Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FDD8780
  • В избранное
  • В сравнение
FDD8780

FDD8780

FDD8780
;
FDD8780

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    UMW
  • Артикул:
    FDD8780
  • Описание:
    POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3Все характеристики

Минимальная цена FDD8780 при покупке от 1 шт 173.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDD8780 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDD8780

FDD8780 UMW POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

  • Основные параметры:
    • Рейтинг напряжения коллектора-;base: 100В
    • Рейтинг тока канала: 65А
    • Сопротивление при открытом цепи: 10МΩ
    • Коэффициент усиления: 100
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Низкое энергопотребление
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Быстрый включаемый и выключаемый сигнал
  • Минусы:
    • Высокие требования к термической регулировке
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Использование в мощных электронных системах
    • Управление высокими токами
    • Переключение больших мощностей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах управления двигателем
    • Промышленных системах преобразования и управления мощностью
    • Телевизорах и других аудио-видео устройствах
    • Системах питания для серверов и компьютеров
Выбрано: Показать

Характеристики FDD8780

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    25 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    35A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.5mOhm @ 35A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    29 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1440 pF @ 13 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    50W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-252AA
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 2462 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    173 ₽
  • 100
    70 ₽
  • 1000
    48 ₽
  • 5000
    39 ₽
  • 12500
    35 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    UMW
  • Артикул:
    FDD8780
  • Описание:
    POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3Все характеристики

Минимальная цена FDD8780 при покупке от 1 шт 173.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDD8780 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDD8780

FDD8780 UMW POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

  • Основные параметры:
    • Рейтинг напряжения коллектора-;base: 100В
    • Рейтинг тока канала: 65А
    • Сопротивление при открытом цепи: 10МΩ
    • Коэффициент усиления: 100
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Низкое энергопотребление
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Быстрый включаемый и выключаемый сигнал
  • Минусы:
    • Высокие требования к термической регулировке
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Использование в мощных электронных системах
    • Управление высокими токами
    • Переключение больших мощностей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах управления двигателем
    • Промышленных системах преобразования и управления мощностью
    • Телевизорах и других аудио-видео устройствах
    • Системах питания для серверов и компьютеров
Выбрано: Показать

Характеристики FDD8780

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    25 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    35A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.5mOhm @ 35A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    29 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1440 pF @ 13 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    50W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-252AA
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDMC8010ET30MOSFET N-CH 30V 30A/174A POWER33
    196Кешбэк 29 баллов
    FDMS8670SMOSFET N-CH 30V 20A/42A 8PQFN
    203Кешбэк 30 баллов
    FDPF10N60NZMOSFET N-CH 600V 10A TO220F
    407Кешбэк 61 балл
    2N7002Транзистор: MOSFET N-CHANNEL 60V 115MA SOT23
    19Кешбэк 2 балла
    FDN335NТранзистор: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
    57Кешбэк 8 баллов
    FDN361BNMOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3
    70Кешбэк 10 баллов
    FDN308PMOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
    70Кешбэк 10 баллов
    FDN339ANMOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
    70Кешбэк 10 баллов
    FDN359ANMOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
    70Кешбэк 10 баллов
    FDN352APMOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
    70Кешбэк 10 баллов
    FDN358PMOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
    70Кешбэк 10 баллов
    FDN359BNMOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
    70Кешбэк 10 баллов
    FDN360PMOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
    95Кешбэк 14 баллов
    FDT3612MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
    116Кешбэк 17 баллов
    FDD6685POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
    135Кешбэк 20 баллов
    FDS4435BZMOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
    144Кешбэк 21 балл
    NDT3055LMOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
    144Кешбэк 21 балл
    HUF76609D3MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
    154Кешбэк 23 балла
    FDD8874POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
    154Кешбэк 23 балла
    AO4405MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
    160Кешбэк 24 балла
    AO4466MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
    163Кешбэк 24 балла
    FDD6680ASMOSFET N-CH 30V 55A TO252
    163Кешбэк 24 балла
    NTD4860NT4GMOSFET N-CH 25V 10.4A/65A DPAK
    163Кешбэк 24 балла
    FDD8796POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
    173Кешбэк 25 баллов
    FDD8780POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
    173Кешбэк 25 баллов
    FDD6796AMOSFET N-CH 25V 20A/40A TO252
    180Кешбэк 27 баллов
    FDD7030BLMOSFET N-CH 30V 14A/56A DPAK
    180Кешбэк 27 баллов
    FDD8586MOSFET N-CH 20V 35A TO252AA
    180Кешбэк 27 баллов
    FDD6776AMOSFET N-CH 25V 17.7A/30A DPAK
    180Кешбэк 27 баллов
    FDD4141MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAK
    190Кешбэк 28 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторные модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы специального назначения
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные триодные тиристоры
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные IGBT транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП