Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
FGA40N65SMD
  • В избранное
  • В сравнение
FGA40N65SMD

FGA40N65SMD

FGA40N65SMD
;
FGA40N65SMD

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FGA40N65SMD
  • Описание:
    Транзистор: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO3PNВсе характеристики

Минимальная цена FGA40N65SMD при покупке от 1 шт 1049.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FGA40N65SMD с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FGA40N65SMD

FGA40N65SMD на семинар Onsemi / Fairchild — это IGBT FIELD STOP мощностью 650В и током 80А, упаковкой TO3PN.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (UDSS): 650В
    • Максимальный ток проводимости (ID): 80А
    • Упаковка: TO3PN
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность благодаря технологии field stop.
    • Устойчивость к перегреву.
    • Сниженное энергопотребление.
    • Эффективность работы при различных нагрузках.
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными IGBT.
    • Требуют специального монтажа и проектирования.
  • Общее назначение:
    • Используется для управления мощными электрическими цепями в промышленных и бытовых приборах.
    • Подходит для высокочастотных приложений.
    • Способствует повышению эффективности систем преобразования энергии.
  • Применяется в:
    • Автомобильной электронике.
    • Промышленном оборудовании.
    • Системах управления двигателем.
    • Беспроводных системах питания.
    • Переходниках между сетевыми напряжениями.
Выбрано: Показать

Характеристики FGA40N65SMD

  • Тип IGBT
    Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    80 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    120 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.5V @ 15V, 40A
  • Рассеивание мощности
    349 W
  • Энергия переключения
    820µJ (on), 260µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    119 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    12ns/92ns
  • Условие испытаний
    400V, 40A, 6Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    42 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Исполнение корпуса
    TO-3PN
  • Base Product Number
    FGA40N65

Техническая документация

 FGA40N65SMD.pdf
pdf. 0 kb
  • 182 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 049 ₽
  • 30
    590 ₽
  • 120
    489 ₽
  • 510
    415 ₽
  • 1020
    395 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FGA40N65SMD
  • Описание:
    Транзистор: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO3PNВсе характеристики

Минимальная цена FGA40N65SMD при покупке от 1 шт 1049.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FGA40N65SMD с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FGA40N65SMD

FGA40N65SMD на семинар Onsemi / Fairchild — это IGBT FIELD STOP мощностью 650В и током 80А, упаковкой TO3PN.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (UDSS): 650В
    • Максимальный ток проводимости (ID): 80А
    • Упаковка: TO3PN
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность благодаря технологии field stop.
    • Устойчивость к перегреву.
    • Сниженное энергопотребление.
    • Эффективность работы при различных нагрузках.
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными IGBT.
    • Требуют специального монтажа и проектирования.
  • Общее назначение:
    • Используется для управления мощными электрическими цепями в промышленных и бытовых приборах.
    • Подходит для высокочастотных приложений.
    • Способствует повышению эффективности систем преобразования энергии.
  • Применяется в:
    • Автомобильной электронике.
    • Промышленном оборудовании.
    • Системах управления двигателем.
    • Беспроводных системах питания.
    • Переходниках между сетевыми напряжениями.
Выбрано: Показать

Характеристики FGA40N65SMD

  • Тип IGBT
    Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    80 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    120 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.5V @ 15V, 40A
  • Рассеивание мощности
    349 W
  • Энергия переключения
    820µJ (on), 260µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    119 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    12ns/92ns
  • Условие испытаний
    400V, 40A, 6Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    42 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Исполнение корпуса
    TO-3PN
  • Base Product Number
    FGA40N65

Техническая документация

 FGA40N65SMD.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FGH20N6S2DТранзистор: N-CHANNEL IGBT
    233Кешбэк 34 балла
    FGPF70N30TDTUТранзистор: IGBT 300V 49.2W TO220F
    239Кешбэк 35 баллов
    FGA90N30TUТранзистор: IGBT, 90A, 300V, N-CHANNEL
    270Кешбэк 40 баллов
    FGH30N6S2Транзистор: N-CHANNEL IGBT
    289Кешбэк 43 балла
    FGPF70N33BTTUТранзистор: IGBT, 330V, N-CHANNEL, TO-220AB
    297Кешбэк 44 балла
    HGT1S14N36G3VLTТранзистор: N-CHANNEL IGBT
    302Кешбэк 45 баллов
    FGB7N60UNDFТранзистор: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
    316Кешбэк 47 баллов
    FGA70N30TDTUТранзистор: IGBT, 40A, 300V, N-CHANNEL
    320Кешбэк 48 баллов
    FGA120N30DTUТранзистор: IGBT, 120A, 300V, N-CHANNEL
    335Кешбэк 50 баллов
    FGPF70N30TTUТранзистор: IGBT, 300V, N-CHANNEL, TO-220AB
    368Кешбэк 55 баллов
    HGTP3N60A4DТранзистор: N-CHANNEL IGBT
    375Кешбэк 56 баллов
    FGB20N60SFТранзистор: IGBT FIELD STOP 600V 40A D2PAK
    387Кешбэк 58 баллов
    HGTP12N60A4DТранзистор: IGBT 600V 54A TO220-3
    397Кешбэк 59 баллов
    FGB3040CSТранзистор: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
    431Кешбэк 64 балла
    FGA90N30DTUТранзистор: IGBT, 90A, 300V, N-CHANNEL
    456Кешбэк 68 баллов
    FGA70N30TTUТранзистор: IGBT, 300V, N-CHANNEL
    456Кешбэк 68 баллов
    FGA40N60UFDTUТранзистор: IGBT, 40A, 600V, N-CHANNEL
    516Кешбэк 77 баллов
    SGP15N60RUFTUТранзистор: N-CHANNEL IGBT
    718Кешбэк 107 баллов
    FGB40N6S2Транзистор: N-CHANNEL IGBT
    734Кешбэк 110 баллов
    FGI40N60SFTUТранзистор: IGBT, 80A, 600V, N-CHANNEL
    782Кешбэк 117 баллов
    FGB40N6S2TТранзистор: N-CHANNEL IGBT
    816Кешбэк 122 балла
    FGL35N120FTDTUТранзистор: IGBT TRENCH/FS 1200V 70A TO264-3
    1 103Кешбэк 165 баллов
    FGH50N6S2Транзистор: N-CHANNEL IGBT
    1 215Кешбэк 182 балла
    APT50GT120B2RDLGТранзистор: IGBT 1200V 106A 694W TO-247
    3 652Кешбэк 547 баллов
    RJH1BF7RDPQ-80#T2Транзистор: IGBT 1100V 60A 250W TO247
    1 363Кешбэк 204 балла
    IRG4RC20FTRPBFТранзистор: IGBT 600V 22A 66W DPAK
    175Кешбэк 26 баллов
    IRG4RC20FPBFТранзистор: IGBT 600V 22A 66W DPAK
    216Кешбэк 32 балла
    IRGIB7B60KDPBFТранзистор: IGBT 600V 12A 39W TO220FP
    241Кешбэк 36 баллов
    IRGB4607DPBFТранзистор: IGBT 600V 11A 58W TO220
    248Кешбэк 37 баллов
    IRGS4607DPBFТранзистор: IGBT 600V 11A 58W D2PAK
    260Кешбэк 39 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Симисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные IGBT транзисторы
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы специального назначения
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды силовые
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули триодных тиристоров
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторные модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные триодные тиристоры
    IGBT транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Тиристоры - SCR - модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП