IAUS260N10S5N019TATMA1

IAUS260N10S5N019TATMA1 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Infineon Technologies. Это ненаправленный (N-канальный) MOSFET с напряжением разрываCollector-Emitter V_CEO 100В и током разрыва Drain-Source I_DSS 260А. Конструкция пакета — HDSOP-16-2.

• Основные параметры:
• V_CEO = 100В
• I_DSS = 260А
• Пакет: HDSOP-16-2
• Тип: N-канальный

• Плюсы:
• Высокий ток разрыва (260А)
• Высокое напряжение разрыва (100В)
• Малый размер и легкий вес благодаря компактному пакету HDSOP-16-2
• Высокая надежность и стабильность работы

• Минусы:
• Высокие цены по сравнению с менее мощными моделями
• Необходимо соблюдение правил проектирования и охлаждения для предотвращения перегрева

• Общее назначение:
• Использование в высоковольтных и высокотоковых приложениях
• Применяется в силовых преобразователях, инверторах, системах управления двигателем
• Подходит для автомобильной электроники, промышленного оборудования, солнечных энергетических систем

Эти MOSFETы широко используются в различных устройствах, требующих высокого тока и напряжения, таких как электромобили, инверторы для солнечных батарей, промышленное оборудование и другие системы управления энергоснабжением.