Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
FGB7N60UNDF

FGB7N60UNDF

FGB7N60UNDF
;
FGB7N60UNDF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена FGB7N60UNDF при покупке от 800 шт 165.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FGB7N60UNDF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FGB7N60UNDF

FGB7N60UNDF от ON Semiconductor — это Изолированный Гейт-Биполярный Транзистор (IGBT).

  • Основные параметры:
    • Управляющий ток: 3.2 А
    • Управляющее напряжение: 15 В
    • Максимальная дроссельная мощность: 430 ВА
    • Рабочая температура: от -40°C до +150°C
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность в работе
    • Устойчивость к перегреву
    • Низкое сопротивление при управляющем напряжении
    • Долгий срок службы из-за надежной конструкции
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Сложность в проектировании системы охлаждения
  • Общее назначение:
    • Передача энергии между источником питания и нагрузкой
    • Контроль мощности в промышленных системах
    • Использование в трансформаторах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Энергосистемы
    • Оборудование для управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики FGB7N60UNDF

Техническая документация

FGB7N60UNDF.pdf
pdf. 0 kb
  • 1600 шт
    3-6 недель
Минимально и кратно 800 шт
  • Количество
    Цена
  • 800
    165 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена FGB7N60UNDF при покупке от 800 шт 165.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FGB7N60UNDF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FGB7N60UNDF

FGB7N60UNDF от ON Semiconductor — это Изолированный Гейт-Биполярный Транзистор (IGBT).

  • Основные параметры:
    • Управляющий ток: 3.2 А
    • Управляющее напряжение: 15 В
    • Максимальная дроссельная мощность: 430 ВА
    • Рабочая температура: от -40°C до +150°C
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность в работе
    • Устойчивость к перегреву
    • Низкое сопротивление при управляющем напряжении
    • Долгий срок службы из-за надежной конструкции
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Сложность в проектировании системы охлаждения
  • Общее назначение:
    • Передача энергии между источником питания и нагрузкой
    • Контроль мощности в промышленных системах
    • Использование в трансформаторах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Энергосистемы
    • Оборудование для управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики FGB7N60UNDF

Техническая документация

FGB7N60UNDF.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 800 шт