Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
FGA70N30TTU
FGA70N30TTU

FGA70N30TTU

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Fairchild Semiconductor
  • Артикул:
    FGA70N30TTU
  • Описание:
    Транзистор: IGBT, 300V, N-CHANNELВсе характеристики

Минимальная цена FGA70N30TTU при покупке от 127 шт 442.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FGA70N30TTU с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FGA70N30TTU

  • Тип IGBT
    Trench
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    300 V
  • Коллекторный ток (Icm)
    160 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    1.5V @ 15V, 20A
  • Рассеивание мощности
    201 W
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    125 nC
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Исполнение корпуса
    TO-3PN
  • Base Product Number
    FGA70
  • В избранное
  • В сравнение
  • 1450 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 127
    442 ₽

Минимально и кратно 127 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Fairchild Semiconductor
  • Артикул:
    FGA70N30TTU
  • Описание:
    Транзистор: IGBT, 300V, N-CHANNELВсе характеристики

Минимальная цена FGA70N30TTU при покупке от 127 шт 442.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FGA70N30TTU с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FGA70N30TTU

  • Тип IGBT
    Trench
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    300 V
  • Коллекторный ток (Icm)
    160 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    1.5V @ 15V, 20A
  • Рассеивание мощности
    201 W
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    125 nC
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Исполнение корпуса
    TO-3PN
  • Base Product Number
    FGA70

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRGS4615DPBFТранзистор: IGBT 600V 23A 99W D2PAK
    289Кешбэк 43 балла
    ISL9V3036S3STТранзистор: IGBT, 360V, 17A, 1.58V, 300MJ, D
    996Кешбэк 149 баллов
    IKP04N60TXKSA1Транзистор: IGBT 600V 8A 42W TO220-3
    317Кешбэк 47 баллов
    IKB15N60TIKB15N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
    457Кешбэк 68 баллов
    IXYH50N65C3H1Транзистор: IGBT 650V 130A 600W TO247
    2 417Кешбэк 362 балла
    IKW30N65H5XKSA1Транзистор: IGBT TRENCH 650V 55A TO247-3
    891Кешбэк 133 балла
    HGT1S7N60C3DSТранзистор: 14A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT W/
    282Кешбэк 42 балла
    NGD8205NT4GТранзистор: IGBT 390V 20A 125W DPAK
    231Кешбэк 34 балла
    IRG7PH42U-EPТранзистор: IGBT 1200V 90A 385W TO247AD
    662Кешбэк 99 баллов
    STGW30V60DFТранзистор: IGBT 600V 60A 258W TO247
    695Кешбэк 104 балла
    APT100GN120B2GТранзистор: IGBT 1200V 245A 960W TMAX
    5 998Кешбэк 899 баллов
    IRGP4063PBFТранзистор: IGBT 600V 96A 330W TO247AC
    695Кешбэк 104 балла
    STGWA15M120DF3Транзистор: IGBT 1200V 30A 259W
    960Кешбэк 144 балла
    APT25GT120BRGТранзистор: IGBT 1200V 54A 347W TO247
    1 214Кешбэк 182 балла
    RGT60TS65DGC11Транзистор: IGBT 650V 55A 194W TO-247N
    876Кешбэк 131 балл
    RGT50TS65DGC11Транзистор: IGBT 650V 48A 174W TO-247N
    919Кешбэк 137 баллов
    STGWT60H65DFBТранзистор: IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L
    889Кешбэк 133 балла
    NGB8202NT4GТранзистор: IGBT 440V 20A 150W D2PAK
    270Кешбэк 40 баллов
    IRGP4072DPBFТранзистор: IGBT 300V 70A 180W TO247AC
    695Кешбэк 104 балла
    FGP5N60LSТранзистор: IGBT FIELD STOP 600V 10A TO220-3
    172Кешбэк 25 баллов
    IRG4BC15UD-SPBFТранзистор: IGBT 600V 14A 49W D2PAK
    285Кешбэк 42 балла
    IRGSL30B60KPBFТранзистор: IGBT 600V 78A 370W TO262
    298Кешбэк 44 балла
    IRG6I330UPBFТранзистор: IGBT 330V 28A 43W TO220ABFP
    6 202Кешбэк 930 баллов
    IXYH40N120B3D1Транзистор: IGBT 1200V 86A 480W TO247
    2 336Кешбэк 350 баллов
    IKW20N60TAFKSA1Транзистор: IGBT 600V 40A 166W TO247-3
    403Кешбэк 60 баллов
    FGD3N60LSDTMТранзистор: IGBT 600V 6A 40W DPAK
    98Кешбэк 14 баллов
    IRG7PH35UD-EPТранзистор: IGBT 1200V 50A COPAK247
    981Кешбэк 147 баллов
    IRGIB7B60KDPBFТранзистор: IGBT 600V 12A 39W TO220FP
    233Кешбэк 34 балла
    STGP10NB60SТранзистор: IGBT 600V 29A 80W TO220
    546Кешбэк 81 балл
    STGF15M65DF2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
    192Кешбэк 28 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Принадлежности
    IGBT транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Симисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП