Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
FDMA410NZT
  • В избранное
  • В сравнение
FDMA410NZT

FDMA410NZT

FDMA410NZT
;
FDMA410NZT

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi / Fairchild
  • Артикул:
    FDMA410NZT
  • Описание:
    MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFETВсе характеристики

Минимальная цена FDMA410NZT при покупке от 1 шт 203.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDMA410NZT с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDMA410NZT

Маркировка FDMA410NZT, производитель ON Semiconductor / Fairchild

  • MOSFET N-канальный
  • Напряжение РД: 20В
  • Разрядной ток: 9.5А
  • Количество элементов: 6

Основные параметры:

  • Тип устройства: MOSFET N-канальный
  • Напряжение РД (Разрядное напряжение): 20В
  • Разрядной ток (ID): 9.5А
  • Количество элементов в модуле: 6

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Малый размер и вес
  • Высокая эффективность при работе
  • Устойчивость к перегреву

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
  • Необходимость дополнительного охлаждения при высоких нагрузках

Общее назначение:

  • Использование в электронных системах для управления током
  • Применение в источниках питания
  • Использование в телекоммуникационных устройствах
  • Применение в системах управления двигателей

В каких устройствах применяется:

  • Источники питания для различных устройств
  • Автомобильные системы управления
  • Системы управления двигателями
  • Телекоммуникационное оборудование
  • Электронные устройства бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики FDMA410NZT

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    23mOhm @ 9.5A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1310 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.4W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    6-UDFN (2.05x2.05)
  • Корпус
    6-UDFN Exposed Pad

Техническая документация

 FDMA410NZT.pdf
pdf. 0 kb
  • 3344 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    203 ₽
  • 10
    132 ₽
  • 500
    67 ₽
  • 3000
    48 ₽
  • 9000
    45 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi / Fairchild
  • Артикул:
    FDMA410NZT
  • Описание:
    MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFETВсе характеристики

Минимальная цена FDMA410NZT при покупке от 1 шт 203.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDMA410NZT с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDMA410NZT

Маркировка FDMA410NZT, производитель ON Semiconductor / Fairchild

  • MOSFET N-канальный
  • Напряжение РД: 20В
  • Разрядной ток: 9.5А
  • Количество элементов: 6

Основные параметры:

  • Тип устройства: MOSFET N-канальный
  • Напряжение РД (Разрядное напряжение): 20В
  • Разрядной ток (ID): 9.5А
  • Количество элементов в модуле: 6

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Малый размер и вес
  • Высокая эффективность при работе
  • Устойчивость к перегреву

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
  • Необходимость дополнительного охлаждения при высоких нагрузках

Общее назначение:

  • Использование в электронных системах для управления током
  • Применение в источниках питания
  • Использование в телекоммуникационных устройствах
  • Применение в системах управления двигателей

В каких устройствах применяется:

  • Источники питания для различных устройств
  • Автомобильные системы управления
  • Системы управления двигателями
  • Телекоммуникационное оборудование
  • Электронные устройства бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики FDMA410NZT

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    23mOhm @ 9.5A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1310 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.4W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    6-UDFN (2.05x2.05)
  • Корпус
    6-UDFN Exposed Pad

Техническая документация

 FDMA410NZT.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BSC220N20NSFDATMA1MOSFET N-CH 200V 52A TSON-8
    1 117Кешбэк 167 баллов
    IPTG011N08NM5ATMA1MOSFET N-CH 80V 42A/408A HSOG-8
    1 121Кешбэк 168 баллов
    IMBF170R650M1XTMA1SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
    1 129Кешбэк 169 баллов
    IPZ65R095C7IPZ65R095 - 650V AND 700V COOLMO
    1 135Кешбэк 170 баллов
    IPB015N04LGATMA1MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
    1 139Кешбэк 170 баллов
    IMBG120R220M1HXTMA1SICFET N-CH 1.2KV 13A TO263
    1 145Кешбэк 171 балл
    IMW65R107M1HXKSA1MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
    1 153Кешбэк 172 балла
    IPB044N15N5ATMA1MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
    1 155Кешбэк 173 балла
    IPW65R115CFD7AXKSA1MOSFET N-CH 650V 21A TO247-3-41
    1 155Кешбэк 173 балла
    IPL60R065P7AUMA1MOSFET N-CH 650V 41A 4VSON
    1 157Кешбэк 173 балла
    IAUT300N10S5N015ATMA1MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
    1 165Кешбэк 174 балла
    IPP60R070CFD7XKSA1MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
    1 173Кешбэк 175 баллов
    IPT039N15N5ATMA1OPTIMOS 5 POWER MOSFET
    1 175Кешбэк 176 баллов
    IPW65R110CFDFKSA2MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
    1 175Кешбэк 176 баллов
    IPP65R110CFDXKSA2MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3
    1 177Кешбэк 176 баллов
    IPBE65R099CFD7AATMA1MOSFET N-CH 650V 24A TO263-7
    1 181Кешбэк 177 баллов
    IPB025N10N3GATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
    1 187Кешбэк 178 баллов
    IAUS260N10S5N019TATMA1MOSFET N-CH 100V 260A HDSOP-16-2
    1 189Кешбэк 178 баллов
    IPT014N08NM5ATMA1MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8
    1 195Кешбэк 179 баллов
    IAUT300N08S5N011ATMA1MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
    1 199Кешбэк 179 баллов
    IMW120R220M1HXKSA1SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
    1 199Кешбэк 179 баллов
    IPP200N25N3GXKSA1MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
    1 199Кешбэк 179 баллов
    IPW60R060P7XKSA1MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3
    1 213Кешбэк 181 балл
    IPB65R110CFDATMA2MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263-3
    1 213Кешбэк 181 балл
    SPW24N60C3FKSA1Транзистор: MOSFET N-CH 650V 24.3A TO247-3
    1 213Кешбэк 181 балл
    IPDD60R075CFD7XTMA1MOSFET N-CH 600V 40A HDSOP-10
    1 223Кешбэк 183 балла
    IRFSL4127PBFMOSFET N-CH 200V 72A TO262
    1 227Кешбэк 184 балла
    IPB020N10N5LFATMA1MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
    1 229Кешбэк 184 балла
    IPW60R070P6600V, 0.07OHM, N-CHANNEL MOSFET,
    1 231Кешбэк 184 балла
    IPA075N15N3GXKSA1MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3
    1 241Кешбэк 186 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Модули драйверов питания
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    IGBT транзисторы
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Симисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторные модули
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Высокочастотные полевые транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП