Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
HGTP3N60A4D

HGTP3N60A4D

HGTP3N60A4D
;
HGTP3N60A4D

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена HGTP3N60A4D при покупке от 154 шт 363.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HGTP3N60A4D с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HGTP3N60A4D

Транзистор HGTP3N60A4D Fairchild Semiconductor

  • N-CHANNEL IGBT: Это полупроводниковый транзистор с каналом из носителя заряда типа N. IGBT означает Insulated Gate Bipolar Transistor (изолированный контактный биполярный транзистор).
  • Основные параметры:
    • Управляющее напряжение Uce(sat) @ Ic = 20A: 4,5 В
    • Максимальное напряжение Uds(on) @ Ic = 20A: 600 В
    • Максимальная токовая способность Ic: 100 А
    • Частота работы f(max): 12 кГц
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе в режиме включения и выключения
    • Низкий уровень утечек при отключении
    • Высокий коэффициент усиления
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Низкая скорость переключения по сравнению с MOSFET
    • Требуется дополнительная защита от перегрева и перенапряжения
  • Общее назначение: Используется для управления токами в промышленных и бытовых приборах, а также в системах управления двигателей.
  • В каких устройствах применяется:
    • Приводы двигателей
    • Инверторы
    • Стабилизаторы напряжения
    • Электропитание и управления электрическими машинами
Выбрано: Показать

Характеристики HGTP3N60A4D

Техническая документация

HGTP3N60A4D.pdf
pdf. 0 kb
  • 25328 шт
    3-6 недель
Минимально и кратно 154 шт
  • Количество
    Цена
  • 154
    363 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена HGTP3N60A4D при покупке от 154 шт 363.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HGTP3N60A4D с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HGTP3N60A4D

Транзистор HGTP3N60A4D Fairchild Semiconductor

  • N-CHANNEL IGBT: Это полупроводниковый транзистор с каналом из носителя заряда типа N. IGBT означает Insulated Gate Bipolar Transistor (изолированный контактный биполярный транзистор).
  • Основные параметры:
    • Управляющее напряжение Uce(sat) @ Ic = 20A: 4,5 В
    • Максимальное напряжение Uds(on) @ Ic = 20A: 600 В
    • Максимальная токовая способность Ic: 100 А
    • Частота работы f(max): 12 кГц
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе в режиме включения и выключения
    • Низкий уровень утечек при отключении
    • Высокий коэффициент усиления
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Низкая скорость переключения по сравнению с MOSFET
    • Требуется дополнительная защита от перегрева и перенапряжения
  • Общее назначение: Используется для управления токами в промышленных и бытовых приборах, а также в системах управления двигателей.
  • В каких устройствах применяется:
    • Приводы двигателей
    • Инверторы
    • Стабилизаторы напряжения
    • Электропитание и управления электрическими машинами
Выбрано: Показать

Характеристики HGTP3N60A4D

Техническая документация

HGTP3N60A4D.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 154 шт