IMW65R107M1HXKSA1

IMW65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies MOSFET 650В NCH SIC TRENCH

• Основные параметры:
  • Номинальное напряжение (UDSS): 650В
  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Технология: SiC (сапфировый кремний)
  • Структура: Trench
• Плюсы:
  • Высокая эффективность при работе с высокими напряжениями
  • Малый ток стока при отключенном состоянии
  • Высокая скорость переключения
  • Устойчивость к тепловому стрессу
  • Малый размер и масса за счет использования SiC
• Минусы:
  • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET
  • Требуется специальное оборудование для производства
  • Необходимо учитывать особенности проектирования и монтажа из-за особенностей SiC
• Общее назначение:
  • Использование в инверторах и преобразователях мощности
  • Применение в системах управления двигателем
  • Работа в промышленных и автомобильных электрониках
  • Питание сетевых устройств и серверных систем
• В каких устройствах применяется:
  • Автомобильные системы питания и управления
  • Промышленные преобразователи и инверторы
  • Сетевые устройства и серверы
  • Электроприводы и системы управления двигателями