Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
HFA3127MJ/883

HFA3127MJ/883

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Harris Corporation
  • Артикул:
    HFA3127MJ/883
  • Описание:
    Транзистор: DUAL MARKED (5962-9474901MEA)Все характеристики

Минимальная цена HFA3127MJ/883 при покупке от 12 шт 4893 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HFA3127MJ/883 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики HFA3127MJ/883

  • Тип транзистора
    5 NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    12V
  • Трансформация частоты
    8GHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    3.5dB @ 1GHz
  • Рассеивание мощности
    150mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    40 @ 10mA, 2V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    65mA
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 125°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    16-CDIP (0.300", 7.62mm)
  • Исполнение корпуса
    16-CERDIP
  • 540 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 12
    4 893 ₽

Минимально и кратно 12 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • Производитель:
    Harris Corporation
  • Артикул:
    HFA3127MJ/883
  • Описание:
    Транзистор: DUAL MARKED (5962-9474901MEA)Все характеристики

Минимальная цена HFA3127MJ/883 при покупке от 12 шт 4893 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HFA3127MJ/883 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики HFA3127MJ/883

  • Тип транзистора
    5 NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    12V
  • Трансформация частоты
    8GHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    3.5dB @ 1GHz
  • Рассеивание мощности
    150mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    40 @ 10mA, 2V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    65mA
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 125°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    16-CDIP (0.300", 7.62mm)
  • Исполнение корпуса
    16-CERDIP