HGTP3N60A4D

HGTP3N60A4D

HGTP3N60A4D

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Fairchild Semiconductor
Артикул:
HGTP3N60A4D
Описание:
Транзистор: N-CHANNEL IGBTВсе характеристики

Минимальная цена HGTP3N60A4D при покупке от 154 шт 375.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HGTP3N60A4D с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HGTP3N60A4D

Транзистор HGTP3N60A4D Fairchild Semiconductor

N-CHANNEL IGBT: Это полупроводниковый транзистор с каналом из носителя заряда типа N. IGBT означает Insulated Gate Bipolar Transistor (изолированный контактный биполярный транзистор).
Основные параметры:
- Управляющее напряжение Uce(sat) @ Ic = 20A: 4,5 В
- Максимальное напряжение Uds(on) @ Ic = 20A: 600 В
- Максимальная токовая способность Ic: 100 А
- Частота работы f(max): 12 кГц
Плюсы:
- Высокая эффективность при работе в режиме включения и выключения
- Низкий уровень утечек при отключении
- Высокий коэффициент усиления
- Высокая надежность и долговечность
Минусы:
- Низкая скорость переключения по сравнению с MOSFET
- Требуется дополнительная защита от перегрева и перенапряжения
Общее назначение: Используется для управления токами в промышленных и бытовых приборах, а также в системах управления двигателей.
В каких устройствах применяется:
- Приводы двигателей
- Инверторы
- Стабилизаторы напряжения
- Электропитание и управления электрическими машинами

Техническая документация