Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
IGZ100N65H5XKSA1
  • В избранное
  • В сравнение
IGZ100N65H5XKSA1

IGZ100N65H5XKSA1

IGZ100N65H5XKSA1
;
IGZ100N65H5XKSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    INFINEON
  • Артикул:
    IGZ100N65H5XKSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT TRENCH 650V 161A TO247-4Все характеристики

Минимальная цена IGZ100N65H5XKSA1 при покупке от 1 шт 1605.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IGZ100N65H5XKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IGZ100N65H5XKSA1

IGZ100N65H5XKSA1 INFINEON Транзистор: IGBT TRENCH 650В 161А TO247-4

  • Основные параметры:
    • Управляющее напряжение (Vce(sat)): 3.5В при Ic = 161А
    • Максимальное напряжение междуCollector-Emitter (Vce(max)): 650В
    • Максимальный ток Collector (Ic(max)): 161А
    • Тип корпуса: TO247-4
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме провода
    • Низкое управляющее напряжение
    • Высокая надежность и долговечность
    • Эффективность в широком диапазоне рабочих температур
  • Минусы:
    • Высокие затраты на проектирование и изготовление
    • Требуют дополнительного охлаждения для работы на полной мощности
  • Общее назначение:
    • Контроль мощности в промышленных и бытовых электронных устройствах
    • Использование в системах управления двигателем
    • Применение в солнечных батареях и других источниках возобновляемой энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Инверторы для преобразования напряжения
    • Системы управления переменными частотами
    • Оборудование для обработки материалов
    • Промышленные преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики IGZ100N65H5XKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    Trench
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    161 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    400 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 100A
  • Рассеивание мощности
    536 W
  • Энергия переключения
    850µJ (on), 770µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    210 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    30ns/421ns
  • Условие испытаний
    400V, 50A, 8Ohm, 15V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-4
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-4
  • Base Product Number
    IGZ100

Техническая документация

 IGZ100N65H5XKSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 232 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 605 ₽
  • 5
    1 098 ₽
  • 10
    862 ₽
  • 50
    802 ₽
  • 100
    710 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    INFINEON
  • Артикул:
    IGZ100N65H5XKSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT TRENCH 650V 161A TO247-4Все характеристики

Минимальная цена IGZ100N65H5XKSA1 при покупке от 1 шт 1605.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IGZ100N65H5XKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IGZ100N65H5XKSA1

IGZ100N65H5XKSA1 INFINEON Транзистор: IGBT TRENCH 650В 161А TO247-4

  • Основные параметры:
    • Управляющее напряжение (Vce(sat)): 3.5В при Ic = 161А
    • Максимальное напряжение междуCollector-Emitter (Vce(max)): 650В
    • Максимальный ток Collector (Ic(max)): 161А
    • Тип корпуса: TO247-4
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме провода
    • Низкое управляющее напряжение
    • Высокая надежность и долговечность
    • Эффективность в широком диапазоне рабочих температур
  • Минусы:
    • Высокие затраты на проектирование и изготовление
    • Требуют дополнительного охлаждения для работы на полной мощности
  • Общее назначение:
    • Контроль мощности в промышленных и бытовых электронных устройствах
    • Использование в системах управления двигателем
    • Применение в солнечных батареях и других источниках возобновляемой энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Инверторы для преобразования напряжения
    • Системы управления переменными частотами
    • Оборудование для обработки материалов
    • Промышленные преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики IGZ100N65H5XKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    Trench
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    161 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    400 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 100A
  • Рассеивание мощности
    536 W
  • Энергия переключения
    850µJ (on), 770µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    210 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    30ns/421ns
  • Условие испытаний
    400V, 50A, 8Ohm, 15V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-4
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-4
  • Base Product Number
    IGZ100

Техническая документация

 IGZ100N65H5XKSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STGWT30V60DFТранзистор: IGBT 600V 60A 258W TO3P-3
    722Кешбэк 108 баллов
    STGW15H120DF2Транзистор: IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247
    728Кешбэк 109 баллов
    STGB20NB41LZT4Транзистор: IGBT 442V 40A 200W D2PAK
    735Кешбэк 110 баллов
    STGW60V60DFТранзистор: IGBT 600V 80A 375W TO247
    735Кешбэк 110 баллов
    STGW40V60DFТранзистор: IGBT 600V 80A 283W TO247
    743Кешбэк 111 баллов
    STGW30H65FBТранзистор: IGBT 650V 30A 260W TO-247
    743Кешбэк 111 баллов
    STGWA19NC60HDТранзистор: IGBT 600V 52A 208W TO247
    750Кешбэк 112 баллов
    STGFW40V60DFТранзистор: IGBT 600V 80A 62.5W TO-3PF
    762Кешбэк 114 баллов
    STGFW40H65FBТранзистор: IGBT HB 650V 40A ISOWATT218
    762Кешбэк 114 баллов
    STGW20V60FТранзистор: IGBT 600V 40A 167W TO247
    764Кешбэк 114 баллов
    STGW28IH125DFТранзистор: IGBT 1250V 60A 375W TO-247
    773Кешбэк 115 баллов
    STGW20V60DFТранзистор: IGBT 600V 40A 167W TO247
    778Кешбэк 116 баллов
    STGP20NC60VТранзистор: IGBT 600V 60A 200W TO220
    788Кешбэк 118 баллов
    STGW40V60FТранзистор: IGBT 600V 80A 283W TO247
    789Кешбэк 118 баллов
    STGB30H60DLFBТранзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
    818Кешбэк 122 балла
    STGWA15H120DF2Транзистор: IGBT HB 1200V 15A HS TO247-3
    819Кешбэк 122 балла
    STGWT60H65FBТранзистор: IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L
    821Кешбэк 123 балла
    STGP40V60FТранзистор: IGBT 600V 80A 283W TO220AB
    824Кешбэк 123 балла
    STGWT40H60DLFBТранзистор: IGBT 600V 80A 283W TO3P-3L
    834Кешбэк 125 баллов
    STGFW40V60FТранзистор: IGBT 600V 80A 62.5W TO-3PF
    840Кешбэк 126 баллов
    STGW30NC60VDТранзистор: IGBT 600V 80A 250W TO247
    843Кешбэк 126 баллов
    STGWT60H65DFBТранзистор: IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L
    849Кешбэк 127 баллов
    STGW39NC60VDТранзистор: IGBT 600V 80A 250W TO247
    861Кешбэк 129 баллов
    STGWT40V60DFТранзистор: IGBT 600V 80A 283W TO3P-3
    874Кешбэк 131 балл
    STGW40H65FBТранзистор: IGBT 650V 80A 283W TO247
    876Кешбэк 131 балл
    STGW30V60FТранзистор: IGBT 600V 60A 260W TO247
    877Кешбэк 131 балл
    STGWA60H65DFBТранзистор: IGBT BIPO 650V 60A TO247-3
    880Кешбэк 132 балла
    STGWA60V60DFТранзистор: IGBT BIPO 600V 60A TO247-3
    893Кешбэк 133 балла
    STGW25H120DF2Транзистор: IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247
    904Кешбэк 135 баллов
    STGW30NC60WDТранзистор: IGBT 600V 60A 200W TO247
    908Кешбэк 136 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Модули драйверов питания
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты
    Модули триодных тиристоров
    Высокочастотные полевые транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы специального назначения
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторные модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Симисторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды силовые
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП