Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
DMTH4007SPD-13
  • В избранное
  • В сравнение
DMTH4007SPD-13

DMTH4007SPD-13

DMTH4007SPD-13
;
DMTH4007SPD-13

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMTH4007SPD-13
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506Все характеристики

Минимальная цена DMTH4007SPD-13 при покупке от 1 шт 321.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMTH4007SPD-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMTH4007SPD-13

DMTH4007SPD-13 Diodes Incorporated MOSFET:

  • BVDSS: 31V 40V
  • POWERDI506

Основные параметры:

  • Номинальный ток вCollector (IC): 13A
  • Предел напряжения между дреном и сглаживающим слоем (BVDSS): 31В или 40В
  • Частота работы: до 200кГц
  • Тип MOSFET: N-канальный полупроводниковый транзистор

Плюсы:

  • Высокая надежность благодаря качественной сборке и проверенным технологиям производства.
  • Высокие частоты работы, что позволяет использовать их в быстродействующих системах.
  • Устойчивость к перенапряжению, благодаря высокому пределу напряжения BVDSS.
  • Малое энергетическое затухание, что обеспечивает эффективное использование энергии.

Минусы:

  • Высокие тепловые потери при работе на максимальном токе, что требует дополнительного охлаждения.
  • Цена может быть выше по сравнению с другими типами транзисторов.

Общее назначение:

  • Использование в силовых преобразователях, таких как Buck-конвертеры, для управления напряжением.
  • Применение в системах управления электропитанием для контроля тока.
  • Использование в инверторах для преобразования прямого тока в переменный.
  • Применение в мостовых выпрямителях для работы с переменным током.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы питания
  • Мобильные зарядные устройства
  • Инверторы для домашнего использования
  • Системы управления промышленными установками
  • Беспроводные устройства и радиоэлектронная аппаратура
Выбрано: Показать

Характеристики DMTH4007SPD-13

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    14.2A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.6mOhm @ 17A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    41.9nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2026pF @ 30V
  • Рассеивание мощности
    2.6W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Исполнение корпуса
    PowerDI5060-8
  • Base Product Number
    DMTH4007

Техническая документация

 DMTH4007SPD-13.pdf
pdf. 0 kb
  • 10253 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    321 ₽
  • 10
    214 ₽
  • 100
    152 ₽
  • 1000
    112 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMTH4007SPD-13
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506Все характеристики

Минимальная цена DMTH4007SPD-13 при покупке от 1 шт 321.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMTH4007SPD-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMTH4007SPD-13

DMTH4007SPD-13 Diodes Incorporated MOSFET:

  • BVDSS: 31V 40V
  • POWERDI506

Основные параметры:

  • Номинальный ток вCollector (IC): 13A
  • Предел напряжения между дреном и сглаживающим слоем (BVDSS): 31В или 40В
  • Частота работы: до 200кГц
  • Тип MOSFET: N-канальный полупроводниковый транзистор

Плюсы:

  • Высокая надежность благодаря качественной сборке и проверенным технологиям производства.
  • Высокие частоты работы, что позволяет использовать их в быстродействующих системах.
  • Устойчивость к перенапряжению, благодаря высокому пределу напряжения BVDSS.
  • Малое энергетическое затухание, что обеспечивает эффективное использование энергии.

Минусы:

  • Высокие тепловые потери при работе на максимальном токе, что требует дополнительного охлаждения.
  • Цена может быть выше по сравнению с другими типами транзисторов.

Общее назначение:

  • Использование в силовых преобразователях, таких как Buck-конвертеры, для управления напряжением.
  • Применение в системах управления электропитанием для контроля тока.
  • Использование в инверторах для преобразования прямого тока в переменный.
  • Применение в мостовых выпрямителях для работы с переменным током.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы питания
  • Мобильные зарядные устройства
  • Инверторы для домашнего использования
  • Системы управления промышленными установками
  • Беспроводные устройства и радиоэлектронная аппаратура
Выбрано: Показать

Характеристики DMTH4007SPD-13

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    14.2A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.6mOhm @ 17A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    41.9nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2026pF @ 30V
  • Рассеивание мощности
    2.6W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Исполнение корпуса
    PowerDI5060-8
  • Base Product Number
    DMTH4007

Техническая документация

 DMTH4007SPD-13.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BUK9M6R6-30EXMOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
    317Кешбэк 47 баллов
    BUK9K25-40EXТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 18.2A 56LFPAK
    342Кешбэк 51 балл
    BUK7K8R7-40EXТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 30A 56LFPAK
    436Кешбэк 65 баллов
    BUK9K5R1-30EXТранзистор: BUK9K5R1-30E - DUAL N-CHANNEL 30
    472Кешбэк 70 баллов
    BUK9K6R2-40E,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
    581Кешбэк 87 баллов
    VT6M1T2CRТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
    72Кешбэк 10 баллов
    UM6K33NTNТранзистор: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
    73Кешбэк 10 баллов
    EM6K34T2CRТранзистор: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
    78Кешбэк 11 баллов
    UM6K34NTCNТранзистор: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
    78Кешбэк 11 баллов
    UM6K31NTNТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6
    84Кешбэк 12 баллов
    EM6M2T2RТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
    93Кешбэк 13 баллов
    EM6K31GT2RТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
    95Кешбэк 14 баллов
    UM6K1NTNТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363
    101Кешбэк 15 баллов
    EM6K6T2RТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
    114Кешбэк 17 баллов
    EM6K33T2RТранзистор: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
    120Кешбэк 18 баллов
    EM5K5T2RТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.3A EMT5
    121Кешбэк 18 баллов
    EM6K7T2RТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.2A EMT6
    125Кешбэк 18 баллов
    EM6J1T2RТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6
    131Кешбэк 19 баллов
    SM6K2T110Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457
    131Кешбэк 19 баллов
    EM6K1T2RТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V .1A EMT6
    137Кешбэк 20 баллов
    UM6J1NTNТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6
    139Кешбэк 20 баллов
    EM6K31T2RТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
    146Кешбэк 21 балл
    TT8M1TRТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8
    154Кешбэк 23 балла
    QS6M3TRТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
    167Кешбэк 25 баллов
    US6M11TRТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
    176Кешбэк 26 баллов
    US6J11TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
    176Кешбэк 26 баллов
    QS5K2TRТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5
    180Кешбэк 27 баллов
    QH8MA2TCRТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
    180Кешбэк 27 баллов
    QS6M4TRТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
    182Кешбэк 27 баллов
    TT8J11TCRТранзистор: MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSST8
    184Кешбэк 27 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты
    Транзисторные модули
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Модули драйверов питания
    Симисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Модули триодных тиристоров
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Диоды силовые
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные диоды
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Модули драйверов питания
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП