Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FDN339AN
  • В избранное
  • В сравнение
FDN339AN

FDN339AN

FDN339AN
;
FDN339AN

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    UMW
  • Артикул:
    FDN339AN
  • Описание:
    MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3Все характеристики

Минимальная цена FDN339AN при покупке от 1 шт 70.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDN339AN с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDN339AN

FDN339AN UMW MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 20В
    • Номинальный ток (ID(ON)): 3А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Монтаж: SUPERSOT3
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении
    • Малый размер и легкость
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий коэффициент тепловыделения
  • Минусы:
    • Недостаточная мощность для высокоточных приложений
    • Уязвимость к электрическому шуму
  • Общее назначение:
    • Использование в различных электронных устройствах
    • Переключение высоковольтных цепей
    • Контроль потребления энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Беспроводные устройства
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления электропитанием
Выбрано: Показать

Характеристики FDN339AN

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    35mOhm @ 3A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    700 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    500mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Техническая документация

 FDN339AN.pdf
pdf. 0 kb
  • 2749 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    70 ₽
  • 100
    27 ₽
  • 1000
    18 ₽
  • 6000
    13.6 ₽
  • 15000
    12 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    UMW
  • Артикул:
    FDN339AN
  • Описание:
    MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3Все характеристики

Минимальная цена FDN339AN при покупке от 1 шт 70.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDN339AN с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDN339AN

FDN339AN UMW MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 20В
    • Номинальный ток (ID(ON)): 3А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Монтаж: SUPERSOT3
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении
    • Малый размер и легкость
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий коэффициент тепловыделения
  • Минусы:
    • Недостаточная мощность для высокоточных приложений
    • Уязвимость к электрическому шуму
  • Общее назначение:
    • Использование в различных электронных устройствах
    • Переключение высоковольтных цепей
    • Контроль потребления энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Беспроводные устройства
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления электропитанием
Выбрано: Показать

Характеристики FDN339AN

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    35mOhm @ 3A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    700 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    500mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Техническая документация

 FDN339AN.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMN3016LPS-13MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI5060
    141Кешбэк 21 балл
    DMP2004WK-7MOSFET P-CH 20V 400MA SOT323
    141Кешбэк 21 балл
    ZXMN6A07ZTAMOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3
    142Кешбэк 21 балл
    DMP4025SFG-7MOSFET P-CH 40V 4.65A PWRDI3333
    142Кешбэк 21 балл
    DMN10H100SK3-13MOSFET N-CH 100V 18A TO252
    142Кешбэк 21 балл
    BS250FTAMOSFET P-CH 45V 90MA SOT23-3
    142Кешбэк 21 балл
    DMN4036LK3-13MOSFET N-CH 40V 8.5A TO252-3
    143Кешбэк 21 балл
    ZVP3310FTAMOSFET P-CH 100V 75MA SOT23-3
    144Кешбэк 21 балл
    DMG4800LFG-7MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
    144Кешбэк 21 балл
    ZXMN10A07ZTAТранзистор: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3
    145Кешбэк 21 балл
    ZXMP4A57E6TAMOSFET P-CH 40V 2.9A SOT26
    146Кешбэк 21 балл
    DMP1022UFDF-7MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN
    146Кешбэк 21 балл
    DMP3008SFG-7MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
    146Кешбэк 21 балл
    ZXMP10A13FTAMOSFET P-CH 100V 600MA SOT23-3
    147Кешбэк 22 балла
    DMP3035SFG-7MOSFET P-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
    147Кешбэк 22 балла
    ZVN3310FTAMOSFET N-CH 100V 100MA SOT23-3
    147Кешбэк 22 балла
    ZVN2106AMOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3
    147Кешбэк 22 балла
    ZXMP6A17E6QTAТранзистор: MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26
    148Кешбэк 22 балла
    DMN4040SK3-13MOSFET N-CH 40V 6A TO252-3
    148Кешбэк 22 балла
    ZVP1320FTAMOSFET P-CH 200V 35MA SOT23-3
    149Кешбэк 22 балла
    DMP3098LDM-7MOSFET P-CH 30V 4A SOT-26
    150Кешбэк 22 балла
    BS107PMOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
    151Кешбэк 22 балла
    DMG4466SSSL-13MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
    154Кешбэк 23 балла
    DMP4051LK3-13Транзистор: MOSFET P-CH 40V 7.2A TO252-3
    155Кешбэк 23 балла
    ZXMP6A13FTAMOSFET P-CH 60V 900MA SOT23-3
    156Кешбэк 23 балла
    DMN3730UFB4-7MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN
    156Кешбэк 23 балла
    DMN3009SFG-7MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333
    156Кешбэк 23 балла
    DMP3036SFG-7MOSFET P-CH 30V 8.7A PWRDI3333-8
    156Кешбэк 23 балла
    DMN4800LSSQ-13MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SO
    156Кешбэк 23 балла
    ZXMN3B01FTAMOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3
    156Кешбэк 23 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды силовые
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Транзисторные модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы специального назначения
    IGBT транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диодные мосты
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Модули драйверов питания
    Симисторы - Модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП