Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
IPB020N10N5LFATMA1
  • В избранное
  • В сравнение
IPB020N10N5LFATMA1

IPB020N10N5LFATMA1

IPB020N10N5LFATMA1
;
IPB020N10N5LFATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPB020N10N5LFATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3Все характеристики

Минимальная цена IPB020N10N5LFATMA1 при покупке от 1 шт 1229.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPB020N10N5LFATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPB020N10N5LFATMA1

IPB020N10N5LFATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)) - 100В
    • Номинальная токовая характеристика (ID(on)) - 120А
    • Тип - N-канальный полупроводниковый транзистор (MOSFET)
    • Оболочка - TO263-3
  • Плюсы:
    • Высокая conductive способность
    • Малые потери при работе
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Простота в управлении
    • Низкий уровень шума при работе
  • Минусы:
    • Необходимо соблюдение правил охлаждения при высоких нагрузках
    • Существует вероятность возникновения электрических шумов при быстром включении/выключении
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Драйверы для электроприводов
    • Регуляторы напряжения
    • Автомобильные системы
    • Электронные устройства с высокими требованиями к производительности
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Источники питания для ноутбуков и компьютеров
    • Мощные драйверы для моторов
    • Системы управления электроприводами
    • Регуляторы напряжения для различных приборов
Выбрано: Показать

Характеристики IPB020N10N5LFATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    120A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2mOhm @ 100A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.1V @ 270µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    195 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    840 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    313W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO263-3
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    IPB020

Техническая документация

 IPB020N10N5LFATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 11742 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 229 ₽
  • 10
    824 ₽
  • 100
    595 ₽
  • 500
    591 ₽
  • 1000
    483 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPB020N10N5LFATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3Все характеристики

Минимальная цена IPB020N10N5LFATMA1 при покупке от 1 шт 1229.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPB020N10N5LFATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPB020N10N5LFATMA1

IPB020N10N5LFATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)) - 100В
    • Номинальная токовая характеристика (ID(on)) - 120А
    • Тип - N-канальный полупроводниковый транзистор (MOSFET)
    • Оболочка - TO263-3
  • Плюсы:
    • Высокая conductive способность
    • Малые потери при работе
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Простота в управлении
    • Низкий уровень шума при работе
  • Минусы:
    • Необходимо соблюдение правил охлаждения при высоких нагрузках
    • Существует вероятность возникновения электрических шумов при быстром включении/выключении
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Драйверы для электроприводов
    • Регуляторы напряжения
    • Автомобильные системы
    • Электронные устройства с высокими требованиями к производительности
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Источники питания для ноутбуков и компьютеров
    • Мощные драйверы для моторов
    • Системы управления электроприводами
    • Регуляторы напряжения для различных приборов
Выбрано: Показать

Характеристики IPB020N10N5LFATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    120A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2mOhm @ 100A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.1V @ 270µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    195 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    840 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    313W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO263-3
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    IPB020

Техническая документация

 IPB020N10N5LFATMA1.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BSC220N20NSFDATMA1MOSFET N-CH 200V 52A TSON-8
    1 117Кешбэк 167 баллов
    IPTG011N08NM5ATMA1MOSFET N-CH 80V 42A/408A HSOG-8
    1 121Кешбэк 168 баллов
    IMBF170R650M1XTMA1SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
    1 129Кешбэк 169 баллов
    IPZ65R095C7IPZ65R095 - 650V AND 700V COOLMO
    1 135Кешбэк 170 баллов
    IPB015N04LGATMA1MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
    1 139Кешбэк 170 баллов
    IMBG120R220M1HXTMA1SICFET N-CH 1.2KV 13A TO263
    1 145Кешбэк 171 балл
    IMW65R107M1HXKSA1MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
    1 153Кешбэк 172 балла
    IPB044N15N5ATMA1MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
    1 155Кешбэк 173 балла
    IPW65R115CFD7AXKSA1MOSFET N-CH 650V 21A TO247-3-41
    1 155Кешбэк 173 балла
    IPL60R065P7AUMA1MOSFET N-CH 650V 41A 4VSON
    1 157Кешбэк 173 балла
    IAUT300N10S5N015ATMA1MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
    1 165Кешбэк 174 балла
    IPP60R070CFD7XKSA1MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
    1 173Кешбэк 175 баллов
    IPT039N15N5ATMA1OPTIMOS 5 POWER MOSFET
    1 175Кешбэк 176 баллов
    IPW65R110CFDFKSA2MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
    1 175Кешбэк 176 баллов
    IPP65R110CFDXKSA2MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3
    1 177Кешбэк 176 баллов
    IPBE65R099CFD7AATMA1MOSFET N-CH 650V 24A TO263-7
    1 181Кешбэк 177 баллов
    IPB025N10N3GATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
    1 187Кешбэк 178 баллов
    IAUS260N10S5N019TATMA1MOSFET N-CH 100V 260A HDSOP-16-2
    1 189Кешбэк 178 баллов
    IPT014N08NM5ATMA1MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8
    1 195Кешбэк 179 баллов
    IAUT300N08S5N011ATMA1MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
    1 199Кешбэк 179 баллов
    IMW120R220M1HXKSA1SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
    1 199Кешбэк 179 баллов
    IPP200N25N3GXKSA1MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
    1 199Кешбэк 179 баллов
    IPW60R060P7XKSA1MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3
    1 213Кешбэк 181 балл
    IPB65R110CFDATMA2MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263-3
    1 213Кешбэк 181 балл
    SPW24N60C3FKSA1Транзистор: MOSFET N-CH 650V 24.3A TO247-3
    1 213Кешбэк 181 балл
    IPDD60R075CFD7XTMA1MOSFET N-CH 600V 40A HDSOP-10
    1 223Кешбэк 183 балла
    IRFSL4127PBFMOSFET N-CH 200V 72A TO262
    1 227Кешбэк 184 балла
    IPB020N10N5LFATMA1MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
    1 229Кешбэк 184 балла
    IPW60R070P6600V, 0.07OHM, N-CHANNEL MOSFET,
    1 231Кешбэк 184 балла
    IPA075N15N3GXKSA1MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3
    1 241Кешбэк 186 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диодные мосты
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR - модули
    Модули драйверов питания
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторные модули
    Транзисторы специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Сборки биполярных транзисторов
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные триодные тиристоры
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные IGBT транзисторы
    Симисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП