Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FDD8780
  • В избранное
  • В сравнение
FDD8780

FDD8780

FDD8780
;
FDD8780

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    UMW
  • Артикул:
    FDD8780
  • Описание:
    POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3Все характеристики

Минимальная цена FDD8780 при покупке от 1 шт 173.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDD8780 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDD8780

FDD8780 UMW POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

  • Основные параметры:
    • Рейтинг напряжения коллектора-;base: 100В
    • Рейтинг тока канала: 65А
    • Сопротивление при открытом цепи: 10МΩ
    • Коэффициент усиления: 100
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Низкое энергопотребление
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Быстрый включаемый и выключаемый сигнал
  • Минусы:
    • Высокие требования к термической регулировке
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Использование в мощных электронных системах
    • Управление высокими токами
    • Переключение больших мощностей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах управления двигателем
    • Промышленных системах преобразования и управления мощностью
    • Телевизорах и других аудио-видео устройствах
    • Системах питания для серверов и компьютеров
Выбрано: Показать

Характеристики FDD8780

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    25 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    35A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.5mOhm @ 35A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    29 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1440 pF @ 13 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    50W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-252AA
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 2462 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    173 ₽
  • 100
    70 ₽
  • 1000
    48 ₽
  • 5000
    39 ₽
  • 12500
    35 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    UMW
  • Артикул:
    FDD8780
  • Описание:
    POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3Все характеристики

Минимальная цена FDD8780 при покупке от 1 шт 173.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDD8780 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDD8780

FDD8780 UMW POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

  • Основные параметры:
    • Рейтинг напряжения коллектора-;base: 100В
    • Рейтинг тока канала: 65А
    • Сопротивление при открытом цепи: 10МΩ
    • Коэффициент усиления: 100
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Низкое энергопотребление
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Быстрый включаемый и выключаемый сигнал
  • Минусы:
    • Высокие требования к термической регулировке
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Использование в мощных электронных системах
    • Управление высокими токами
    • Переключение больших мощностей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах управления двигателем
    • Промышленных системах преобразования и управления мощностью
    • Телевизорах и других аудио-видео устройствах
    • Системах питания для серверов и компьютеров
Выбрано: Показать

Характеристики FDD8780

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    25 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    35A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.5mOhm @ 35A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    29 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1440 pF @ 13 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    50W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-252AA
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMN3016LPS-13MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI5060
    141Кешбэк 21 балл
    DMP2004WK-7MOSFET P-CH 20V 400MA SOT323
    141Кешбэк 21 балл
    ZXMN6A07ZTAMOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3
    142Кешбэк 21 балл
    DMP4025SFG-7MOSFET P-CH 40V 4.65A PWRDI3333
    142Кешбэк 21 балл
    DMN10H100SK3-13MOSFET N-CH 100V 18A TO252
    142Кешбэк 21 балл
    BS250FTAMOSFET P-CH 45V 90MA SOT23-3
    142Кешбэк 21 балл
    DMN4036LK3-13MOSFET N-CH 40V 8.5A TO252-3
    143Кешбэк 21 балл
    ZVP3310FTAMOSFET P-CH 100V 75MA SOT23-3
    144Кешбэк 21 балл
    DMG4800LFG-7MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
    144Кешбэк 21 балл
    ZXMN10A07ZTAТранзистор: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3
    145Кешбэк 21 балл
    ZXMP4A57E6TAMOSFET P-CH 40V 2.9A SOT26
    146Кешбэк 21 балл
    DMP1022UFDF-7MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN
    146Кешбэк 21 балл
    DMP3008SFG-7MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
    146Кешбэк 21 балл
    ZXMP10A13FTAMOSFET P-CH 100V 600MA SOT23-3
    147Кешбэк 22 балла
    DMP3035SFG-7MOSFET P-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
    147Кешбэк 22 балла
    ZVN3310FTAMOSFET N-CH 100V 100MA SOT23-3
    147Кешбэк 22 балла
    ZVN2106AMOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3
    147Кешбэк 22 балла
    ZXMP6A17E6QTAТранзистор: MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26
    148Кешбэк 22 балла
    DMN4040SK3-13MOSFET N-CH 40V 6A TO252-3
    148Кешбэк 22 балла
    ZVP1320FTAMOSFET P-CH 200V 35MA SOT23-3
    149Кешбэк 22 балла
    DMP3098LDM-7MOSFET P-CH 30V 4A SOT-26
    150Кешбэк 22 балла
    BS107PMOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
    151Кешбэк 22 балла
    DMG4466SSSL-13MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
    154Кешбэк 23 балла
    DMP4051LK3-13Транзистор: MOSFET P-CH 40V 7.2A TO252-3
    155Кешбэк 23 балла
    ZXMP6A13FTAMOSFET P-CH 60V 900MA SOT23-3
    156Кешбэк 23 балла
    DMN3730UFB4-7MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN
    156Кешбэк 23 балла
    DMN3009SFG-7MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333
    156Кешбэк 23 балла
    DMP3036SFG-7MOSFET P-CH 30V 8.7A PWRDI3333-8
    156Кешбэк 23 балла
    DMN4800LSSQ-13MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SO
    156Кешбэк 23 балла
    ZXMN3B01FTAMOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3
    156Кешбэк 23 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы специального назначения
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторные модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Тиристоры - SCR
    Симисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - JFET
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные IGBT транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Симисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды силовые
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диодные мосты
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR - модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП