IMBF170R650M1XTMA1

IMBF170R650M1XTMA1

IMBF170R650M1XTMA1

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IMBF170R650M1XTMA1
Описание:
SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7Все характеристики

Минимальная цена IMBF170R650M1XTMA1 при покупке от 1 шт 1129.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IMBF170R650M1XTMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IMBF170R650M1XTMA1

IMBF170R650M1XTMA1 — это транзистор Infineon Technologies SICFET N-канальный с напряжением блокировки 1700В и током стока 7,4А, корпус TO263-7.

Основные параметры:

Тип: SICFET (Silicon Carbide FET)
Канал: N-канальный
Напряжение блокировки: 1700В
Ток стока: 7,4А
Корпус: TO263-7

Плюсы:

Высокая скорость включения и выключения
Низкое значение тока утечки при открытом транзисторе
Высокая термическая стабильность
Уменьшение размеров и массы устройств благодаря высоким характеристикам

Минусы:

Высокая стоимость по сравнению с традиционными транзисторами
Требуются специфические условия проектирования и монтажа
Требуются дополнительные меры охлаждения из-за высокой мощности

Общее назначение:

Использование в высоковольтных и высокопроизводительных системах
Применяется в промышленной электронике, трансформаторных каскадах, солнечных батареях, электромобилях
Подходит для применения в системах управления двигателем и инверторах

В каких устройствах применяется:

Автомобильная электроника
Системы управления двигателем
Промышленное оборудование
Солнечные системы энергопитания
Электроприборы высокой мощности

Техническая документация