5K5T2RТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.3A EMT5
    122Кешбэк 18 баллов
    EM6K7T2RТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.2A EMT6
    125Кешбэк 18 баллов
    EM6J1T2RТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6
    131Кешбэк 19 баллов
    SM6K2T110Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457
    131Кешбэк 19 баллов
    EM6K1T2RТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V .1A EMT6
    137Кешбэк 20 баллов
    UM6J1NTNТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6
    139Кешбэк 20 баллов
    EM6K31T2RТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
    146Кешбэк 21 балл
    TT8M1TRТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8
    154Кешбэк 23 балла
    QS6M3TRТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
    167Кешбэк 25 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты
    Одиночные триодные тиристоры
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Модули триодных тиристоров
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Модули драйверов питания
    Одиночные IGBT транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - TRIACs
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Диоды - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов
    Симисторы
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды силовые
    Транзисторные модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП